多赫蒂放大器制造技术

本发明专利技术的多赫蒂放大器具备：输入端子；分支部，其与输入端子连接；第一输入传送线路，其一端与分支部连接；第二输入传送线路，其一端与分支部连接；载波放大器，其输入与第一输入传送线路的另一端连接；峰值放大器，其输入与第二输入传送线路的另一端连接；第一输出传送线路，其一端与载波放大器的输出连接；第二输出传送线路，其一端与峰值放大器的输出连接；合成线路，其一端与第一输出传送线路的另一端和第二输出传送线路的另一端连接；以及输出端子，其与合成线路的另一端连接，第一输出传送线路具有与第一输出传送线路的其他部分相比较宽度较宽的宽幅部。较宽度较宽的宽幅部。较宽度较宽的宽幅部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多赫蒂放大器


[0001]本专利技术涉及多赫蒂放大器。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开有一种多赫蒂放大器，其具备供高频信号并列地输入的第一放大器、一个以上的第二放大器、以及第三放大器。第一放大器作为载波放大器，对高频信号进行放大。第二放大器分别作为载波放大器或峰值放大器，对高频信号进行放大。第三放大器作为峰值放大器，对高频信号进行放大。在专利文献1中，通过变更载波放大器的器件尺寸的总和与峰值放大器的器件尺寸的总和之比，能够变更放大的效率的极大点的功率。
[0003]专利文献1：日本特开2014
‑
075717号公报
[0004]在专利文献1中为了变更可得到高功率效率的频带，需要预先设置第二放大器、和将第二放大器分别切换为载波放大器或峰值放大器的切换部。因此，有可能使装置大型化。
[0005]另外，考虑调整载波放大器的阻抗变换比来变更频带。在该情况下，载波放大器的输出阻抗的调整精度有可能被输出传送线路的宽度的加工精度限制。因此有可能无法实现最佳的阻抗变换比。

技术实现思路

[0006]本专利技术是为了解决上述问题所做出的，其目的在于得到一种能够高精度地调整可得到高功率效率的频带的多赫蒂放大器。
[0007]本专利技术的多赫蒂放大器具备：输入端子；输入传送线路，其一端与该输入端子连接，在另一端设置有分支部；第一输入传送线路，其一端与该分支部连接；第二输入传送线路，其一端与该分支部连接；载波放大器，其输入与该第一输入传送线路的另一端连接；峰值放大器，其输入与该第二输入传送线路的另一端连接；第一输出传送线路，其一端与该载波放大器的输出连接；第二输出传送线路，其一端与该峰值放大器的输出连接；合成线路，其一端与该第一输出传送线路的另一端和该第二输出传送线路的另一端连接；以及输出端子，其与该合成线路的另一端连接，该第一输出传送线路具有与该第一输出传送线路的其他部分相比较宽度较宽的宽幅部。
[0008]在本专利技术的多赫蒂放大器中，第一输出传送线路具有宽幅部。通过仅调整第一输出传送线路的一部分的宽度来调整载波放大器的输出阻抗，从而与调整第一输出传送线路整体的宽度的情况相比，调整的范围变大。因此，能够高精度地调整输出阻抗。因此能够高精度地调整阻抗变换比，能够高精度地调整可得到高功率效率的频带。
附图说明
[0009]图1是说明实施方式1的多赫蒂放大器的结构的图。
[0010]图2是表示实施方式1的阻抗的计算结果的图。
[0011]图3是说明实施方式2的多赫蒂放大器的结构的图。
具体实施方式
[0012]参照附图对本专利技术的实施方式的多赫蒂放大器进行说明。对相同或对应的构成要素标注相同的附图标记，有时省略重复的说明。
[0013]实施方式1.
[0014]图1是说明实施方式1的多赫蒂放大器100的结构的图。多赫蒂放大器100为高频半导体装置。多赫蒂放大器100具备输入端子10。在输入端子10连接有输入传送线路11的一端。在输入传送线路11的另一端设置有分支部12。在分支部12连接有第一输入传送线路14的一端和第二输入传送线路16的一端。
[0015]分支部12分配来自输入端子10的输入信号。输入信号为RF(Radio Frequency)信号。输入信号在分支部12中，以a：b的功率比率向第一输入传送线路14和第二输入传送线路16分配。在分支部12例如设置有威尔金森分配器。威尔金森分配器由两条λ/4传送线路构成。在a＝b的等分配的情况下，两条λ/4传送线路分别为例如70.7Ω。两条λ/4传送线路相互用隔离电阻连接。隔离电阻例如为100Ω。
[0016]在第一输入传送线路14的另一端连接有载波放大器20的输入。在第二输入传送线路16的另一端连接有峰值放大器22的输入。载波放大器20在所有的输出区域内动作。峰值放大器22在回退区域中不动作，仅在输入信号的功率大的区域动作。峰值放大器22仅在从载波放大器20接近饱和动作的输出区域至饱和输出区域中动作。
[0017]载波放大器20和峰值放大器22分别具有晶体管芯片。载波放大器20和峰值放大器22分别由例如10个单元构成。载波放大器20与峰值放大器22的器件尺寸相等。器件尺寸例如相当于晶体管的栅极数或栅极宽度。根据器件尺寸来决定例如器件能够流动的电流的大小。载波放大器20的单元数与峰值放大器22的单元数可以相等，也可以不同。
[0018]晶体管芯片例如具有SiC基板和设置于SiC基板上的GaN。载波放大器20以及峰值放大器22例如为GaN
‑
HEMT。
[0019]在载波放大器20的输出连接有第一输出传送线路24的一端。在峰值放大器22的输出连接有第二输出传送线路26的一端。第一输出传送线路24的另一端和第二输出传送线路26的另一端与合成线路28的一端连接。合成线路28的另一端与输出端子30连接。
[0020]第一输入传送线路14与第二输入传送线路16的电长度相差λ/4。第一输入传送线路14和第二输入传送线路16是输入信号的相位调整用的传送线路。在本实施方式中，第二输入传送线路16的电长度比第一输入传送线路14长λ/4。
[0021]第一输出传送线路24与第二输出传送线路26的电长度相差λ/4。第一输出传送线路24和第二输出传送线路26是来自载波放大器20和峰值放大器22的输出信号的相位调整用的传送线路。第一输出传送线路24的电长度比第二输出传送线路26长λ/4。该相位差设置为峰值放大器22在回退区域不启动。与此相对，第二输入传送线路16的电长度比第一输入传送线路14长λ/4。由此，来自第一输出传送线路24和第二输出传送线路26的输出信号彼此相位一致。
[0022]并不限于此，也可以是第一输入传送线路14的电长度比第二输入传送线路16长λ/4，第二输出传送线路26的电长度比第一输出传送线路24长λ/4。
[0023]第一输入传送线路14、第二输入传送线路16、第一输出传送线路24、第二输出传送线路26以及合成线路28分别为例如微带线路。第一输入传送线路14、第二输入传送线路16
以及第二输出传送线路26具有预先设定的特性阻抗。第一输入传送线路14、第二输入传送线路16以及第二输出传送线路26是宽度一样的传送线路。第一输入传送线路14、第二输入传送线路16以及第二输出传送线路26的线路宽度例如为1.05mm。
[0024]第一输出传送线路24在俯视时为十字形。第一输出传送线路24具有直线状的主部24a。主部24a的宽度一样。主部24a的宽度w1为1.05mm，长度l1为17.00mm。主部24a沿从输入端子10朝向输出端子30的第一方向延伸。在第一输出传送线路24中，第一方向是信号的导波方向。
[0025]另外，第一输出传送线路24具有从主部24a突出的凸部。凸部从主部24a的两侧突出。因此，第一输出传送线路24具有与第一输出传送线路24的其他部分相比较宽度较宽的宽幅部24b。宽幅部24b由凸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多赫蒂放大器，其特征在于，具备：输入端子；输入传送线路，其一端与所述输入端子连接，在另一端设置有分支部；第一输入传送线路，其一端与所述分支部连接；第二输入传送线路，其一端与所述分支部连接；载波放大器，其输入与所述第一输入传送线路的另一端连接；峰值放大器，其输入与所述第二输入传送线路的另一端连接；第一输出传送线路，其一端与所述载波放大器的输出连接；第二输出传送线路，其一端与所述峰值放大器的输出连接；合成线路，其一端与所述第一输出传送线路的另一端和所述第二输出传送线路的另一端连接；以及输出端子，其与所述合成线路的另一端连接，所述第一输出传送线路具有与所述第一输出传送线路的其他部分相比较宽度较宽的宽幅部。2.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠中翔平，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：