一种同时提高双面PERC背面及正面效率的背膜结构及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种同时提高双面PERC背面及正面效率的背膜结构及其制备方法和应用，所述背膜结构包括位于电池片背面的氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜上设有氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜上设有氮氧化硅薄膜。本发明专利技术的背膜结构能够同时提高双面PERC背面及正面效率，本发明专利技术通过改进背面膜层结构提升P型双面PERC电池的背面转换效率，该背膜结构具有较优的氢钝化效果，还可以提升电池的开压和FF，从而实现正面转换效率的提升，可以使得P型双面PERC电池的双面率提高1～2％，电池正面的效率提升0.1％左右，提高企业的效益和竞争力，非常值得产业化应用。非常值得产业化应用。非常值得产业化应用。

【技术实现步骤摘要】
一种同时提高双面PERC背面及正面效率的背膜结构及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，涉及一种同时提高双面PERC背面及正面效率的背膜结构及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]近年来，随着太阳能电池片生产技术不断进步，目前主要研究热点有HIT电池、WMT电池、N型双面电池、P型PERC电池等，其中P型PERC电池因其工艺相对成熟，量产难度低，已成为市场主流电池技术。双面PERC太阳电池较其它新型电池的正面效率低，主流厂商其双面组件双面率为65-75％，迫切需要进一步提升双面PERC太阳电池的正面和背面效率。因此改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面PERC电池的背面转换效率，提高P型双面PERC电池的双面率，是目前行业所关注的重点。
[0003]CN110957378A公开了一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片，电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括上层氮化硅膜、中层氮化硅膜、下层氮化硅膜，上、中、下三层氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同时提高双面PERC背面及正面效率的背膜结构，其特征在于，所述背膜结构包括位于电池片背面的氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜上设有氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜上设有氮氧化硅薄膜。2.根据权利要求1所述的背膜结构，其特征在于，所述氧化铝薄膜的厚度为5～15nm，折射率为1.55～1.63；优选地，所述氧化铝薄膜的厚度为8～10nm，折射率为1.56。3.根据权利要求1或2所述的背膜结构，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为20～90nm，折射率为2.05～2.4；优选地，所述氮化硅薄膜的厚度为60～80nm，折射率为2.1～2.4。4.根据权利要求1-3中任一项所述的背膜结构，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜的厚度为20～90nm，折射率为1.6～2.0；优选地，所述氮氧化硅薄膜的厚度为40～60nm，折射率为1.8。5.根据权利要求1-4中任一项所述的背膜结构，其特征在于，所述氧化铝薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的总厚度为80～160nm，总折射率为2.0～2.35。6.根据权利要求1-5中任一项所述的背膜结构，其特征在于，所述背膜结构在300nm～1200nm波长范围内反射率曲线最低点位于650～1000nm；优选地，所述背膜结构在300nm～1200nm波长范围内反射率曲线最低点位于850～950nm。7.根据权利要求1-6中任一项所述的背膜结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹芳，叶晓亚，周思洁，邹帅，王栩生，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：