一种中心环、输送结构以及半导体设备制造技术

本发明专利技术公开了一种中心环、输送结构以及半导体设备，中心环的外环端表面设置有第一密封槽，用于安装第一O型密封圈，且中心环内分布有真空空腔。将该中心环安装在输送结构中第一管道和第二管道之间的连接端口处，能够有效地避免输送的流体在流经管道连接部分时发生温度变化，有利于保持所输送的流体的温度。进一步，将该输送结构应用于半导体设备，作为半导体设备的废气排放管道，能够有效地抑制高温废气在管道连接处由于热损形成粉末导致管道堵塞。管道连接处由于热损形成粉末导致管道堵塞。管道连接处由于热损形成粉末导致管道堵塞。

【技术实现步骤摘要】
一种中心环、输送结构以及半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种中心环、输送结构以及半导体设备。

技术介绍

[0002]半导体制造设备是影响半导体产品质量以及生产效率的关键。某些半导体制造设备如膜层沉积设备，在半导体制造过程中，会产生大量的工艺废气，这些废气未经有效的处理排入室外会造成大气污染。因此，需要通过排气管道排放到专门的废气处理系统进行处理。在废气排放过程中，随着高温废气在管道内的流通，温度会慢慢降低，这样会导致废气中的粉末附着在管道内，不仅容易堵塞管道，也会影响管道的使用寿命。
[0003]目前，通常采用在排气管道外围包覆加热套(Heating Jacket)的方式，来使得排气管道保持一定的温度，从而抑制由上述温差导致的粉末附着。然而，排气管道通常是由多根真空管连接而成的，由于管道的连接处，无法安装加热套，这就使得废气在该处容易发生热损，导致粉末附着，从而堵塞管道，影响管道的使用寿命。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种中心环、输送结构以及半导体设备，能够有效地抑制管道连接处的热损，有利于保持半导体设备排气管道的畅通，且延长管道的使用寿命。
[0005]第一方面，本申请通过本申请的一实施例提供了如下技术方案：
[0006]一种中心环，用于安装在第一管道和第二管道之间的连接端口处。所述中心环的外环端表面设置有第一密封槽，用于安装第一O型密封圈；所述中心环内分布有真空空腔。
[0007]进一步地，所述真空空腔的体积占所述中心环体积的15％～85％。
[0008]进一步地，所述真空空腔为沿所述中心环的环向分布的环形真空空腔。
[0009]进一步地，所述中心环的内环端分别朝两侧形成有第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部用于与所述第一管道的内壁配合，所述第二延伸部用于与所述第二管道的内壁配合。所述第一延伸部和所述第二延伸部均设置有第二密封槽，用于分别在所述第一管道内壁与所述第一延伸部之间、所述第二管道内壁与所述第二延伸部之间插入第二O型密封圈。
[0010]进一步地，当所述中心环处于安装状态时，所述第一延伸部嵌入所述第一管道的内壁，所述第二延伸部嵌入所述第二管道的内壁，所述中心环的内环端面与所述第一管道的内壁以及所述第二管道的内壁对齐。
[0011]进一步地，当所述中心环处于安装状态时，所述第一延伸部突出于所述第一管道的内壁，并朝着所述第一管道的长度方向延伸，所述第二延伸部突出于所述第二管道的内壁，并朝着所述第二管道的长度方向延伸。
[0012]进一步地，所述中心环的材质为不锈钢、铝、钛或聚四氟乙烯。
[0013]第二方面，本申请通过本申请的一实施例，还提供了一种输送结构，包括：第一管道、第二管道、连接件、第一O型密封圈以及上述第一方面所述的中心环，所述第一管道与所
述第二管道通过所述中心环、所述第一O型密封圈以及所述连接件连通。所述中心环安装在所述第一管道与所述第二管道之间的连接端口处，所述第一O型密封圈套设在所述中心环外环端表面设置的第一密封槽内。
[0014]进一步地，所述中心环的内环端分别朝两侧形成有第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部与所述第一管道的内壁配合，所述第二延伸部与所述第二管道的内壁配合，且所述第一延伸部和所述第二延伸部均设置有第二密封槽。所述输送结构还包括第二O型密封圈，所述第二O型密封圈套设在所述第二密封槽内，且分别位于所述第一管道内壁与所述第一延伸部之间、以及所述第二管道内壁与所述第二延伸部之间。
[0015]第三方面，本申请通过本申请的一实施例，还提供了一种半导体设备，包括：半导体工艺腔以及上述第二方面所述的输送结构。所述半导体工艺腔与所述输送结构中的第一管道或第二管道连通，所述第一管道以及所述第二管道均为真空管。
[0016]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0017]本申请实施例提供的中心环，能够作为O型密封圈的支架，安装在半导体设备排气管道的连接处，此时，通过中心环内分布的真空空腔，能够达到隔热效果，有效地降低排气管道内输送的废气在管道连接处的热损失，从而抑制废气遇冷形成粉末附着在管道连接处，有利于保持半导体设备排气管道的畅通，且延长管道的使用寿命。基于此，本申请实施例提供的安装有上述中心环的输送结构，无需另外在管道连接处投入保温材料，能够方便且有效地降低管道连接处的热损失。进一步，将该输送结构应用于半导体设备，能够有效地减少废气遇冷形成的粉末附着，从而延长管道的清理周期，降低设备的非周期性停工(down)率，增加设备运转效率，节省设备维度费用。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1示出了本说明书实施例提供的输送结构的第一种示例性管道连接部分示意图；
[0020]图2示出了本说明书实施例提供的输送结构的第二种示例性管道连接部分示意图；
[0021]图3示出了本说明书实施例提供的输送结构的第三种示例性管道连接部分示意图；
[0022]图4示出了本说明书实施例提供的半导体设备的连接结构示意图。
具体实施方式
[0023]以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0024]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制
的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0025]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。术语“多个”包括两个或大于两个的情况。
[0026]第一方面，本说明书一实施例提供了一种输送结构，用于输送流体如气体或液体。如图1所示，该输送结构包括第一管道11、第二管道12、中心环13、第一O型密封圈14以及连接件(图中未示出)。第一管道11与第二管道22通过中心环13、第一O型密封圈14以及连接件连接并连通。可以理解的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中心环，其特征在于，用于安装在第一管道和第二管道之间的连接端口处，所述中心环的外环端表面设置有第一密封槽，用于安装第一O型密封圈；所述中心环内分布有真空空腔。2.如权利要求1所述的中心环，其特征在于，所述真空空腔的体积占所述中心环体积的15％～85％。3.如权利要求1所述的中心环，其特征在于，所述真空空腔为沿所述中心环的环向分布的环形真空空腔。4.如权利要求1所述的中心环，其特征在于，所述中心环的内环端分别朝两侧形成有第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部用于与所述第一管道的内壁配合，所述第二延伸部用于与所述第二管道的内壁配合，所述第一延伸部和所述第二延伸部均设置有第二密封槽，用于分别在所述第一管道内壁与所述第一延伸部之间、所述第二管道内壁与所述第二延伸部之间插入第二O型密封圈。5.如权利要求4所述的中心环，其特征在于，当所述中心环处于安装状态时，所述第一延伸部嵌入所述第一管道的内壁，所述第二延伸部嵌入所述第二管道的内壁，所述中心环的内环端面与所述第一管道的内壁以及所述第二管道的内壁对齐。6.如权利要求4所述的中心环，其特征在于，当所述中心环处于安装状态时，所述第一延伸部突出于所述第一管道的内壁，并朝着所述第一管道的长度方向延伸，所述第二延伸部...

【专利技术属性】
技术研发人员：边大一，白国斌，高建峰，王桂磊，田光辉，丁云凌，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：