【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种开关电源的过压过流保护装置。在开关电源中,半导体器件(二极管、MOSFET、IGBT、GTO、SCR等)的耐电压和电流冲击能力有限,过高的电压和电流超过一定时间会导致器件损坏,而且这个时间非常短,一般为微秒级,常规的保险丝保护一般不能奏效,而目前在采用的过压、过流保护器所用元件较多,而且在保护动作结束后需要人工复位,使用较为不便。本技术的目的是提供一种结构简单、价廉,响应快速可靠,使用方便的开关电源的过压过流保护器。本技术提供的开关电源的过压过流保护器包括NE555芯片,在该芯片的2脚和3脚之间跨接电阻R5和二极管D1的并联电路,芯片的1脚接地,2脚通过电容C1接地,5脚通过电阻R4接地,6脚和3脚分别为引出端。使用时,将开关电源的过压过流保护器的6脚与被保护电路的检测信号输出端相连,3脚去控制被保护电路工作脉冲信号的封锁和开通,假设NE555第3脚输出高电平为正常,低电平为保护。由电阻R4的阻值确定保护点阙值。正常运行时,3脚输出高电平,电容C1的电压为接近芯片工作电压VCC,当发生过压过流情况,第6脚的输入大于设定的阙值时,NE555内部RS触发器翻转,3脚输出低电平保护,随后电容C1通过电阻R5放电,经过延时,当电容C1的电压小于设定阙值的一半时,NE555内部RS触发器再翻转,3脚输出高电平,二极管D1使电容C1的电压立刻上升到接近芯片工作电压VCC,若此时6脚输入已小于阙值,3脚输出维持在高电平,反之,3脚输出又立刻为低电平保护。由此,而具有自动延时复位功能,通过改变电阻R5与电容C3的值可改变延时时间。本技术由于采用NE55 ...
【技术保护点】
开关电源的过压过流保护器,其特征是它包括NE555芯片,在该芯片的2脚和3脚之间跨接电阻R5和二极管D1的并联电路,芯片的1脚接地,2脚通过电容C1接地,5脚通过电阻R4接地,6脚和3脚分别为引出端。
【技术特征摘要】
1.开关电源的过压过流保护器,其特征是它包括NE555芯片,在该芯片的2脚和3脚之间跨接电阻R5和二极管D1的并联电路,芯片的1脚接地,2脚通过电容C1接地,5...
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