原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法，制备机构包括：反应源、载气源和反应气体罐，所述反应源内可操作地储有原子层沉积反应液；所述载气源通过载气管道与所述反应源连通，所述载气管道可操作地插入所述反应液内；所述反应气体罐与所述反应源连通，所述反应气体罐能够密封。本发明专利技术提供了一种原子层沉积反应气体的制备机构，该机构包括：反应源和反应气体罐，反应源内的反应气体被载气携带进入反应气体罐内，反应气体和载气在反应气体罐内被密封。当小型实验室需要对原子层沉积反应进行实验时，可以仅仅购买一罐反应气体罐，将反应气体罐接入原子层沉积反应室上，就能够进行原子层沉积实验。就能够进行原子层沉积实验。就能够进行原子层沉积实验。

【技术实现步骤摘要】
原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及原子层沉积领域，特别涉及一种原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法。

技术介绍

[0002]自1970年代被专利技术以来，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)已被广泛地应用于现代信息、能源及生物医药产业。ALD独特的自限制生长机理(Self
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limited Growth Mechanism)使其具有十分优异的低温生长性能，在100℃以内甚至室温条件下，可以保证优异的膜生长均匀性、保形性以及精确到纳米量级的膜厚度控制性。ALD所展现出来的独特优势，也使其在近年来快速发展的有机电子、印刷电子以及柔性电子领域展现出极具优势的广阔的应用前景。
[0003]现有的原子层沉积主要是将反应液体气化后通过载气的携带进入原子层沉积的反应室内，反应气体与反应室内的基板进行反应。
[0004]专利技术人发现现有技术至少存在如下问题，在原子层沉积反应过程中一般需要设置反应液体室和载气源，并且反应液体室和载气源通过许多复杂的管道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积反应气体的制备机构，其特征在于，包括：反应源，所述反应源内可操作地储有原子层沉积反应液；载气源，所述载气源通过载气管道与所述反应源连通，所述载气管道可操作地插入所述反应液内；反应气体罐，所述反应气体罐与所述反应源连通，所述反应气体罐能够密封。2.根据权利要求1所述的原子层沉积反应气体的制备机构，其特征在于，所述原子层沉积反应气体的制备机构还包括第一加热装置，所述第一加热装置可操作地加热所述反应源内的反应液。3.根据权利要求2所述的原子层沉积反应气体的制备机构，其特征在于，所述第一加热装置为加热釜，所述反应源位于所述加热釜中。4.根据权利要求1所述的原子层沉积反应气体的制备机构，其特征在于，所述载气管道上设置第一开关阀；所述制备机构还包括真空泵，所述真空泵与所述载气管道连通。5.根据权利要求4所述的原子层沉积反应气体的制备机构，其特征在于，所述真空泵与所述反应气体罐可操作地连通。6.根据权利要求5所述的原子层沉积反应气体的制备机构，其特征在于，所述制备机构还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：周向前，
申请(专利权)人：周向前，
类型：发明
国别省市：