硅片氧化膜成型设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅片氧化膜成型设备，包括氧化腔、隔板、加热单元和通氧管，所述氧化腔内设有传输轨道，所述传输轨道自所述氧化腔的输入端延伸至其输出端；至少一个所述隔板将所述氧化腔间隔形成至少两个氧化腔单元；所述加热单元设置在所述氧化腔单元内；所述通氧管设置在所述氧化腔单元内，所述通氧管的表面具有通氧孔。本实用新型专利技术通过设置在所述氧化腔内的传输轨道使硅片能够持续传递，以实现能够硅片能够批量化进行氧化膜形成的目的，通过所述隔板将所述氧化腔分隔成多个所述氧化腔单元，使单一的所述氧化腔单元的容积更小，氧气扩散至整个所述氧化腔单元内的速度更快，氧化的均匀性更好。匀性更好。匀性更好。

【技术实现步骤摘要】
硅片氧化膜成型设备


[0001]本技术涉及重掺保护
，尤其是指一种硅片氧化膜成型设备。

技术介绍

[0002]在SE(Selective Emitter选择性发射极)太阳能电池制造过程中，利用激光的高温高能对硅片设计图形部位进行重掺杂，重掺过程中图形区域PSG(磷硅玻璃)会被破坏，若重掺区无保护后续碱抛处理时激光重掺区域会被腐蚀。为了避免这种情况，目前主要通过管式氧化炉或者常温臭氧喷淋方式对重掺区域进行保护。
[0003]所谓管式氧化炉即将预定数目的硅片放入篮内后推入管状氧化炉，随后将氧气通入氧化炉，待反应完成后硅片的表面形成氧化膜再将篮子取出，取出篮内的硅片再对下一批硅片进行保护操作。该种在硅片表面形成氧化膜的方式一方面需要多种配套设备，无法实现连续生产，导致产量低，且该种工艺较为复杂，另一方面，硅片形成的氧化膜容易受管内气流分布均匀性影响，氧化膜的厚度差异较大，通常会出现中间区域较薄四边区域较厚的现象。
[0004]所谓臭氧喷淋的方式即将硅片放置于传动锟上，将臭氧溶于水后喷淋至传动锟上的硅片表面，臭氧接触到硅片时即形成氧化膜。然而该种方式虽然可以进行形成氧化膜，但是形成的氧化膜致密性较差，碱抛过程中重掺区域还是会出现一定程度的破坏，影响太阳能电池转换效率，而且均匀性也不是很好，同时由于臭氧是毒性气体，对于操作人员的安全存在一定的隐患。

技术实现思路

[0005]为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中硅片的氧化膜或是产量低、厚度差异大，或是致密性差的技术问题，提供一种硅片氧化膜成型设备。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供了一种硅片氧化膜成型设备，包括：
[0007]氧化腔，所述氧化腔内设有传输轨道，所述传输轨道自所述氧化腔的输入端延伸至其输出端；
[0008]隔板，至少一个所述隔板将所述氧化腔间隔形成至少两个氧化腔单元；
[0009]加热单元，所述加热单元设置在所述氧化腔单元内；
[0010]通氧管，所述通氧管设置在所述氧化腔单元内，所述通氧管的表面具有通氧孔；
[0011]硅片通过所述传输轨道输入所述氧化腔内，经所述通氧孔释放的氧气和所述加热单元释放的热量反应至表面形成氧化膜后输出所述氧化腔。
[0012]在本技术的一个实施例中，至少两个所述通氧管设置在所述氧化腔单元沿硅片传输方向的不同侧，所述通氧管的延伸端延伸至所述氧化腔单元内且其延伸端封闭。
[0013]在本技术的一个实施例中，多个所述通氧孔绕所述通氧管圆周分布。
[0014]在本技术的一个实施例中，所述加热单元包括红外灯管，多个所述红外灯管位于所述氧化腔单元内的底部。
[0015]在本技术的一个实施例中，所述隔板包括隔热层和封尘层，所述封尘层与所述隔热层连接且位于所述隔热层朝向所述氧化腔单元的两侧。
[0016]在本技术的一个实施例中，所述传输轨道包括传动轴和驱动单元，多个所述传动轴依次设置且均与所述驱动单元连接，位于每个所述氧化腔单元内的传动轴的轨道数量为5
‑
10个。
[0017]在本技术的一个实施例中，所述氧化腔包括传输封闭部、侧封闭部和上下封闭部，所述传输封闭部位于所述传输轨道的输入端和输出端且具有供硅片穿过的通槽，所述侧封闭部位于所述传输轨道的两侧，所述上下封闭部位于所述传输轨道的上方和下方，所述传输封闭部、侧封闭部和上封闭件相互连接形成腔体。
[0018]在本技术的一个实施例中，所述侧封闭部包括隔热件和支撑件，所述隔热件与所述支撑件连接，且所述隔热件位于靠近所述氧化腔单元一侧。
[0019]在本技术的一个实施例中，所述上下封闭部包括上封闭件和下封闭件，所述上封闭件、下封闭件分别位于所述传输轨道的上方和下方，所述上封闭件与所述传输封闭部和侧封闭部均活动连接。
[0020]在本技术的一个实施例中，还包括预热腔和冷却腔，所述预热腔和冷却腔均与所述氧化腔连通且通过所述隔板间隔，所述预热腔位于所述氧化腔的输入端，所述冷却腔位于所述氧化腔的输出端。
[0021]本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0022]本技术所述的硅片氧化膜成型设备，通过设置在所述氧化腔内的传输轨道使硅片能够持续传递，以实现能够硅片能够批量化进行氧化膜形成的目的，同时，加热单元满足氧化膜形成的高温必要条件，通氧管满足氧化膜形成的氧气必要条件，由于硅片通过所述传输轨道定速传送，停留在每个所述氧化腔单元的时间为定值，本技术通过所述隔板将所述氧化腔分隔成多个所述氧化腔单元，使单一的所述氧化腔单元的容积更小，氧气扩散至整个所述氧化腔单元内的速度更快，氧化的均匀性更好。
附图说明
[0023]为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中
[0024]图1是本技术中硅片氧化膜成型设备的结构示意图。
[0025]图2是如图1所示硅片氧化膜成型设备的部分结构示意图。
[0026]图3是如图1所示硅片氧化膜成型设备的部分结构示意图。
[0027]说明书附图标记说明：1、氧化腔；101、传输封闭部；102、侧封闭部；1021、隔热件；1022、支撑件；103、上下封闭部；1031、上封闭件；1032、下封闭件；2、隔板；3、加热单元；4、通氧管；5、传输轨道；6、预热腔；7、冷却腔。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。
[0029]参照图1
‑
3所示，本技术的硅片氧化膜成型设备，包括氧化腔1、隔板2、加热单
元3和通氧管4，所述氧化腔1内设有传输轨道5，所述传输轨道5自所述氧化腔1的输入端延伸至其输出端；至少一个所述隔板2将所述氧化腔1间隔形成至少两个氧化腔单元；所述加热单元3设置在所述氧化腔单元内；所述通氧管4设置在所述氧化腔单元内，所述通氧管4的表面具有通氧孔；硅片通过所述传输轨道5依次输入所述氧化腔单元内，经所述通氧孔释放的氧气和所述加热单元3释放的热量反应至其表面形成氧化膜后输出。
[0030]本技术通过设置在所述氧化腔1内的传输轨道5使硅片能够持续传递，以实现能够硅片能够批量化进行氧化膜形成的目的，同时，加热单元3用于提供形成氧化膜需要的温度，通氧管4用于提供形成氧化膜需要的氧气，由于硅片通过所述传输轨道5传输时通常为定速传输，停留在每个所述氧化腔单元的时间为定值，本技术通过所述隔板2将所述氧化腔1分隔成多个所述氧化腔单元，使单一的所述氧化腔单元的容积更小，氧气扩散至整个所述氧化腔单元内的速度更快，氧化的均匀性更好。
[0031]具体地，本实施例中，至少两个所述通氧管4设置在所述氧化腔单元沿硅片传输方向的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：包括，氧化腔，所述氧化腔内设有传输轨道，所述传输轨道自所述氧化腔的输入端延伸至其输出端；隔板，至少一个所述隔板将所述氧化腔间隔形成至少两个氧化腔单元；加热单元，所述加热单元设置在所述氧化腔单元内；通氧管，所述通氧管设置在所述氧化腔单元内，所述通氧管的表面具有通氧孔；硅片通过所述传输轨道依次输入所述氧化腔单元内，经所述通氧孔释放的氧气和所述加热单元释放的热量反应至其表面形成氧化膜后输出。2.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：至少两个所述通氧管设置在所述氧化腔单元沿硅片传输方向的不同侧，所述通氧管的延伸端延伸至所述氧化腔单元内且其延伸端封闭。3.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：多个所述通氧孔绕所述通氧管圆周分布。4.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：所述加热单元包括红外灯管，多个所述红外灯管位于所述氧化腔单元内的底部。5.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：所述隔板包括隔热层和封尘层，所述封尘层与所述隔热层连接且位于所述隔热层朝向所述氧化腔单元的两侧。6.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备，其特征在于：所述传输轨道包括传动轴和驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：金津，戴军，吴廷斌，杨欣，赵东旭，
申请(专利权)人：元能微电子科技南通有限公司，
类型：新型
国别省市：