晶圆贴合膜及其制造方法技术

提供了晶圆贴合膜及其制造方法。所述晶圆贴合膜包括：基材膜；压感材料层，设置在所述基材膜上；粘合层，设置在所述压感材料层上；以及贴片膜，设置在所述粘合层上。所述制造晶圆贴合膜的方法，包括：制备基材膜；在所述基材膜上设置压感材料层；在所述压感材料层上设置粘合层；以及在所述粘合层上设置贴片膜。以及在所述粘合层上设置贴片膜。以及在所述粘合层上设置贴片膜。

【技术实现步骤摘要】
晶圆贴合膜及其制造方法


[0001]专利技术构思的示例性实施例涉及半导体封装领域，具体地讲，涉及一种晶圆贴合膜以及一种制造该晶圆贴合膜的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件的制造工艺包括将其上具有设计完成的多个器件电路图案的整体晶圆分割成单个晶片的划片工艺。晶圆贴合膜DAF(die attach film)是用于制造半导体芯片的材料。在划片工艺中，通常将晶圆贴合到DAF上，再将晶圆切割为单独的半导体芯片。
[0003]图1示出了根据现有技术的晶圆贴合膜。图2示出了根据现有技术的晶圆贴膜工艺。晶圆贴合膜可以由多个材料层形成。如图1所示，晶圆贴合膜10可以包括基材膜20、粘合层30和贴片膜40。如图2所示，在传统的封装过程中，在晶圆1被减薄之后，使用贴膜设备将晶圆贴合膜10贴合到晶圆1的背面。具体地，晶圆1的正面可以是形成有电路图案的表面。晶圆保护膜2贴合在晶圆1的正面以保护电路图案。当晶圆1放置在贴膜设备的台盘3上时，晶圆保护膜2可以位于晶圆1的形成有电路图案的表面与台盘3的上表面之间，从而保护电路图案避免受到磨损。晶圆贴合膜10中的贴片膜40的下表面贴合在晶圆1的背面。贴膜设备的压辊4接触晶圆贴合膜10中的基材膜20的上表面。压辊4在工作时沿着水平方向前进，同时沿着竖直方向对基材膜20施加压力。所述压力传递到贴片膜40与晶圆1的结合界面处，使晶圆贴合膜10紧密贴合在晶圆1上。
[0004]图3示出了根据现有技术的半导体封装结构。在完成图2中所示的晶圆贴膜工艺之后，可以执行划片工艺，即，可以对晶圆1进行切割以将其分割成多个彼此独立的小芯片。图3所示的半导体封装结构包括所述多个小芯片中的一个芯片11。接下来，可以通过芯片拾取设备将芯片11拾取并贴装到印刷电路板5上。在执行划片时，贴片膜40可以与晶圆1一起被分割成多个彼此独立的小块。在执行拾取时，一小块贴片膜41可以与粘合层30分离并粘附在芯片11的背面。然后，芯片11可以通过这一小块贴片膜41贴装在印刷电路板5上。
[0005]粘合层30通常是光敏材料，其具有较高的粘性以保证在切割晶圆1时芯片不会从基材膜20上掉落。在晶圆分割之后，可以使用紫外光(UV)进行照射，粘合层30的粘性大大降低，使得芯片拾取设备可以从基材膜20上拾取芯片11。如果芯片很小，也可以使用非光敏的粘合层。
[0006]在量产过程中，晶圆减薄和贴膜时可能会出现以下问题：
①
减薄设备异常，导致晶圆厚度出现异常，同一片晶圆上的不同区域处的厚度差异大，或者不同晶圆之间的厚度差异大；
②
贴膜设备的台盘的水平度、压辊的水平度异常，导致贴膜过程中晶圆所受的应力出现异常。当前的设备、材料和工艺无法及时反应出这些异常。
[0007]在该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对本专利技术构思的背景的理解，因此，以上信息可能包含不形成对于本领域技术人员来说在该国家已经知晓的现有技术的信息。

技术实现思路

[0008]专利技术构思的示例性实施例公开了一种能够在连续的量产过程中通过颜色的变化实时并直观地反映出设备的状态的晶圆贴合膜。专利技术构思的示例性实施例还公开了一种制造该晶圆贴合膜的方法。
[0009]根据专利技术构思的一方面，一种晶圆贴合膜包括基材膜；压感材料层，设置在所述基材膜上；粘合层，设置在所述压感材料层上；以及贴片膜，设置在所述粘合层上。
[0010]优选地，所述基材膜、所述压感材料层和所述粘合层可以均为圆形并且具有第一直径，所述贴片膜可以为圆形并且具有第二直径，所述第一直径可以大于所述第二直径。
[0011]优选地，所述压感材料层可以包括顺序地堆叠的至少一个感应层。
[0012]优选地，所述至少一个感应层可以在受到压力时发生外观变化。
[0013]优选地，所述至少一个感应层可以在受到压力和加热双重作用时发生外观变化。
[0014]优选地，所述至少一个感应层可以在受到压力和光照双重作用时发生外观变化。
[0015]优选地，所述外观变化可以为颜色变化。
[0016]根据专利技术构思的另一方面，一种制造晶圆贴合膜的方法包括：制备基材膜；在所述基材膜上设置压感材料层；在所述压感材料层上设置粘合层；以及在所述粘合层上设置贴片膜。
[0017]优选地，设置所述压感材料层的步骤可以包括在所述基材膜上顺序地设置至少一个感应层，所述至少一个感应层在受到压力时发生外观变化。
[0018]优选地，设置所述压感材料层时的压力可以小于所述压感材料层的最小感知压力。
附图说明
[0019]通过下面结合附图详细描述专利技术构思的示例性实施例，专利技术构思的以上和其他方面的特征及优点将变得明确。在附图中，同样的附图标记将始终指示同样的元件。
[0020]图1示出了根据现有技术的晶圆贴合膜。
[0021]图2示出了根据现有技术的晶圆贴膜工艺。
[0022]图3示出了根据现有技术的半导体封装结构。
[0023]图4示出了根据专利技术构思的示例性实施例的晶圆贴合膜。
[0024]图5示出了根据专利技术构思的示例性实施例的晶圆贴合膜。
[0025]图6示出了根据专利技术构思的示例性实施例的晶圆贴合膜。
[0026]图7示出了制造根据专利技术构思的示例性实施例的晶圆贴合膜的方法的工艺流程图。
具体实施方式
[0027]在下文中，将参照其中示出一些实施例的附图来更充分地描述本专利技术构思的各种实施例。然而，本专利技术构思可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该描述将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本专利技术构思的范围传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，可能夸大层和区域的尺寸。
[0028]为了易于描述，可以在这里使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下面的”、“在
……
上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件与其他元件的关系。将理解的是，除了附图中绘出的方位之外，空间相对术语还意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件“上方”。因此，术语“在
……
下方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。可以将装置另外定向(旋转90度或在其他方位)，并相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
[0029]以下，将参照图4至图6来详细描述根据专利技术构思的示例性实施例的晶圆贴合膜。
[0030]图4示出根据专利技术构思的示例性实施例的晶圆贴合膜。图4可以是专利技术构思的第一实施例。如图4所示，晶圆贴合膜100包括基材膜110；压感材料层120，设置在基材膜110上；粘合层130，设置在压感材料层120上；以及贴片膜140，设置在粘合层130上。
[0031]在实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆贴合膜，包括：基材膜；压感材料层，设置在所述基材膜上；粘合层，设置在所述压感材料层上；以及贴片膜，设置在所述粘合层上。2.根据权利要求1所述的晶圆贴合膜，其中，所述基材膜、所述压感材料层和所述粘合层均为圆形并且具有第一直径，所述贴片膜为圆形并且具有第二直径，所述第一直径大于所述第二直径。3.根据权利要求1所述的晶圆贴合膜，其中，所述压感材料层包括顺序地堆叠的至少一个感应层。4.根据权利要求3所述的晶圆贴合膜，其中，所述至少一个感应层在受到压力时发生外观变化。5.根据权利要求3所述的晶圆贴合膜，其中，所述至少一个感应层在受到压力和加热双重作用时发生外观变化。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴革明，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：