一种背面钝化膜、制备方法及晶硅太阳能电池技术

本发明专利技术公开了一种晶硅太阳能电池的背面钝化膜，其中，背面钝化膜设置于硅衬底背面；背面钝化膜包括自硅衬底背面的表面依次向外设置的氮氧化硅层和氮化硅层。本发明专利技术提供的背面钝化膜能够提高太阳能电池钝化效果及背面反射率、电池效率，且沉积氮氧化硅和氮化硅膜的工艺过程简单，易于与常规工艺整合。易于与常规工艺整合。易于与常规工艺整合。

【技术实现步骤摘要】
一种背面钝化膜、制备方法及晶硅太阳能电池


[0001]本专利技术涉及晶硅太阳能电池领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池的背面钝化膜、制备方法及硅晶太阳能电池。

技术介绍

[0002]晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏特效应把光能转换为电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。目前，商品化的太阳电池市场85％以上仍被晶体硅太阳电池产品占据，围绕效率与成本构成的性价比竞争十分激烈。如何以少量的投入，引入新的工艺增加电池光电转换效率是晶硅太阳能电池的研究方向。
[0003]近年来，表面钝化是晶硅电池的研究热点。无论是P型还是N型单晶硅太阳能电池，在电池的前表面、背表面制备钝化介质，是高效电池技术开展的基础，也是提高太阳能电池光电转换效率的有效途径之一。PECVD设备是晶硅电池生产线最常用的真空镀膜设备，可以低温制备具有减反射和钝化特性的SiN
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薄膜，用于晶硅电池正面发射极钝化。但是，如何进一步提升硅晶太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背面钝化膜，其特征在于：所述的背面钝化膜设置于硅衬底背面；所述的背面钝化膜包括自所述的硅衬底背面的表面依次向外设置的氮氧化硅层和氮化硅层。2.根据权利要求1所述的背面钝化膜，其特征在于：所述的氮氧化硅层的厚度为20～30nm，所述的氮化硅层的厚度为80～90nm。3.根据权利要求1所述的背面钝化膜，其特征在于：所述的氮氧化硅层的折射率为2.2～2.3，所述的氮化硅层的折射率为2.0～2.1。4.一种如权利要求1至3中任一项所述的背面钝化膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括如下步骤：(1)采用等离子体增强化学气相沉积法在所述的硅衬底背面沉积所述的氮氧化硅层；(2)采用等离子体增强化学气相沉积法在所述的氮氧化硅层上沉积所述的氮化硅层。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)的具体方法为：先控制通入硅烷、氨气和笑气的混合气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：范维涛，陈浩，黄钧林，张鑫，程晶，
申请(专利权)人：意诚新能苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：