一种晶圆注入真空升温模块制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶圆注入真空升温模块，其适用于对经过超低温离子加工或超低温离子注入的晶圆进行升温，晶圆注入真空升温模块包括温度控制器以及升温装置，温度控制器用于升温的速度和温度上限，升温装置与温度控制器相连，升温装置与低温晶圆相关联；升温装置上固定设置有晶圆固持部，晶圆固持部对每一个晶圆实现单独升温。本实用新型专利技术在每片晶圆完成注入后立即进行升温，使每片晶圆在升温过程中处于超低温的时间为例如三至五分钟，相比现有技术明显缩短，晶圆处于超低温的时间越短则越不易有杂质附着，从而极大程度上避免了对离子注入之后晶圆造成缺陷。入之后晶圆造成缺陷。入之后晶圆造成缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆注入真空升温模块


[0001]本技术属于半导体制造加工领域，涉及一种晶圆注入真空升温模块，其为一种适用于超低温晶圆注入平台的真空升温模块，其适用于离子注入设备。

技术介绍

[0002]半导体器件制造工艺中，目前离子注入常采用常温离子注入技术，注入时的环境温度一般为20℃左右，常温离子注入不能在晶圆表面很好的形成所需要的非晶层。因此常温离子注入只能用于65nm 之上的半导体制程，这对于高速器件和高精度运算器件而言，显然是不够的。根据工艺研究和理论实践可知，采用超低温离子注入能够明显提升注入效果，进一步缩小半导体工艺制程。更甚者，采用超低温离子注入工艺能够提升半导体工艺的注入精度和注入准确性。
[0003]目前多家研究机构投入大量人力物力来研究低温晶圆离子注入工艺，目前现有低温离子注入的工艺是：将常温常压下的晶圆移送到低温环境下进行降温和完成离子注入制作，离子注入制作完成之后移出离子注入环境。该完成离子注入的晶圆在移出离子注入环境时，经常承受温度的变化，也就是从低温环境到常温环境的变化，这种温度变化经常给晶圆造成一定的损伤。尤其是采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆注入真空升温模块，其特征在于，其为一种适用于超低温晶圆注入平台的真空升温模块，其用于对经过超低温离子加工或超低温离子注入的晶圆进行升温，晶圆注入真空升温模块包括温度控制器和升温装置，温度控制器用于升温的速度和温度上限，升温装置与温度控制器相连，升温装置与低温晶圆相关联；升温装置上固定设置有晶圆固持部，晶圆固持部对每一个晶圆实现单独升温。2.根据权利要求1所述的晶圆注入真空升温模块，其特征在于，温度控制器具备内锁装置，所述内锁装置具有温度锁定和调制的内锁功能。3.根据权利要求2所述的晶圆注入真空升温模块，其特征在于，晶圆固持部对超低温注入完的晶圆单片升温到室温。4.根据权利要求2所述的晶圆注入真空升温模块，其特征在于，晶圆固持部为静电吸盘。5.根据权利要求2所述的晶圆注入真空升温模块，其特征在于，升温装置紧贴晶圆固持部，升温装置与其连接的晶圆固持部之间采用接触式的热传导或辐射传热方式升温。6.根据权利要求5所述的晶圆注入真空升温...

【专利技术属性】
技术研发人员：康劲，刘金涛，关天祺，王振辉，夏世伟，沈斌，卢合强，高国珺，贾礼宾，张劲，肖嘉星，王亚，张晓伟，查泽奇，
申请(专利权)人：北京凯世通半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：