一种功率放大模块以及电子设备制造技术

技术编号:33328826 阅读:20 留言:0更新日期:2022-05-08 09:08
本申请提供了一种功率放大模块,功率放大模块包括第一功率管以及阻隔基板,阻隔基板的第一面镀有金属层,所述阻隔基板的第一面以及第二面之间的材料为绝缘材料,第一功率管的源极与金属层电连接,第一功率管的漏极用于输出射频信号,阻隔基板的第二面表贴或嵌入印制电路板PCB。这样,在阻隔基板的隔绝作用下,第一功率管的源极不接地,第一功率管的源极可以馈入射频信号。集成有第一功率管的功率放大器可以采用高效率架构,提升了功放放大效率。提升了功放放大效率。提升了功放放大效率。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大模块以及电子设备


[0001]本申请实施例涉及电路领域,尤其涉及一种功率放大模块以及电子设备。

技术介绍

[0002]功率管是在功率放大模块中较为常见的一种电子元件。目前,常见的功率放大器通常采用共源极放大电路形式以及共栅极放大电路形式实现信号的放大。
[0003]现有的放大电路中,功率管裸芯片(die)通常直接装配在印制电路板(printed circuit board,PCB)板上,功率管die的源极通过通孔与芯片底部短接。装配时,芯片底部直接表贴或嵌入于PCB板,进而可以使得功率管die的源极与PCB板电连接,功率管die的源极直接接地。功率管die的栅极和漏极分别作为功放的输入端和输出端。
[0004]近年来,随着堆叠功放等高效功放架构形式相继被提出。在这些采用串联功放的高效架构中,功率管die的射频信号需要部分或全部从源极馈入,然而,功率管die的源极接地之后将无法馈入射频信号。因此,集成有现有常规功率管die的功率放大器无法应用高效功放架构,功率放大效率低。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种功率放大模块,功率放大模块包括第一功率管以及阻隔基板,阻隔基板的第一面镀有金属层,所述阻隔基板的第一面以及第二面之间的材料为绝缘材料,第一功率管的源极与金属层电连接,阻隔基板的第二面表贴或嵌入印制电路板PCB。这样,在阻隔基板的隔绝作用下,第一功率管的源极不接地,第一功率管的源极可以馈入射频信号。集成有第一功率管的功率放大器可以采用高效率架构,提升了功放放大效率。
[0006]本申请第一方面提供一种功率放大模块,功率放大模块中包括第一功率管以及阻隔基板,所述阻隔基板的第一面镀有第一金属层,所述阻隔基板的第一面以及第二面之间的材料为绝缘材料;所述第一功率管的源极与所述金属层电连接,所述第一功率管的漏极用于输出射频信号;所述阻隔基板的第二面表贴或嵌入印制电路板PCB。
[0007]本申请中,功率放大模块包括第一功率管以及阻隔基板,阻隔基板的第一面镀有金属层,所述阻隔基板的第一面以及第二面之间的材料为绝缘材料,第一功率管的源极与金属层电连接,第一功率管的漏极用于输出射频信号,阻隔基板的第二面表贴或嵌入印制电路板PCB。这样,在阻隔基板的隔绝作用下,第一功率管的源极不接地,第一功率管的源极可以馈入射频信号。集成有第一功率管的功率放大器可以采用高效率架构,提升了功放放大效率。
[0008]在第一方面一种可能的实现方式中,所述功率放大模块还包括第二功率管;所述第二功率管表贴或嵌入PCB;所述第二功率管的源极接地,所述第二功率管的栅极用于接收射频信号,所述第二功率管的漏极通过所述金属层与所述第一功率管的源极电连接。
[0009]本申请中提供的功率放大模块中,第一功率管为共栅极放大器,第二功率管为共源极放大器,第一功率管以及第二功率管一起组合成串联功放堆叠结构。第一功率管组装
在隔离基板上,第一功率管的源极通过隔离基板上表面和bond线与第二功率管的漏极相连,第一功率管的漏极为堆叠功放输出端。射频信号由共源极放大器的栅极输入之后,经过共源极放大器处理后,由共源极放大器的漏极导入至共栅极放大器再此处理,最后由共栅极放大器的漏极输出处理后的信号,实现了多次放大。
[0010]本申请中,功率放大模块在工作时,第一功率管的漏极连2*Vdd电压,第一功率管的栅极连Vdd+Vgs电压,第二功率管的栅极连Vgs电压。
[0011]本申请中,可选的,第一功率管与第二功率管之间还可以串联多个第一功率管,中间串联的第一功率管的装配方式与上述实施例中说明的第一功率管的装配方式相类似,具体此处不做限定。
[0012]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述功率放大模块还包括第一电容;所述第一电容的第一端与所述第一功率管的栅极电连接,所述第一电容的第二端接地。
[0013]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述功率放大模块还包括第二电容;所述第二电容的第一端与所述第一功率管的栅极电连接,所述第二电容的第二端与所述第一功率管的源极电连接。
[0014]本申请中,堆叠结构的共栅极放大器需要外接一个很小的栅极电容Cg(即第一电容),确保共栅极功放栅极上的电压摆幅在动态上跟随漏极的电压摆幅,防止漏栅电压击穿。换言之,在保证不被击穿的情况下,尽可能地提高功放的电压摆幅,提升功放性能。栅极和源极之间传输线为感性传输线(即串联第二电容的传输线),可以等效减小(或者说中和)Cgs,提高功放的性能。
[0015]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述功率放大模块还包括第三电容以及第四电容;所述第三电容的第一端与所述第二功率管的栅极以及第四电容的第一端电连接,所述第三电容的第二端接地;所述第四电容的第一端与信号输入元件电连接。
[0016]本申请中,第三电容以及第四电容均为输入内匹配电容;主要用于放大器的输入谐波调谐,调整高次谐波的阻抗,改变功放输出波形,在电压摆幅不超过限制的情况下,提高基波分量的电压,提高功放的输出功率和效率。
[0017]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述功率放大模块还包括第五电容;所述第五电容的第一端与所述第二功率管的漏极电连接,所述第五电容的第二端与所述第一功率管的源极电连接。
[0018]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述功率放大模块还包括第六电容、第七电容、第八电容、第九电容以及第十电容;所述第六电容的第一端用于射频信号馈入,所述第六电容的第二端与所述第一功率管的源极以及所述第五电容的第二端电连接;所述第七电容的第一端与所述第一功率管的栅极以及所述第八电容的第一端电连接;所述第八电容的第一端与所述信号输入元件电连接;所述第九电容的第一端与所述第二功率管的栅极以及所述第十电容的第一端电连接;所述第十电容的第一端与所述信号输入元件电连接。
[0019]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述第五电容与所述第六电容表贴于所述隔离基板上,或,所述第五电容与所述第六电容表贴或嵌入所述PCB。
[0020]示例性的,一种可能的实现方式中,第一功率管为串联DHT的均值管,第二功率管为串联DHT的峰值管。本申请中,功率放大模块工作时,隔离基板2上引出键合线做第一功率管的源极偏压,第一功率管的漏极引出键合线作为串联DHT输出及第一功率管的漏极偏压;
本申请中,第一功率管的栅极为DHT功放的Main射频输入点以及栅极偏压馈电点,第二功率管的栅极为DHT功放的Peak射频输入端及栅极偏压馈电点。可选的,第一功率管以及第二功率管的栅极可接器件输入内匹配电容(第七电容、第八电容、第九电容以及第十电容),以进一步提高DHT功放性能。谐波调谐的目的是通过调整高次谐波的阻抗,改变功放输出波形,在电压摆幅不超过限制的情况下,提高基波分量的电压,提高功放的输出功率和效率。对于特定功放,通过设计内匹配电容,将其高次谐波阻抗,固定在最佳谐波阻抗位置,提升功放的输出功率和效率。
[0021]本申请中,第五电容以及第六电本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大模块,其特征在于,包括:第一功率管以及阻隔基板,所述阻隔基板的第一面镀有第一金属层,所述阻隔基板的第一面以及第二面之间的材料为绝缘材料;所述第一功率管的源极与所述金属层电连接;所述阻隔基板的第二面表贴或嵌入印制电路板PCB。2.根据权利要求1所述的功率放大模块,其特征在于,所述功率放大模块还包括第二功率管;所述第二功率管表贴或嵌入PCB;所述第二功率管的源极接地,所述第二功率管的栅极用于接收射频信号,所述第二功率管的漏极通过所述金属层与所述第一功率管的源极电连接。3.根据权利要求2所述的功率放大模块,其特征在于,所述功率放大模块还包括第一电容;所述第一电容的第一端与所述第一功率管的栅极电连接,所述第一电容的第二端接地。4.根据权利要求3所述的功率放大模块,其特征在于,所述功率放大模块还包括第二电容;所述第二电容的第一端与所述第一功率管的栅极电连接,所述第二电容的第二端与所述第一功率管的源极电连接。5.根据权利要求2至4中任一项所述的功率放大模块,其特征在于,所述功率放大模块还包括第三电容以及第四电容;所述第三电容的第一端与所述第二功率管的栅极以及第四电容的第一端电连接,所述第三电容的第二端接地;所述第四电容的第一端与信号输入元件电连接。6.根据权利要求2所述的功率放大模块,其特征在于,所述功率放大模块还包括第五电容;所述第五电容的第...

【专利技术属性】
技术研发人员:高严孙捷曾志雄
申请(专利权)人:上海华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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