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本发明涉及一种碲化铋基纳米管的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上设置模板，然后在所述衬底上沉积多个铋线；S2、移除所述模板得到具有衬底支撑的铋线，并将所述具有衬底支撑的铋线置于硝酸中浸泡，减少所述铋线的线径且使得所述铋线线径达纳米级；S...
该专利属于苏州窄带半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州窄带半导体科技有限公司授权不得商用。

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