一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法技术

一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，所述n型硅基底的正背面均设有一层层，且所述n型硅基底的正面自下而上依次设置有层、p型掺杂多晶硅层、功能层以及正面电极，所述n型硅基底的背面自上而下依次设置有层、n型掺杂多晶硅层、TCO层以及背面电极；其中，所述功能层包括层，所述层上端面镂空设置有TCO沉积层，所述正面电极设于所述TCO沉积层上；本发明专利技术还公开其制备方法，通过引入局部TCO接触以及低温银浆技术，将隧穿钝化接触结构应用在TOPCON电池正背面，并且正面采用局部的TCO接触，不仅减小了PVD对正面钝化层的溅射损失、降低了TCO的寄生吸收、还减小了TCO的消耗降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池加工
，特别涉及一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前现有的topcon电池通常采用100nm以上的多晶硅掺杂层，这样可以较好的防止后续高温丝网印刷的银浆烧结扩散进入到隧穿层以及体硅中，带来不必要的复合。
[0003]由于掺杂多晶硅本身存在较强的寄生吸收，厚度过大，不仅带来工艺成本的提高，还对性能有较大的损失。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，包括n型硅基底，所述n型硅基底的正背面均设有一层层，且所述n型硅基底的正面自下而上依次设置有层、p型掺杂多晶硅层、功能层以及正面电极，所述n型硅基底的背面自上而下依次设置有层、n型掺杂多晶硅层、TCO层以及背面电极；其中，所述功能层包括层，所述层上端面镂空设置有TCO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，包括n型硅基底（1），其特征在于：所述n型硅基底（1）的正背面均设有一层层（2），且所述n型硅基底（1）的正面自下而上依次设置有层（2）、p型掺杂多晶硅层（3）、功能层以及正面电极（5），所述n型硅基底（1）的背面自上而下依次设置有层（2）、n型掺杂多晶硅层（7）、TCO层（8）以及背面电极（9）；其中，所述功能层包括层（4），所述层（4）上端面镂空设置有TCO沉积层（6），所述正面电极（5）设于所述TCO沉积层（6）上。2.如权利要求1所述的一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，其特征在于：所述TCO层（8）的厚度为20nm
‑
30nm。3.如权利要求1或2所述的一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，其特征在于：所述层（6）的厚度为0.3
‑
3nm，所述n型掺杂多晶硅层（7）的厚度为15
‑
300nm。4.如权利要求3所述的一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，其特征在于：所述层（...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智涵，王永谦，林纲正，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：