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本发明公开一种低压台面TVS半导体芯片，P型硅片的正面和背面设有上下对称的环状玻璃钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，P型硅片的生长氧化层，氧化层刻蚀有电极，P型硅片的正面和背面设有N+击穿区，正面和背面设有N+吸杂区，N+吸杂区和N+击穿区与...
该专利属于江苏吉莱微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏吉莱微电子股份有限公司授权不得商用。

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