一种用于金刚石厚膜的生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于金刚石厚膜的生长装置，通过把设备中的样品台分成两个部分，在样品台进水管中设置一根可以上下移动的驱动杆带动样品台中心的小样品台上下移动，进而带动放置在小样平台上方的金刚石衬底上下移动，以调节金刚石衬底的上表面在等离子体中的相对位置。本发明专利技术的优点该结构可以保证金刚石生长表面在等离子体中的位置不会随着生长厚度的改变而改变，确保了金刚石生长表面温度和自由基团浓度的恒定，减小金刚石生长过程中的应力积累，降低金刚石由于厚度变化而导致的应力累积过大产生裂纹的风险，可用于金刚石长时间恒定速率生长。恒定速率生长。恒定速率生长。

【技术实现步骤摘要】
一种用于金刚石厚膜的生长装置


[0001]本专利技术涉及金刚石薄膜制备工艺，尤其涉及微波等离子体化学气相沉积装置来生长3mm以上厚度的金刚石薄膜。

技术介绍

[0002]碳和硅都是IV族成员，但碳原子序数较小。金刚石具有与硅相同的晶体结构，有望成为下一代大功率电子，光电，生物/化学电子，量子计算设备等的基本材料。这是因为金刚石具有电性能与硅类似，但具有更卓越的物理性能。
[0003]自1950年代以来，人们就一直在研究通过化学气相沉积（CVD）进行金刚石膜的生长，该生长必须在非平衡条件下进行。这是因为在正常条件下，石墨是比金刚石更稳定的碳相。此外，在CVD工艺期间，必须存在氢自由基（原子氢）以去除非金刚石碳，主要是在金刚石表面上形成的石墨。氢自由基主要是通过热解离和电子碰撞在等离子体中产生的。
[0004]CVD技术主要分为热丝CVD、微波等离子体CVD、燃烧火焰CVD等制备方法，微波等离子体CVD（MPCVD）是目前用于生长高质量金刚石的首选方法。在MPCVD法沉积金刚石膜的过程中，会有很多因素影响金刚石膜的生长质量，如：气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于金刚石厚膜的生长装置，主要包含生长腔体和样品台，其特征在于：样品台由大样品台（7）和小样品台（15）组成，大样品台（7）和小样品台（15）通过金属波纹管（12）进行连接，金属波纹管（12）通过密封圈（16）对样品台进行密封，小样品台（15）高度可以通过设置在进水管（14）内部的驱动杆（13）进行调节，大样品台（7）由上盖和下底座（9）通过密封圈（8）进行密封，金刚石衬底（6）放置在小样品台（15）上方的中心位置，微波等离子体（5）位于小样品台（15）上方的中心位置，在生长腔体（2）侧壁外设置红外测温仪（3），透过安装在生长腔体（2）侧壁上石英玻璃窗口（4）来测量金刚石衬底的温度，生长腔体（2）顶部设置光电传感器（1）以监测金刚石衬底厚度的变...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘胜，甘志银，汪启军，
申请(专利权)人：广东众元半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：