近红外发光材料及其制备方法、LED发光装置制造方法及图纸

本申请属于发光材料技术领域，尤其涉及一种近红外发光材料及其制备方法，以及一种LED发光装置。其中，近红外发光材料中包含化学式为M

【技术实现步骤摘要】
近红外发光材料及其制备方法、LED发光装置


[0001]本申请属于发光材料
，尤其涉及一种近红外发光材料及其制备方法，以及一种LED发光装置。

技术介绍

[0002]近几年，近红外LED由于结构简单、制作成本相对较低等特性，使得其在近红外光谱
被认为是一种重要的辅助光源。近红外LED即近红外光发光半导体，可将电能有效转化成近红外光，具有体积小、响应快，结构简单，光品质稳定等优势广泛应用于遥控遥测、光开关、目标跟踪等系统。当前，近红外LED技术主要应用在通讯、安全监控和传感等领域，应用波段最为常见的是850
‑
940nm，该波段覆盖了含C
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H，O
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H，和N
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H等化学键振动倍频与合频特征信息。因此，可通过扫描被测对象的近红外光谱即可获得被测对象中上述含氢基团的特征信息，从而在诸多检测等领域的应用日渐突出。
[0003]然而，采用单一近红外LED芯片实现近红外光输出的方法存在诸多不足，如：单颗芯片的使用功率有限，耐温性较差；发射光谱波段覆盖范围窄，不易调本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料中包含化学式为M
x
L
y
O2:R
z
的无机化合物，其中，M选自Li、Na、K中的至少一种；L选自Ga、In、Sc、Al、Y、Lu、B中的至少一种；R选自Cr、Yb、Mn、Er中的至少一种；0＜x≤1.1，0＜y≤1.1，0.00001≤z≤0.2。2.如权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，所述R取代的是所述L位元素，且所述R在所述L位占据的摩尔含量比例不高于20％。3.如权利要求1或2所述的近红外发光材料，其特征在于，0.0001≤z≤0.1，y+z＝1，x＝1。4.如权利要求3所述的近红外发光材料，其特征在于，所述M包括Li，所述L选自In、Sc、Al、Ga、Y中的至少一种，所述R包括Cr元素，且所述Cr元素价态为+3价。5.如权利要求4所述的近红外发光材料，其特征在于，所述M还包含有Na和/或K；和/或，所述L包含In和Sc、Al、Ga、Y中的至少一种。6.如权利要求1、2、4或5任一项所述的近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料的发射光谱峰值波长位于795～845nm之间；所述近红外发光材料的激发光谱...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜甫，罗伟，周裕强，林敏怡，赵文，蔡济隆，林金填，
申请(专利权)人：旭宇光电深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：