【技术实现步骤摘要】
基板处理设备和基板传送方法
技术介绍
[0001]本文描述的本专利技术构思的实施方式涉及基板处理设备和基板传送方法。
[0002]等离子体是指包括离子、自由基、电子等的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。半导体器件制造工艺可以包括使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体中所包含的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应时，执行蚀刻工艺。
[0003]一种使用此类等离子体的基板处理设备包括处理室、在处理室中支撑基板并连接到RF电源的支撑卡盘(例如，电极静电卡盘(ESC))、以及围绕安置在支撑卡盘上的基板的外周边的聚焦环。安装聚焦环以使等离子体以高度均匀性分布在基板的表面上，并且与基板一起用等离子体进行蚀刻。当基板被重复蚀刻时，聚焦环也被蚀刻，使得聚焦环的形状逐渐改变。其中离子和/或自由基被入射到基板的方向根据聚焦环的形状的改变而改变，并且因此基板的蚀刻特性改变。因此，当蚀刻特定数量或更多的基板或者聚焦环的形状改变而偏离允许范围时，需要更换聚焦环。
[0004]当传送机...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：处理室，在所述处理室中处理基板；以及传送机器人，所述传送机器人被配置为将所述基板和设置在所述处理室的处理空间中的聚焦环传送到所述处理空间，并且所述传送机器人具有手部，其中所述处理室包括：处理容器，所述处理容器被配置为提供所述处理空间；卡盘，所述卡盘具有将所述基板支撑在所述处理空间中的支撑表面；以及提升销模块，所述提升销模块被配置为在所述基板由所述聚焦环支撑的状态下提升所述聚焦环的下表面，并且其中所述卡盘被设置为阻挡板，在所述阻挡板中未形成提升销孔。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述处理容器具有入口端口，所述入口端口供所述聚焦环和所述基板运送进入，其中所述基板处理设备进一步包括控制器，并且其中所述控制器控制所述传送机器人和所述提升销模块，使得当所述基板被运送进入所述处理空间中或从所述处理空间中取出时，所述基板在所述手部支撑被配置为支撑所述基板的所述聚焦环的所述下表面的状态下穿过所述入口端口。3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述处理容器具有入口端口，所述入口端口供所述聚焦环和所述基板运送进入，其中所述基板处理设备进一步包括控制器，并且其中所述控制器控制所述传送机器人和所述提升销模块，使得当所述基板穿过所述入口端口时，所述基板总是在由所述聚焦环支撑的同时穿过所述入口端口。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中，所述提升销模块包括：提升销，所述提升销被设置成当从顶部观察时不与所述卡盘重叠；以及销驱动单元，所述销驱动单元被配置为竖直地移动所述提升销。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述处理室进一步包括隔离板，所述隔离板设置在所述卡盘下方。6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中，所述聚焦环的内部上表面的高度小于所述聚焦环的外部上表面的高度，并且因此所述基板的边缘区域的下表面放置在所述聚焦环的所述内部上表面上。7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述聚焦环在所述聚焦环的所述内部上表面和所述外部上表面之间具有在从所述基板的中心到所述基板的外侧的方向上向上倾斜的倾斜表面。8.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，进一步包括：缓冲室，所述缓冲室被配置为将所述基板安置在所述聚焦环上或将所述聚焦环与所述基板彼此分离。9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中所述缓冲室包括：支撑板，所述支撑板具有安置表面，所述聚焦环安置在所述安置表面上；第一提升销，所述第一提升销当从顶部观察时设置在所述支撑板的中央区域处并被配置为提升所述基板；以及
第二提升销，所述第二提升销当从所述顶部观察时设置在所述支撑板的边缘区域处并被配置为提升所述聚焦环。10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述缓冲室进一步包括支撑架，所述支撑架容纳所述聚焦环。11.根据权利要求8所述的基板处理设备，进一步包括：传送室，所述传送机器人设置在所述传送室中，其中所述处理室和所述缓冲室连接到所述传送室。12.根据权利要求8所述的基板处理设备，进一步包括：索引单元，所述索引单元包括负载罐和连接到所述负载罐的索引室，被配置为容纳所述基板和/或所述聚焦环的容器安置在所述负载罐上；以...
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