发光材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及发光材料技术领域，尤其是涉及一种发光材料及其制备方法和应用。发光材料，其通式为：NaATiO4：xBi

【技术实现步骤摘要】
发光材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及发光材料
，尤其是涉及一种发光材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]为了保护企业和消费者的利益，保证市场经济的健康发展，投入了大量的人力、财力等进行防伪。到目前为止，已经研究了各种防伪技术，如射频识别标签、二维码、数字水印、光学技术防伪等。相比之下，基于发光材料的防伪方法由于成本低、易于实现等而引起了广泛的关注。其中镧系稀土离子掺杂的无机发光材料具有低毒性、高化学稳定性等优点，在防伪方面有着无与伦比的竞争力。然而，随着科学技术的快速发展，传统的高能光激发单一模式发光的材料容易被假冒，在现实中无法使用。因此，开发集成包括上转换发光或下转换发光或磷光等多模式发光以及光致变色性能的材料以满足更复杂、安全性更高的防伪应用具有重大的现实意义。
[0003]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的第一目的在于提供发光材料，以解决现有技术中存在的发光材料的发光模式单一，导致容易被假冒等技术问题。
[0005]本专利技术的第二目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光材料，其特征在于，通式为NaATiO4：xBi
3+
/yEr
3+
；其中，0＜x≤0.05，0≤y≤0.1；A选自Y、Lu、La、Gd和Sc中的任一种；优选的，A为Y。2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，0＜x≤0.03；优选的，0＜x≤0.02；更优选的，0.005≤x≤0.015。3.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，0.01≤y≤0.1；优选的，0.02≤y≤0.08；更优选的，0.04≤y≤0.06。4.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述发光材料的平均晶粒大小为1～5μm；优选的，所述发光材料的平均晶粒大小为1～3μm。5.权利要求1
‑
4任一项所述的发光材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对含所述发光材料的化学计量比的Na源、A源、Ti源、Bi源、Er源的混合物进行烧结处理。6.根据权利要求5所述的发光材料的制备方法，其特征在于，所述混合物的制备包括：按所述发光材料的化学计量比称取Na源、A源、Ti源、Bi源、Er源，与助剂混合研磨得到浆料；对所述浆料进行干燥处理；优选的，所述研磨为球磨；优选的，所述球磨的时间为12～24h；优选的，所述干燥的温度为55～65℃；优选的，所述干燥的方式包括烘干。7.根据权利要求6所述的发光材料的制备方法，其特征在于，所述助剂包括分散剂；优选的，所述分散剂包括乙醇；优选的，所述分散剂的质量为所述Na源、所述A源、所述Ti源、所述Bi源、所述Er源的质量和的500％...

【专利技术属性】
技术研发人员：麻朝阳，曹永革，汪玉珍，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：发明
国别省市：