基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器制造技术

本发明专利技术涉及一种基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器，属于射频微波技术领域。该功率放大器包括介质基板，正面设置有输入匹配电路、栅极偏置电路、漏极偏置电路、二次谐波抑制电路、输出匹配电路和T型模块；背面为接地面，设置有双螺旋缺陷地单元结构；输入匹配电路的一端与功率放大管栅极连接，另一端依次通过栅极偏置电路、T型模块和漏极偏置电路与功率放大管漏极连接；输出匹配电路端与二次谐波抑制电路连接。本发明专利技术放大器既具有宽带性能又具有较高输出效率。带性能又具有较高输出效率。带性能又具有较高输出效率。

【技术实现步骤摘要】
基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器


[0001]本专利技术属于射频微波
，涉及一种基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器。

技术介绍

[0002]随着无线通信系统的高速发展，整个系统的功耗要求愈发严格。射频功率放大器作为系统核心模块，它的性能直接决定了系统的使用寿命。当功率放大器相对带宽大于5％，在工作频段漏极效率大于50％时，通常认为该功率放大器就是一个宽带高效功率放大器。提升功率放大器的带宽与效率一直是学术界和工业界不断追求的目标，因此设计出性能优良、结构紧凑的宽带高效率功率放大器有着广阔的应用前景。
[0003]由于功率放大器是一个非线性器件，当有交流小信号输入时，功率放大器的输出端会产生谐波信号。谐波功率的产生造成了直流功耗的提高，降低了输出功率，导致放大器的效率变低。因此，抑制谐波信号对功率放大器的性能的提升有着积极的作用。谐波控制类功率放大器是一种高效率功率放大器，其能实现高效率的原因主要在于它采用了谐波控制网络对谐波阻抗进行调谐。谐波控制类功率放大器为了实现精确的谐波阻抗调谐，通常会在谐波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器，包括介质基板(30)，其特征在于，所述介质基板(30)的正面设置有输入匹配电路、栅极偏置电路、漏极偏置电路、二次谐波抑制电路、输出匹配电路和T型模块；背面为接地面，设置有双螺旋缺陷地单元结构(19)；所述漏极偏置电路和双螺旋缺陷地单元结构(19)形成加载有寄生补偿的漏极偏置及三次谐波控制电路；所述输入匹配电路的一端与功率放大管(15)栅极连接，另一端依次通过栅极偏置电路、T型模块和漏极偏置电路与功率放大管(15)漏极连接；所述输出匹配电路与二次谐波抑制电路连接。2.根据权利要求1所述的基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器，其特征在于，所述输入匹配电路的金属层包括两段微带细水平线(1)、微带粗水平线一(3)、微带粗竖直线(4)、微带粗水平线二(5)、微带短水平线一(6)和微带短水平线二(14)；所述输入匹配电路还包含有隔直电容一(2)、以及低阻值电阻(12)与低容值电容(13)；所述隔直电容一(2)连接在两段微带细水平线(1)之间；所述低阻值电阻(12)与低容值电容(13)并联连接在微带短水平线一(6)和微带短水平线二(14)之间。3.根据权利要求1所述的基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器，其特征在于，所述栅极偏置电路的金属层包括微带长竖直线一(7)和左扇形结构(8)；栅极偏置电路还包含有小容值电容一(9)、中容值电容一(10)和大容值电容一(11)；所述左扇形结构(8)设置在微带长竖直线一(7)左侧；所述小容值电容一(9)、中容值电容一(10)和大容值电容一(11)并列连接在微带长竖直线一(7)的右上侧。4.根据权利要求1所述的基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器，其特征在于，所述漏极偏置电路的金属层包括微带长竖直线二(18)、右扇形结构(20)、微带窄水平线(16)、微带窄竖直线(17)；所述漏极偏置电路还包含有小容值电容二(9
’
)、中容值电容二(10
’
)和大容值电容二(11
’...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文，刘江，尹波，冉佳，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：