一种低压台面TVS半导体芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种低压台面TVS半导体芯片，P型硅片的正面和背面设有上下对称的环状玻璃钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，P型硅片的生长氧化层，氧化层刻蚀有电极，P型硅片的正面和背面设有N+击穿区，正面和背面设有N+吸杂区，N+吸杂区和N+击穿区与P型硅片之间PN结形成了下凹上凸的结构。选择P型硅片；在P型硅片表面生长氧化层，进行正面、背面N+吸杂区的光刻，光刻后进行正面、背面N+吸杂区磷预扩散和再扩散分布，形成PN结结构；去除氧化层后，在P型硅片进行N+击穿区正面、背面磷预扩散；在P型硅片形成环状钝化沟槽；金属淀积、光刻、刻蚀，氧化层间隙形成T1/T2电极；合金。避免槽内击穿，有效提高减少芯片漏电的几率和提高器件IPP通流能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种低压台面TVS半导体芯片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及芯片制造领域，具体是一种低压台面TVS半导体芯片及其制造方法。

技术介绍

[0002]瞬态抑制二极管TVS产品，广泛应用于家用电器、计算机系统、网络通信等方面。而近年来，对低压TVS器件的漏电流大小和浪涌性能要求的越来越高，从而触发更多新型结构低压TVS半导体芯片的产生。传统低压台面TVS半导体芯片的制作方法以P型硅基底材料，芯片结构自上而下为NPN的三层结构，该结构由于击穿发生于槽内，并且高温扩散会将多余的杂质扩入硅片内，导致产品漏电流不受控，浪涌性能降低。因此，需要专利技术一种新的技术方案来解决上述问题。
[0003]以传统低压台面TVS半导体芯片为例，通过扩散的形式在P型硅片正背面形成大面积的N+结，通过挖槽实现隔离，击穿主要发生在槽内。同时高温扩散会将多余的杂质扩入硅片内和槽内清洗问题，会导致低压TVS漏电不受控，降低芯片的可靠性。为了进一步提高芯片的漏电性能。
[0004]在已经公开的文件CN201610874344
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压台面TVS半导体芯片，包括P型硅片，P型硅片的正面和背面设有上下对称的环状玻璃钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，P型硅片的表面生长有氧化层，氧化层间隙刻蚀有电极，其特征在于：所述P型硅片的正面和背面设有N+击穿区，所述正面和背面设有N+吸杂区，所述N+吸杂区和N+击穿区与P型硅片之间PN结形成了下凹上凸的结构。2.根据权利要求1所述的一种低压台面TVS半导体芯片，其特征在于：所述N+吸杂区位于玻璃钝化层和氧化层之间下方的位置为朝向两侧的向下和向上的凹陷，所述电极中部下方的位置为为朝向电极的上凸和下凸的结构。3.根据权利要求1所述的一种低压台面TVS半导体芯片，其特征在于：所述P型硅片包括半导体材料SOI、砷化镓、氮化镓、磷化铟、碳化硅或锗硅，P型硅片的厚度为150～300μm、电阻率为0.004～0.05Ω
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cm。4.根据权利要求1所述的一种低压台面TVS半导体芯片，其特征在于：所述N+吸杂区的结深在10～40μm， N+击穿区的结深在5～20μm。5.一种制造低压台面TVS半导体芯片的方法，其特征在于：包括下列步骤：步骤1：选择P型硅片；步骤2：在P型硅片表面生长氧化层，进行正面、背面N+吸杂区的光刻，光刻后进行正面、背面N+吸杂区磷预扩散和再扩散分布，窗口区域的局部扩散，磷掺杂在P型硅片衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯亚威，张鹏，王志明，刘志雄，
申请(专利权)人：江苏吉莱微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：