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一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，所述n型硅基底的正背面均设有一层层，且所述n型硅基底的正面自下而上依次设置有层、p型掺杂多晶硅层、功能层以及正面电极，所述n型硅基底的背面自上而下依次设置有层、n型掺...该专利属于珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司授权不得商用。