一种中心环、输送结构以及半导体设备制造技术

本发明专利技术公开了一种中心环、输送结构以及半导体设备，中心环的外环端表面设置有第一密封槽，用于安装第一O型密封圈，且中心环内分布有真空空腔。将该中心环安装在输送结构中第一管道和第二管道之间的连接端口处，能够有效地避免输送的流体在流经管道连接部分时发生温度变化，有利于保持所输送的流体的温度。进一步，将该输送结构应用于半导体设备，作为半导体设备的废气排放管道，能够有效地抑制高温废气在管道连接处由于热损形成粉末导致管道堵塞。管道连接处由于热损形成粉末导致管道堵塞。管道连接处由于热损形成粉末导致管道堵塞。

【技术实现步骤摘要】
一种中心环、输送结构以及半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种中心环、输送结构以及半导体设备。

技术介绍

[0002]半导体制造设备是影响半导体产品质量以及生产效率的关键。某些半导体制造设备如膜层沉积设备，在半导体制造过程中，会产生大量的工艺废气，这些废气未经有效的处理排入室外会造成大气污染。因此，需要通过排气管道排放到专门的废气处理系统进行处理。在废气排放过程中，随着高温废气在管道内的流通，温度会慢慢降低，这样会导致废气中的粉末附着在管道内，不仅容易堵塞管道，也会影响管道的使用寿命。
[0003]目前，通常采用在排气管道外围包覆加热套(Heating Jacket)的方式，来使得排气管道保持一定的温度，从而抑制由上述温差导致的粉末附着。然而，排气管道通常是由多根真空管连接而成的，由于管道的连接处，无法安装加热套，这就使得废气在该处容易发生热损，导致粉末附着，从而堵塞管道，影响管道的使用寿命。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种中心环、输送结构以及半导体设备，能够有效地抑制管道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中心环，其特征在于，用于安装在第一管道和第二管道之间的连接端口处，所述中心环的外环端表面设置有第一密封槽，用于安装第一O型密封圈；所述中心环内分布有真空空腔。2.如权利要求1所述的中心环，其特征在于，所述真空空腔的体积占所述中心环体积的15％～85％。3.如权利要求1所述的中心环，其特征在于，所述真空空腔为沿所述中心环的环向分布的环形真空空腔。4.如权利要求1所述的中心环，其特征在于，所述中心环的内环端分别朝两侧形成有第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部用于与所述第一管道的内壁配合，所述第二延伸部用于与所述第二管道的内壁配合，所述第一延伸部和所述第二延伸部均设置有第二密封槽，用于分别在所述第一管道内壁与所述第一延伸部之间、所述第二管道内壁与所述第二延伸部之间插入第二O型密封圈。5.如权利要求4所述的中心环，其特征在于，当所述中心环处于安装状态时，所述第一延伸部嵌入所述第一管道的内壁，所述第二延伸部嵌入所述第二管道的内壁，所述中心环的内环端面与所述第一管道的内壁以及所述第二管道的内壁对齐。6.如权利要求4所述的中心环，其特征在于，当所述中心环处于安装状态时，所述第一延伸部突出于所述第一管道的内壁，并朝着所述第一管道的长度方向延伸，所述第二延伸部...

【专利技术属性】
技术研发人员：边大一，白国斌，高建峰，王桂磊，田光辉，丁云凌，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：