一种碲化铋基纳米管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种碲化铋基纳米管的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上设置模板，然后在所述衬底上沉积多个铋线；S2、移除所述模板得到具有衬底支撑的铋线，并将所述具有衬底支撑的铋线置于硝酸中浸泡，减少所述铋线的线径且使得所述铋线线径达纳米级；S3、在所述具有衬底支撑的铋线上沉积碲化铋包层，然后通过真空退火处理得到具有衬底支撑的多个中空的碲化铋基纳米管。本发明专利技术利用沉积技术结合模板控制及真空退火处理能够制备得到规则排列的碲化铋基纳米管，相比现有的碲化铋基纳米管的制备方法相比，制备方法简单，成本低，且获得的碲化铋基纳米管的结构均一性好。化铋基纳米管的结构均一性好。化铋基纳米管的结构均一性好。

【技术实现步骤摘要】
一种碲化铋基纳米管的制备方法


[0001]本专利技术属于材料合成
，具体涉及一种碲化铋基纳米管的制备方法，特别是涉及一种周期性点阵排列的碲化铋基纳米管的制备方法。

技术介绍

[0002]温差电(TE)现象也称热电现象。1822 年，Thomas Seebeck 发现温差电动势效应(TE 材料发电原理)；1834 年，Jean Peltier 发现电流回路中两不同材料导体结界面处的降温效应(TE 材料制冷原理)。20 世纪50 年代发现一些良好的半导体TE 材料。通常把ZT（指热电优值）≥0.5 的材料称为TE 材料。ZT越大，TE器件效率越高。为克服高ZT 值TE 材料种类缺乏的障碍，人们转向天然TE 材料的结构设计以及人工合成TE材料的研制
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低维温差电材料。介观物理理论研究表明，在相同的工作条件下，低维薄膜结构TE 材料比其他体材料具有更高的ZT 值。
[0003]至今为止，有三类典型的低维薄膜结构的TE 材料：（1）量子点结构( quantum
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dot structures)，借本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲化铋基纳米管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在衬底上设置模板，然后在所述衬底上沉积多个铋线；S2、移除所述模板得到具有衬底支撑的铋线，并将所述具有衬底支撑的铋线置于硝酸中浸泡，减少所述铋线的线径且使得所述铋线线径达纳米级；S3、在所述具有衬底支撑的铋线上沉积碲化铋包层，然后通过真空退火处理得到具有衬底支撑的多个中空的碲化铋基纳米管。2.根据权利要求1所述的碲化铋基纳米管的制备方法，其特征在于：所述模板具有规则排列的模孔，使得所述多个碲化铋基纳米管规则排列在所述衬底上。3.根据权利要求2所述的碲化铋基纳米管的制备方法，其特征在于：所述模板上的模孔呈周期性的六边形阵列排布，使得所述多个碲化铋基纳米管呈周期性的六边形阵列排布。4.根据权利要求1所述的碲化铋基纳米管的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述铋线的线径小于等于130μm；和/或，步骤S2中，所述铋线置于硝酸中浸泡，使得所述铋线线径小于等于50nm；和/或，步骤S3中，所述碲化铋包层的厚度为20~40nm，所述碲化铋基纳米管的中空内径为10~50nm。5.根据权利要求1或4所述的碲化铋基纳米管的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述硝酸的浓度为63%以上；和/或，所述浸泡为一次浸泡或多次浸泡，每次浸泡后检测所述铋线的线径，若检测到所述铋线的线径大于50nm，则重复所述浸泡步骤；若检测到所述铋线的线径小于等于50nm，则结束所述浸泡步骤，...

【专利技术属性】
技术研发人员：程新利，刘宏，
申请(专利权)人：苏州窄带半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：