一种大功率合成装置制造方法及图纸

一种大功率合成装置，包括合成部1和输出部2，所述合成部1包括设置有传输孔A 111和合成腔112的合成部本体11、至少2个输入端12和与输入端12匹配的内导体A 13，所述输入端12设置在合成部本体11上，所述内导体A 13一端与输入端12电性连接，所述内导体A 13另一端悬空设置在合成腔112中，还包括过渡部3，所述过渡部3设置在合成部本体11上远离输入端12的一侧，所述输出部2与过渡部3连接，所述过渡部3设置有传输孔B 31，所述输出部2包括内导体B 21、波导管22和内导体C 23，所述内导体C 23设置在波导管22中，所述合成腔112中未设置悬带线类实体微波传输线，提供了一种端口反射小，插损小，合成效率高的，非常适于大功率合成的功率合成装置。置。置。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率合成装置


[0001]本技术涉及微波处理
，尤其涉及一种大功率合成装置。

技术介绍

[0002]随着微波技术的发展，微波技术的应用也越来越广泛，其应用领域包括移动通信、雷达、卫星通信以及电子对抗等，同时微波技术在工业领域也有很大发展空间，如微波干燥、污水处理等技术应用，应用前景广阔。
[0003]功率合成装置（如功率合成器），是一种将两路或两路以上微波输入信号能量合成为一路输出信号能量的器件，也可反过用，来将一路输入信号能量分配成多路信号能量输出，此时即为功率分配装置（如功率分配器）。
[0004]现有技术的功率合成装置，其端口反射较大，插损大，合成功率小，合成效率较低，不适于大功率合成。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种端口反射小，插损小，合成功率大，合成效率高的，非常适于大功率合成的功率合成装置。
[0006]本技术的目的通过以下技术方案来实现：一种大功率合成装置，包括合成部和输出部，所述合成部包括设置有传输孔A和合成腔的合成部本体、至少2个输入端和与输入端匹配的内导体A，所述输入端设置在合成部本体上，所述内导体A一端与输入端电性连接，所述内导体A另一端悬空设置在合成腔中，还包括过渡部，所述过渡部设置在合成部本体上远离输入端的一侧，所述输出部与过渡部连接，所述过渡部设置有传输孔B，所述输出部包括内导体A、波导管和内导体B，所述内导体B设置在波导管中，所述合成腔与波导管依次通过传输孔A和传输孔B连通，所述内导体B一端依次穿过传输孔A和传输孔B后与内导体B电性连接，所述内导体B另一端悬空设置在合成腔中，所述合成腔中未设置悬带线类实体微波传输线。
[0007]进一步的，所述合成腔为圆柱形空腔，所述内导体A包括小径圆柱A、圆台A和大径圆柱A，所述圆台A的上底面与小径圆柱A连接，所述圆台A的下底面与大径圆柱A连接，所述圆台A的上底面直径与小径圆柱A的直径相等，所述圆台A的下底面直径与大径圆柱A的直径相等，所述小径圆柱A、圆台A和大径圆柱A同轴，所述小径圆柱A与输入端电性连接。
[0008]更进一步的，所述传输孔A和合成腔同轴，所述内导体A的轴线与合成腔的轴线平行，所述内导体A的轴线在合成腔端面上的投影落在同一圆上且均匀分布。
[0009]更进一步的，所述内导体B包括小径圆柱B、圆台B和大径圆柱B，所述圆台B的上底面与小径圆柱B连接，所述圆台B的下底面与大径圆柱B连接，所述圆台B的上底面直径与小径圆柱B的直径相等，所述圆台B的下底面直径与大径圆柱B的直径相等，所述小径圆柱B、圆台B和大径圆柱B同轴，所述小径圆柱B与内导体C电性连接。
[0010]更进一步的，所述传输孔B与传输孔A直径相等，所述内导体B、传输孔A、传输孔B和
合成腔同轴。
[0011]优选的，所述输入端为同轴连接器，所述小径圆柱A与同轴连接器的内导体电性连接。
[0012]进一步的，所述内导体A、内导体B和内导体C的表面均设置有导电率较高的金属层，所述合成腔、传输孔A、传输孔B和波导管的内壁均设置有导电率较高的金属层。
[0013]优选的，所述金属层的材质为银。
[0014]本技术具有以下优点：
[0015]1. 结构简单，方便加工制作；
[0016]2. 现有技术的功率合成装置，其电磁传输线发热易烧毁，导致其合成功率较低，本技术摈弃了微波传输线，从根源上解决这一问题并实现了大功率的合成。
附图说明
[0017]图1 为本技术功率合成装置的立体示意图一；
[0018]图2 为本技术功率合成装置的立体示意图二；
[0019]图3 为本技术功率合成装置的剖切示意图一；
[0020]图4 为图3中Ⅰ部放大示图；
[0021]图5 为本技术功率合成装置的剖切示意图二；
[0022]图6 为图5中A
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A剖示图；
[0023]图7 为本技术功率合成装置内导体A的立体示意图；
[0024]图8 为本技术功率合成装置内导体B的立体示意图；
[0025]图9 为本技术功率合成装置过渡部的立体示意图；
[0026]图中：1
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合成部，11
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合成部本体，111
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传输孔A，112
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合成腔，1121
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合成腔端面，12
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输入端，13
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内导体A，131
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小径圆柱A，132
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圆台A，133
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大径圆柱A，2
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输出部，21
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内导体B，211
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小径圆柱B，212
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圆台B，213
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大径圆柱B，22
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波导管，23
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内导体C，3
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过渡部，31
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传输孔B。
具体实施方式
[0027]下面结合附图对本技术做进一步的描述，但技术的保护范围不局限于以下所述。
[0028]如图1至图9所示，一种大功率合成装置，包括合成部1和输出部2，所述合成部1包括设置有传输孔A 111和合成腔112的合成部本体11、至少2个输入端12和与输入端12匹配的内导体A 13，所述输入端12设置在合成部本体11上，所述内导体A 13一端与输入端12电性连接，所述内导体A 13另一端悬空设置在合成腔112中，还包括过渡部3，所述过渡部3设置在合成部本体11上远离输入端12的一侧，所述输出部2与过渡部3连接，所述过渡部3设置有传输孔B 31，所述输出部2包括内导体B 21、波导管22和内导体C 23，所述内导体C 23设置在波导管22中，所述合成腔112与波导管22依次通过传输孔A 111和传输孔B 31连通，所述内导体B 21一端依次穿过传输孔A 111和传输孔B 31后与内导体C 23电性连接，所述内导体B 21另一端悬空设置在合成腔112中，所述合成腔112中未设置悬带线类实体微波传输线；现有技术的功率合成装置受微波传输线发热的影响，其输入端的输入功率和输出端的
输出功率均不能太大，否则其微波传输线极易烧毁；为了从根源上解决这一问题从而实现大功率的合成，本技术的大功率合成装置的合成腔112中未设置悬带线类实体微波传输线，微波直接以空气为传输介质传输，大大降低了介质损耗及插损，为了更加有利于微波的传输从而提高微波合成效率，还设置了内导体B 21和内导体C 23。
[0029]进一步的，为了便于加工制作以及电磁性能的优化匹配，所述合成腔112为圆柱形空腔，所述内导体A 13亦为圆柱形结构，所述内导体A 13包括小径圆柱A 131、圆台A 132和大径圆柱A 133，所述圆台A 132的上底面与小径圆柱A 131本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率合成装置，包括合成部（1）和输出部（2），所述合成部（1）包括设置有传输孔A（111）和合成腔（112）的合成部本体（11）、至少2个输入端（12）和与输入端（12）匹配的内导体A（13），所述输入端（12）设置在合成部本体（11）上，所述内导体A（13）一端与输入端（12）电性连接，所述内导体A（13）另一端悬空设置在合成腔（112）中，其特征在于：还包括过渡部（3），所述过渡部（3）设置在合成部本体（11）上远离输入端（12）的一侧，所述输出部（2）与过渡部（3）连接，所述过渡部（3）设置有传输孔B（31），所述输出部（2）包括内导体B（21）、波导管（22）和内导体C（23），所述内导体C（23）设置在波导管（22）中，所述合成腔（112）与波导管（22）依次通过传输孔A（111）和传输孔B（31）连通，所述内导体B（21）一端依次穿过传输孔A（111）和传输孔B（31）后与内导体C（23）电性连接，所述内导体B（21）另一端悬空设置在合成腔（112）中，所述合成腔（112）中未设置悬带线类实体微波传输线。2.根据权利要求1所述的一种大功率合成装置，其特征在于：所述合成腔（112）为圆柱形空腔，所述内导体A（13）包括小径圆柱A（131）、圆台A（132）和大径圆柱A（133），所述圆台A（132）的上底面与小径圆柱A（131）连接，所述圆台A（132）的下底面与大径圆柱A（133）连接，所述圆台A（132）的上底面直径与小径圆柱A（131）的直径相等，所述圆台A（132）的下底面直径与大径圆柱A（133）的直径相等，所述小径圆柱A（131）、圆台A（132）和大径圆柱A（133）同轴，所述小径圆柱A（131）与输...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏运强，冯智飞，吴小波，
申请(专利权)人：成都沃特塞恩电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：