【技术实现步骤摘要】
存储器装置的字线特性监测器和相关联方法及系统
[0001]本公开大体上涉及半导体存储器装置，且更特定来说涉及存储器装置的字线特性监测器和相关联方法及系统。
技术介绍
[0002]存储器装置广泛用于存储与各种电子装置，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等相关的信息。存储器装置经常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可卸除装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器，包含随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等需要外加电源来维持其数据。相比之下，非易失性存储器即使在没有外部供电的情况下也可保留其经存储数据。非易失性存储器可用于各种各样的技术中，包含快闪存储器(例如，NAND及NOR)、相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)等等。改进存储器装置通常可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度或以其它方式...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器阵列；字线驱动器，其经耦合到所述存储器阵列的字线；及外围电路系统，其与所述存储器阵列及所述字线驱动器耦合，所述外围电路系统经配置以：激活所述字线驱动器；响应于所述字线的电压达到阈值而传输第一信号；及至少部分地基于将所述第一信号与参考进行比较来传输第二信号。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述外围电路系统经配置以响应于以下项而激活所述字线驱动器：从与所述设备耦合的主机装置接收指向所述字线的存取命令；启动指向所述字线的刷新操作；或启动指向所述字线的错误检查及清理ECS操作。3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：参考组件，其与所述外围电路系统耦合，所述参考组件经配置以生成包含具有参考持续时间、电压波形的参考转变或两者的一或多个预定参数的所述参考。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述参考包含参考持续时间，且所述外围电路系统经配置以：在将所述第一信号与所述参考进行比较时，确定与所述第一信号相关联的持续时间大于所述参考持续时间，其中所述持续时间对应于在激活所述字线驱动器与所述字线电压达到所述阈值之间的时间段。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述参考包含电压波形的参考转变，且所述外围电路系统经配置以：在将所述第一信号与所述参考进行比较时，确定所述第一信号的转变滞后于所述参考转变，其中所述第一信号的所述转变与所述字线电压达到所述阈值相关联。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器阵列经配置以包含全局字线及与所述全局字线耦合的多个局部字线，且其中：所述字线是所述多个局部字线中的第一局部字线；所述字线驱动器是经配置以从所述第一局部字线的第一端驱动所述第一局部字线的第一字线驱动器；且所述外围电路系统的第一字线电压监测组件经耦合到所述第一局部字线的与所述第一端相对的第二端，所述第一字线电压监测组件经配置以生成所述第一信号。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述参考包含参考持续时间，且所述外围电路系统经配置以：确定与所述第一信号相关联的持续时间大于所述参考持续时间，其中所述持续时间对应于在激活所述第一字线驱动器与所述第一字线电压达到所述阈值之间的时间段；及确定所述持续时间大于与所述多个局部字线中的其它局部字线相关联的持续时间中的任一者。8.根据权利要求6所述的设备，其中所述参考包含电压波形的参考转变，且所述外围电
路系统经配置以：确定所述第一信号的转变滞后于所述参考转变，其中所述第一信号的所述转变与所述第一字线电压达到所述阈值相关联；及确定所述转变晚于与所述多个局部字线中的其它局部字线相关联的转变中的任一者发生。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述外围电路系统进一步经配置以：响应于生成所述第二信号，将与所述字线相关联的地址存储在所述设备的寄存器中；及响应于从与所述设备耦合的主机装置接收到包含所述地址的存取命令而用所述存储器阵列的不同地址替换所述地址。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述外围电路系统进一步经配置以：响应于生成所述第二信号，将与所述字线相关联的地址存储在所述设备的寄存器中；及响应于执行包含所述地址的存取命令，确定所述设备的错误检查及校正ECC引擎是否检测到与所述地址相关联的数据中的至少一个错误。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述外围电路系统...
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