热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置。本发明专利技术的热固性片包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。0.1μm以上且1.2μm以下。

【技术实现步骤摘要】
热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置


[0001]本专利技术涉及热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，在半导体装置的制造中，作为将半导体元件粘接于具有半导体元件的搭载区域的基板的方法(芯片接合法)，已知有使用热固性片的方法(例如专利文献1)。
[0003]专利文献1中，作为热固性片，公开了包含导电性颗粒和热固性树脂的热固性片。
[0004]在这样的方法中，例如以在半导体晶圆的一个面(与电路形成面处于相反侧的面)贴附有热固性片的状态下，对前述半导体晶圆和前述热固性片进行切割，由此可得到多个在一个面贴附有半导体元件的热固性片。
[0005]并且，在一个面贴附有半导体元件的热固性片通过在规定温度(例如70℃)下将另一个面临时粘接于前述基板的安装半导体元件的区域后，在高于此的温度(例如200℃)下进行热固化，从而粘接于前述基板。即，前述半导体元件以夹设有前述热固性片的状态粘接于前述基板。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热固性片，其包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，所述热固性片在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。2.根据权利要求1所述的热固性片，其在固化前的状态下测定的最大高度粗糙度Rz为1μm以上且12μm以下。3.根据权利要求1或2所述的热固性片，其中，固化后的所述热固性片中的所述导电性颗粒的颗粒填充率P为30体积％以上。4.根据权利要求1或2所述的热固性片，其在固化后的热导率为3W/m
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K以上。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岛丽奈，市川智昭，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：