加工晶片和芯片形成晶片的制造方法技术

一种制造芯片形成晶片的方法，包括：在碳化硅晶片(1)的第一主表面(1a)上形成外延膜(2)，以提供具有与外延膜相邻的一侧(20a)和另一侧(20b)的加工晶片(20)；将激光束(L)从加工晶片的另一侧照射到加工晶片中，以便沿加工晶片的表面方向形成变质层(23)；以及以变质层作为边界将加工晶片分离成具有加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片(50)和具有加工晶片的所述另一侧的再循环晶片(60)。加工晶片在加工晶片的外边缘部分具有斜面部分(21)，并且在斜面部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。

【技术实现步骤摘要】
加工晶片和芯片形成晶片的制造方法


[0001]本公开涉及一种由碳化硅(以下简称为SiC)制成的加工晶片以及使用该加工晶片制造芯片形成晶片的方法。

技术介绍

[0002]JP2016
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111143A描述了用激光束照射具有第一主表面和第二主表面的SiC锭以将SiC锭分离成SiC晶片的方法。具体地说，在该方法中，激光束沿着SiC锭的第二主表面的法线方向照射到第二主表面，以在SiC锭中形成变质层。变质层用作将SiC晶片与SiC锭分离的边界。在这种情况下，第二主表面由C平面组成。

技术实现思路

[0003]例如如下使用如上所述的SiC晶片形成半导体芯片。首先，在SiC晶片上形成外延膜以形成加工晶片，并且在加工晶片上形成半导体元件。之后，将加工晶片减薄至所需厚度以形成芯片形成晶片，并且将芯片形成晶片分割成芯片单元以形成半导体芯片。
[0004]在这种情况下，当将加工晶片减薄以形成芯片形成晶片时，用激光束照射加工晶片以形成变质层，从而将SiC晶片与SiC锭分离。使用变质层作为边界分离加工晶片的减薄部分。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造芯片形成晶片的方法，在所述芯片形成晶片上形成有半导体元件，所述方法包括：制备碳化硅晶片(1)，其由碳化硅制成并具有第一主表面(1a)和与所述第一主表面相反的第二主表面(1b)；在所述碳化硅晶片的所述第一主表面上形成由碳化硅制成的外延膜(2)以提供加工晶片(20)，所述加工晶片具有与所述外延膜相邻的一侧(20a)和由所述碳化硅晶片制成的另一侧(20b)；将激光束(L)从所述加工晶片的所述另一侧照射到所述加工晶片中，以便沿所述加工晶片的表面方向形成变质层(23)；以所述变质层作为边界，将所述加工晶片分离成具有所述加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片(50)和具有所述加工晶片的所述另一侧的再循环晶片(60)；和重复使用所述再循环晶片作为碳化硅晶片，其中所述加工晶片在所述加工晶片的外边缘部分具有斜面部分(21)，以及在所述斜面部分中，所述另一侧的面积大于所述一...

【专利技术属性】
技术研发人员：长屋正武，熊泽辉显，南云裕司，平田和也，野本朝辉，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：