【技术实现步骤摘要】
磁场开关和磁场开关的操作方法
[0001]本专利技术实施例涉及微米/纳米级加工领域,特别涉及一种磁场开关和磁场开关的操作方法。
技术介绍
[0002]在卷对卷纳米压印加工过程中,一般会采用厚度约为150μm的超薄纳米压印镍模对待加工件进行压印,在实际情况中,一般会将镍模固定在承载物的外表面,在本案中承载物为圆柱,圆柱带动镍模进行旋转实现对待加工件的压印。
[0003]专利技术人发现现有技术存在如下问题,由于镍模非常薄,很难在不损坏镍模的情况下将镍模完整地固定在圆柱的外环面上。而且采用镍模压印,镍模需完全贴服于圆柱体的外表面,否则在压印过程中,由于镍模表面不平整,压印出来的图案也会变形,从而极大地影响加工质量。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施方式的目的在于提供一种磁场开关和磁场开关的操作方法,使得在不破坏模具的前提下,能够将模具完全贴服的贴于承载物的表面。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术的实施方式提供了一种磁场开关,包括:
[0006]闩锁,所述闩锁包括:多个磁体件 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁场开关,其特征在于,所述磁场开关包括:闩锁,所述闩锁包括:多个磁体件和多个非磁体件,所述多个磁体件和所述多个非磁体件沿预设方向相互交叠设置;以及罩体,所述罩体上具体磁性屏蔽区和磁性非屏蔽区,所述屏蔽区和所述非屏蔽区沿所述预设方向相互交替设置;其中,所述闩锁沿所述预设方向可移动地设置于所述罩体内,所述多个屏蔽区分别可操作地对应设置于所述多个磁体件外。2.根据权利要求1所述的磁场开关,其特征在于,所述磁体件包括至少一组磁体组,所述磁体组包括多个磁体,所述多个磁体排列成海尔贝克阵列。3.根据权利要求1所述的磁场开关,其特征在于,沿所述预设方向所述屏蔽区的长度大于或等于所述磁体件的长度。4.根据权利要求1所述的磁场开关,其特征在于,沿所述预设方向,相邻两个磁体件的磁性相反。5.根据权利要求1所述的磁场开关,其特征在于,沿所述预设方向,所述非屏蔽区的长度小于或等于所述磁体件的长度。6.根据权利要求5所述的磁场开关,其特征在于,所述磁体件包括两组磁体组,所述两组磁体组沿所述预设方向依次排列;一组所述磁体组的磁场可操作的通过所述非屏蔽区暴露出所述罩体外。7.根据权利要求5所述的磁场开关,其特征在于,沿所述预设方向,所述非屏蔽区的长度等于一组所述磁体组的长度。8.根据权利要求6所述的磁场开关,其特征在于,所述磁体件还包括设置于两组所述磁体组之间的非磁性隔离板。9.根据权利要求2至8任意一项所述的磁场开关,其特征在于,所述闩锁呈长条形,所述罩体沿所述闩锁的长度方向延伸成长条形套筒,所述预设方向为所述闩锁的轴线方向或所述闩锁的周向方向。10.根据权利要求9所述的磁场开关,其特征在于,所述预设方向为所述闩锁的轴线方向,所述磁体组中的所述多个磁体绕所述闩锁的轴线环设。11.根据权利要求10所述的磁场开关,其特征在于,各所述磁体呈扇形。12.根据权利要求10所述的磁场开关,其特征在于,所述磁体组中部分所述磁体充磁方向沿径向向内,部分所述磁体充磁方向沿径向向外。13.根据权利要求10所述的磁场开关,其特征在于,所述磁体组中部分相邻两个所述磁体充磁方向沿周向,且充磁方向相反。14.根据权利要求10所述的磁场开关,其特征在于,所述磁体组包括:沿周向方...
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