一种清洗装置、清洗系统及清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种清洗装置、清洗系统及清洗方法，涉及化学机械抛光技术领域，在精确控制清洗装置所包括的清洗刷组件作用在晶圆不同待清洗区域上的清洗压力的情况下，降低对晶圆表面的欠清洗和/或过清洗的风险。该清洗装置应用于化学机械抛光后的晶圆的清洗，晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同。清洗装置包括供液单元、供液管路和清洗刷组件。供液单元通过供液管路向清洗刷组件供应清洗液。清洗刷组件具有至少两个清洗区域，一个清洗区域对应一个待清洗区域。供液管路向至少两个清洗区域提供不同的清洗力。本发明专利技术还提供一种清洗系统及清洗方法。本发明专利技术还提供一种清洗系统及清洗方法。本发明专利技术还提供一种清洗系统及清洗方法。

【技术实现步骤摘要】
一种清洗装置、清洗系统及清洗方法


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光
，特别是涉及一种清洗装置、清洗系统及清洗方法。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，缩写为CMP)是一种表面全局平坦化技术。随着化学机械抛光在半导体器件制造过程中的广泛应用，例如，形成层间介质层(ILD)后的CMP、形成金属塞后的CMP、形成金属互连线后的CMP。CMP后的清洗变得尤为重要。
[0003]CMP后的清洗的主要目的是去除CMP工艺中带来的杂质，如磨料颗粒、被抛光材料带来的颗粒以及磨料带来的化学玷污物等。
[0004]相关技术提供的清洗方式一般包括毛刷清洗、酸性喷淋清洗、兆声波清洗等。毛刷清洗相对于其他清洗方式因具有去除杂质的能力强、效率高而被广泛应用。
[0005]但是，采用相关技术提供的毛刷清洗装置对晶圆的表面进行清洗时，存在欠清洗和/或过清洗的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种清洗装置、清洗系统及清洗方法，在精确控制清洗装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗装置，其特征在于，应用于晶圆抛光后的清洗，所述晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同；所述清洗装置包括供液单元、供液管路和清洗刷组件；所述供液单元通过所述供液管路向所述清洗刷组件供应清洗液；所述清洗刷组件具有至少两个清洗区域，一个所述清洗区域对应一个所述待清洗区域；所述供液管路向至少两个所述清洗区域提供不同的清洗力，以使得通过所述清洗区域作用在所述待清洗区域上的清洗压力不同。2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述供液管路包括与所述供液单元连通的供液主路，以及与所述供液主路连通的至少两个供液支路；至少一个所述供液支路对应为一个所述清洗区域提供所述清洗液。3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，每一个所述供液支路上均具有至少一个流量控制阀。4.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗刷组件包括旋转轴以及套设在所述旋转轴上的刷头；所述旋转轴具有沿所述旋转轴的轴向开设的通道，以及沿所述旋转轴的径向开设的喷射口；所述喷射口与所述通道连通；至少所述供液管路所包括的所述供液支路设置在所述通道内。5.一种清洗系统，其特征在于，包括：通信单元，用于获取晶圆表面的杂质分布特性信息；处理单元，所述处理单元与所述通信单元通信连接；所述处理单元根据所述晶圆表面的杂质分布特性信息确定晶圆表面的待清洗区域，以及所述待清洗区域所需的清洗压力控制信号；以及权利要求1至4任一项所述的清...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰源，张月，杨涛，卢一泓，刘青，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：