一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，包括谐振腔主体、下圆柱体、同轴波导转换器、环形石英窗口、沉积平台、测温孔、测温仪、观察窗、进气口、出气口及水冷系统，其中谐振腔主体包括抛腔，抛腔是由一段抛物线绕所述谐振腔中轴线旋转一周得到的旋转体，且谐振腔内壁任意一点距离基片中心点的距离大于6/7λ。本发明专利技术可以使谐振腔内电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高，有助于提高沉积金刚石膜的品质，同时可以减弱对腔室内壁的热辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置


[0001]本专利技术涉及金刚石膜的化学气相沉积
，尤其涉及一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置。

技术介绍

[0002]金刚石具有高的硬度、高弹性模量、高室温热导率(大于20W/cm﹒K)、低膨胀系数、高化学惰性、高光学透明性等优异的性能，其在高功率电子器件的散热片，高功率激光和红外窗口等工业领域具有巨大的应用价值。为实现这些重要应用，必须能够高效地制备出大面积、高品质的自支撑金刚石膜。
[0003]在各种化学气相沉积方法中，微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)以其无电极放电污染、可控性好、等离子体密度高、以及沉积面积较大、品质较好等特性成为制备高品质金刚石膜的首选方法。
[0004]然而，与其他CVD方法相比，MPCVD法金刚石膜的生长速率偏低，特别是制备大面积(大于2英寸)的高品质金刚石膜时，其生长速率一般低于3μm/h。优化MPCVD金刚石膜沉积装置的设计，提高MPCVD金刚石膜沉积装置的微波输入功率，是提高MPCVD法金刚石膜沉积速率的有效手段。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，其特征在于，包括：
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谐振腔主体，所述谐振腔主体由上到下依次包括圆顶盖、抛腔及中圆柱体；所述抛腔与所述中圆柱体相连，所述抛腔设置为由一段抛物线绕所述谐振腔主体的中轴线旋转一周得到的旋转体；
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下圆柱体，所述下圆柱体包括下圆柱体外壁、下圆柱体内壁及环形天线；
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同轴波导转换器，所述同轴波导转换器包括同轴线，所述同轴线包括同轴外导体和同轴内导体；
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沉积平台，所述沉积平台设置于所述谐振腔主体的底部，在所述沉积平台的中心设有基片；
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环形石英窗口，所述环形石英窗口设置于所述环形天线的内部。2.根据权利要求1所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述抛腔的抛物线两端点处斜率大致垂直，所述抛物线的方程为y=0.006x2，x=
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83.3～83.3mm。3.根据权利要求1所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述谐振腔主体的内壁上任意一点距所述基片中心点的距离大于6/7λ，其中λ为导入微波的波长。4.根据权利要求1所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装...

【专利技术属性】
技术研发人员：程知群，谷昊周，刘杰，严丽平，卢超，董志华，周涛，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：