硅片氧化膜成型设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅片氧化膜成型设备，包括氧化腔、隔板、加热单元和通氧管，所述氧化腔内设有传输轨道，所述传输轨道自所述氧化腔的输入端延伸至其输出端；至少一个所述隔板将所述氧化腔间隔形成至少两个氧化腔单元；所述加热单元设置在所述氧化腔单元内；所述通氧管设置在所述氧化腔单元内，所述通氧管的表面具有通氧孔。本实用新型专利技术通过设置在所述氧化腔内的传输轨道使硅片能够持续传递，以实现能够硅片能够批量化进行氧化膜形成的目的，通过所述隔板将所述氧化腔分隔成多个所述氧化腔单元，使单一的所述氧化腔单元的容积更小，氧气扩散至整个所述氧化腔单元内的速度更快，氧化的均匀性更好。匀性更好。匀性更好。

【技术实现步骤摘要】
硅片氧化膜成型设备


[0001]本技术涉及重掺保护
，尤其是指一种硅片氧化膜成型设备。

技术介绍

[0002]在SE(Selective Emitter选择性发射极)太阳能电池制造过程中，利用激光的高温高能对硅片设计图形部位进行重掺杂，重掺过程中图形区域PSG(磷硅玻璃)会被破坏，若重掺区无保护后续碱抛处理时激光重掺区域会被腐蚀。为了避免这种情况，目前主要通过管式氧化炉或者常温臭氧喷淋方式对重掺区域进行保护。
[0003]所谓管式氧化炉即将预定数目的硅片放入篮内后推入管状氧化炉，随后将氧气通入氧化炉，待反应完成后硅片的表面形成氧化膜再将篮子取出，取出篮内的硅片再对下一批硅片进行保护操作。该种在硅片表面形成氧化膜的方式一方面需要多种配套设备，无法实现连续生产，导致产量低，且该种工艺较为复杂，另一方面，硅片形成的氧化膜容易受管内气流分布均匀性影响，氧化膜的厚度差异较大，通常会出现中间区域较薄四边区域较厚的现象。
[0004]所谓臭氧喷淋的方式即将硅片放置于传动锟上，将臭氧溶于水后喷淋至传动锟上的硅片表面，臭氧接触到硅片时即形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：包括，氧化腔，所述氧化腔内设有传输轨道，所述传输轨道自所述氧化腔的输入端延伸至其输出端；隔板，至少一个所述隔板将所述氧化腔间隔形成至少两个氧化腔单元；加热单元，所述加热单元设置在所述氧化腔单元内；通氧管，所述通氧管设置在所述氧化腔单元内，所述通氧管的表面具有通氧孔；硅片通过所述传输轨道依次输入所述氧化腔单元内，经所述通氧孔释放的氧气和所述加热单元释放的热量反应至其表面形成氧化膜后输出。2.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：至少两个所述通氧管设置在所述氧化腔单元沿硅片传输方向的不同侧，所述通氧管的延伸端延伸至所述氧化腔单元内且其延伸端封闭。3.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：多个所述通氧孔绕所述通氧管圆周分布。4.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：所述加热单元包括红外灯管，多个所述红外灯管位于所述氧化腔单元内的底部。5.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：所述隔板包括隔热层和封尘层，所述封尘层与所述隔热层连接且位于所述隔热层朝向所述氧化腔单元的两侧。6.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：所述传输轨道包括传动轴和驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：金津，戴军，吴廷斌，杨欣，赵东旭，
申请(专利权)人：元能微电子科技南通有限公司，
类型：新型
国别省市：