低制造成本的横向超结MOSFET结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低制造成本的横向超结MOSFET结构，在硅衬底上设有二氧化硅绝缘埋层，在二氧化硅绝缘埋层上设有N

【技术实现步骤摘要】
低制造成本的横向超结MOSFET结构


[0001]本技术属于微电子结构
，具体地说是一种低制造成本的横向超结MOSFET结构。

技术介绍

[0002]目前，常规的超结MOSFET为纵向结构，它包括硅衬底、N
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型漂移区、P
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型柱、P
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型体区、N+型源区、源极接触金属、N+型漏极接触区、漏极接触金属、二氧化硅栅极氧化层与栅极接触金属。这种超结MOSFET在制造时需要频繁的外延步骤，制造成本较高且制造周期较长。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种在制造时可以消除频繁的外延沉积制造步骤、大大降低制造总成本的横向超结MOSFET。
[0004]按照本技术提供的技术方案，所述低制造成本的横向超结MOSFET结构，包括硅衬底、二氧化硅绝缘埋层、N
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型漂移区、P
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型柱、P
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型体区、N+型源区、源极接触金属、N+型漏极接触区、漏极接触金属、二氧化硅栅极氧化层与栅极接触金属；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低制造成本的横向超结MOSFET结构，包括硅衬底（1）、二氧化硅绝缘埋层（2）、N
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型漂移区（3）、P
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型柱（4）、P
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型体区（5）、N+型源区（6）、源极接触金属（7）、N+型漏极接触区（8）、漏极接触金属（9）、二氧化硅栅极氧化层（10）与栅极接触金属（11）；其特征是：在硅衬底（1）上设有二氧化硅绝缘埋层（2），在二氧化硅绝缘埋层（2）上设有N
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型漂移区（3），在N
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型漂移区（3）上设有横卧的P
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型柱（4）与P
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型体区（5），在P
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型体区（5）上设有N+型源区（6），在P
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型体区...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜鹏，
申请(专利权)人：无锡紫光微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：