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一种制造芯片形成晶片的方法，包括：在碳化硅晶片(1)的第一主表面(1a)上形成外延膜(2)，以提供具有与外延膜相邻的一侧(20a)和另一侧(20b)的加工晶片(20)；将激光束(L)从加工晶片的另一侧照射到加工晶片中，以便沿加工晶片的表面方...该专利属于丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社株式会社迪思科授权不得商用。