一种多层膜偏振器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种多层膜偏振器及其制备方法。本发明专利技术提供的多层膜偏振器，通过在横向上不同位置镀制周期多层膜(即交替设置第一材料层和第二材料层，并使第一材料层与第二材料层的厚度和沿横向梯度递增)，以能够在针对不同的工作能点，在使用中只需要平移偏振器，就能拓展偏振器的工作带宽，进而能够实现400

【技术实现步骤摘要】
一种多层膜偏振器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光学元件及其制备
，特别是涉及一种多层膜偏振器及其制备方法。

技术介绍

[0002]为实现软X射线光束的高偏振性能、确定入射光的偏振状态、检验出射光的偏振状态，需用偏振元件构成偏振测量装置。根据工作能量不同，需要采用不同的偏振光学元件。但是，在软X射线能区，所有材料的吸收都很强，因此无法用透射方法获得有效起偏。并且任何材料的折射率都接近于1，根据Fresnel公式可知单一界面的反射率很低，所以无法采用单层界面的多次反射方法制成反射式偏振元件。此外，自然界中没有晶格常数与该波段波长相匹配的天然晶体。因此，这一能区的偏振元件需用特殊方法研制。
[0003]软X射线多层膜可有效地增加非掠入射条件下的反射率，是软X射线能区重要的光学元件。宽能谱带宽的多层膜偏振元件不仅具有高的反射率，同时也能够覆盖大的能谱范围。目前有两种类型的宽带多层膜。一种方法是非周期多层膜，其每一个膜层的厚度不同，在纵向上大体为梯度分布，从而让不同的膜层反射不同波长的入射光，实现带宽扩展。但对于能量更高(波长更短本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层膜偏振器，其特征在于，包括：第一材料层和第二材料层；所述第一材料层和所述第二材料层交替设置；所述第一材料层与所述第二材料层的厚度和沿横向梯度递增。2.根据权利要求1所述的多层膜偏振器，其特征在于，所述第一材料层为WSi2膜层或W膜层。3.根据权利要求2所述的多层膜偏振器，其特征在于，当所述第一材料层为WSi2膜层时，所述第二材料层为Si膜层；当所述第一材料层为W膜层时，所述第二材料层为B4C膜层。4.根据权利要求3所述的多层膜偏振器，其特征在于，所述WSi2膜层与所述Si膜层的厚度和的范围为1.5nm
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2.03nm。5.根据权利要求3所述的多层膜偏振器，其特征在于，所述W膜层和所述B4C膜层的厚度和的范围为1.13nm
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2.18nm。6.根据权利要求3所述的多层膜偏振器，其特征在于，所述WSi2膜层与所述Si膜层的厚度和沿横向递增的梯度为0.018nm/mm。7.根据权利要求3所述的多层膜偏振器，其特征在于，所述W膜层和所述B4C膜层的厚度和沿横向递增的梯度为0.021nm/mm。8.根据权利要求1所述的多层膜偏振器，其特征在于，所述第一材料层和所述第二材料层的厚度比的范围为0.2～0.8。9.一种多层膜偏振器的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱京涛，赵世暖，杨泽华，屠洛涔，孙航，金宇，
申请(专利权)人：苏州闻道电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：