用于阈值电压变动系统及方法的存储器循环跟踪技术方案

本申请案涉及用于阈值电压变动系统及方法的存储器循环跟踪。存储器系统可包含用于存储逻辑数据的多个存储器单元及用于跟踪与所述存储器单元相关联的循环数目的循环跟踪电路系统。所述循环可表示所述存储器单元的一或多个过去存取。所述存储器系统还可包含用于存取所述存储器单元的控制电路系统。对所述存储器单元的存取可包含读取操作、写入操作或两者。在所述存储器单元的所述存取期间，所述控制电路系统可至少部分基于所述被跟踪循环数目确定所述存取的电压参数。目确定所述存取的电压参数。目确定所述存取的电压参数。

【技术实现步骤摘要】
用于阈值电压变动系统及方法的存储器循环跟踪


[0001]本申请案涉及存储器领域，且特定来说，涉及用于阈值电压变动系统及方法的存储器循环跟踪。

技术介绍

[0002]本段落希望向读者介绍可能与下文描述及/或主张的本技术的各个方面有关的领域的各个方面。据信，此论述有助于向读者提供背景信息以有利于更好地理解本公开的各个方面。因此，应理解，这些陈述应从这个角度阅读且不应被认为是对现有技术的承认。
[0003]通常，计算系统包含例如一或多个处理器或其它合适组件的处理电路系统及例如芯片或集成电路的存储器装置。一或多个存储器装置可在例如双列直插式存储器模块(DIMM)的存储器模块上用于存储处理电路系统可存取的数据。举例来说，基于到计算系统的用户输入，处理电路系统可请求存储器模块从其存储器装置检索对应于用户输入的数据。在一些例子中，检索到的数据可包含固件或可由处理电路系统执行以执行操作的指令及/或可包含将用作用于操作的输入的数据。另外，在一些情况中，从操作输出的数据可经存储于存储器中，例如以实现数据从存储器的随后检索。
[0004]一些存储器装置包含存储器单元，其可通过接通耦合存储器单元(例如电容器)与字线或位线的晶体管来存取。相比之下，阈值型存储器装置包含通过提供跨存储器单元的电压来存取的存储器装置，其中数据值基于存储器单元的阈值电压进行存储。举例来说，数据值可基于是否超过存储器单元的阈值电压，且响应于跨存储器单元提供的感测电压，存储器单元传导电流，所述电流可经测量以确定存储器单元的逻辑状态。所存储的数据值可例如通过施加足以改变存储器单元的物理/电性质的电压(例如，处于或高于对应于所期望状态的阈值)来改变。阈值型存储器单元的实例可包含(但不限于)交叉点存储器单元及硫属化物存储器单元(例如相变存储器(PCM)、可编程金属化单元(PMC)存储器等)。
[0005]关于阈值型存储器，存储器单元的阈值电压可能取决于存储器单元经历了多少个循环(例如读取及/或写入操作)在存储器单元的寿命内发生变化。因而，可期望跟踪阈值电压的移位及/或存储器单元循环数目的方法。

技术实现思路

[0006]一方面，本申请案涉及一种系统，其包括：多个存储器单元，其经配置以存储逻辑数据；循环跟踪电路系统，其经配置以跟踪与所述多个存储器单元中的存储器单元相关联的循环数目，其中所述循环表示所述存储器单元的一或多个过去存取；及控制电路系统，其经配置以存取所述存储器单元，其中所述存储器单元的所述存取包括所述存储器单元的读取操作、到所述存储器单元的写入操作或两者，其中所述控制电路系统经配置以至少部分基于所述存储器单元的所述被跟踪循环数目确定所述存储器单元的所述存取的电压参数。
[0007]在另一方面中，本申请案涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括与多个存储器单元相关联的多个存储器地址；多个影子寄存器，其经配置以定义所述存储器阵
列的多个存储器块，其中所述多个存储器块中的每一存储器块包括所述多个存储器地址的存储器地址的子集；及多个循环计数寄存器，其中所述多个循环计数寄存器中的循环计数寄存器对应于所述多个影子寄存器中的影子寄存器，其中所述影子寄存器经配置以定义所述多个存储器块中的存储器块，其中所述循环计数寄存器经配置以维持对应于对所述存储器块的存储器单元执行的先前操作的数目的循环计数值。
[0008]在另一方面中，本申请案涉及一种方法，其包括：接收写入请求；响应于接收到所述写入请求，将数据写入到存储器装置的多个存储器单元；将所述多个存储器单元指派到存储器块；跟踪所述存储器块的循环计数值，其中所述循环计数值包括对所述存储器块的所述多个存储器单元执行的操作数目的指示；及存取所述存储器块的存储器单元，其中存取所述存储器块包括：至少部分基于所述循环计数值确定所述存储器单元的选择电压；至少部分基于所述循环计数值确定所述存储器单元的读取感测电压；或两者。
附图说明
[0009]在阅读以下详细描述且参考图式之后，就可更好地理解本公开的各个方面，其中：
[0010]图1是根据实施例的存储器装置的部分的框图；
[0011]图2是根据实施例的图1的存储器装置的部分的图；
[0012]图3是根据实施例的随着循环计数增加的阈值电压的曲线图；
[0013]图4是根据实施例的与设置及复位电压分布相关的实例感测电压的曲线图；
[0014]图5是根据实施例的存储器阵列中的实例存储器块指派的框图；
[0015]图6是根据实施例的计数跟踪电路系统的框图；
[0016]图7是根据实施例的用于指派循环计数寄存器保持跟踪一组存储器单元的循环计数、更新循环计数寄存器及利用被跟踪循环计数的实例过程的流程图；及
[0017]图8是根据实施例的在读取及/或写入操作中应用图6的循环跟踪电路系统的图1的存储器装置的部分的示意图。
具体实施方式
[0018]当引入本公开的各种实施例的元件时，冠词“一(a/an)”及“所述(the/said)”希望意味着存在元件中的一或多者。术语“包括”、“包含”及“具有”希望是包含性的且意味着除所列元件之外还可能存在额外元件。下文将描述本文中描述的本实施例的一或多个特定实施例。为了提供这些实施例的简洁描述，说明书中可能未描述实际实施方案的所有特征。应了解，在任何此实际实施方案的开发中，如在任何工程或设计项目中，必须作出众多实施方案特定决策以实现开发者的特定目标，例如遵守系统相关及商业相关约束，其可因实施方案而异。此外，应了解，此开发努力可能是复杂且耗时的，但对于受益于本公开的所属领域的一般技术人员，这仍是设计及制造(fabrication/manufacture)的例行任务。
[0019]存储器通常包含存储器单元阵列，其中每一存储器单元耦合到至少两个存取线。举例来说，存储器单元可经耦合到位线及字线。因而，每一存取线可经耦合到大量存储器单元。为了选择存储器单元，与存储器单元的第一存取线相关联的解码器电路及与存储器单元的第二存取线相关联的解码器电路两者都可在相应存取线上提供电压及/或电流。通过将电压/电流施加到相应存取线，可存取存储器单元例如以将数据写入到存储器单元及/或
从存储器单元读取数据。
[0020]在一些实施例中，阈值型存储器可利用基于外加阈值电压改变性质的材料(例如硫属化物玻璃)。换句话说，阈值型存储器装置材料可通过施加特定电压来“设置”或“复位”。在一些实施例中，相变存储器(PCM)可通过更改存储器材料的状态来存储数据值。举例来说，存储器单元的设置可将相变材料置于第一状态(例如晶态)，且存储器单元的复位可将相变材料置于另一状态(例如非晶态)。如应了解，设置及复位的定义可因惯例而异。此外，状态的改变可对应于存储器单元的电性质(例如电阻率)的变化。存储器单元的当前状态且因此存储器单元的数据值(例如逻辑值，例如“0”或“1”)可通过跨存储器单元施加感测电压来确定。呈其相应状态的相变材料的不同电性质可响应于外加电压产生跨存储器单元的不同电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：多个存储器单元，其经配置以存储逻辑数据；循环跟踪电路系统，其经配置以跟踪与所述多个存储器单元中的存储器单元相关联的循环数目，其中所述循环表示所述存储器单元的一或多个过去存取；及控制电路系统，其经配置以存取所述存储器单元，其中所述存储器单元的所述存取包括所述存储器单元的读取操作、到所述存储器单元的写入操作或两者，其中所述控制电路系统经配置以至少部分基于所述存储器单元的所述被跟踪循环数目确定所述存储器单元的所述存取的电压参数。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个存储器单元包括多个硫属化物存储器单元。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述循环跟踪电路系统包括：循环计数寄存器，其经配置以存储表示所述存储器单元的所述被跟踪循环数目的循环计数值；及循环计数触发器电路系统，其经配置以响应于所述存储器单元的所述一或多个过去存取及所述存储器单元的所述存取更新所述循环计数寄存器的所述循环计数值。4.根据权利要求3所述的系统，其中所述循环跟踪电路系统与所述多个存储器单元一起安置于裸片上。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述循环跟踪电路系统包括多个影子寄存器，所述多个影子寄存器经配置以定义所述多个存储器单元的多个存储器块，其中所述多个存储器块中的存储器块包括对应于所述多个存储器单元的一组相应存储器单元的一组连续存储器地址。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述多个影子寄存器中的影子寄存器至少部分基于存储于所述影子寄存器中的起始地址及存储于所述影子寄存器中的结束地址定义所述存储器块。7.根据权利要求6所述的系统，其中所述存储器块包括所述存储器单元，且其中所述循环跟踪电路系统包括循环计数寄存器，所述循环计数寄存器与所述影子寄存器相关联且经配置以存储表示所述存储器单元的所述被跟踪循环数目的循环计数值，其中响应于读取请求或写入请求，所述控制电路系统经配置以引用所述影子寄存器来存取所述循环计数寄存器的所述循环计数值。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制电路系统经配置以至少部分基于所述存储器单元的所述被跟踪循环数目确定用于所述存储器单元的读取的感测电压或所述存储器单元的选择电压。9.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制电路系统经配置以至少部分基于所述存储器单元的所述被跟踪循环数目确定所述存储器单元的编程电流。10.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括与多个存储器单元相关联的多个存储器地址；多个影子寄存器，其经配置以定义所述存储器阵列的多个存储器块，其中所述多个存储器块中的每一存储器块包括所述多个存储器地址的存储器地址的子集；及多个循环计数寄存器，其中所述多个循环计数寄存器中的循环计数寄存器对应于所述
多个影子寄存器中的影子寄存器，其中所述影子寄存器经配置以定义所述多个存储器块中的存储器块，其中所述循环计数寄存器经配置以维持对应于对所述存储器块的存储器单元执行的先前操作的数目的循环计数值。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其包括控制电路系统，所述控制电路系统经配置以响应于存取所述存储器单元的请求至少部分基于所述循...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：