【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氟硅橡胶层叠体的制造方法以及氟硅橡胶层叠体
[0001]本专利技术涉及一种氟硅橡胶层叠体的制造方法、以及通过该制造方法得到的氟硅橡胶层叠体。
技术介绍
[0002]以具有3,3,3
‑
三氟丙基等氟烷基的聚有机硅氧烷为主成分的氟硅橡胶组合物形成耐热性、耐寒性、耐油性、耐燃料油性优异的氟硅橡胶,因此用作定影辊、送纸辊等橡胶材料;或汽车用或者航空器用的橡胶材料。但是,氟硅橡胶组合物存在不易直接粘接于金属、塑料等基材的问题。因此,为了将氟硅橡胶组合物粘接于金属、塑料等基材,提出了使用底层涂料组合物。
[0003]例如,在专利文献1中,提出了使用包含具有含氟有机基团,分子两末端具有氢硅烷基的有机硅化合物;以及铂系催化剂的底层涂料组合物,此外,在专利文献2中,提出了使用包含含硅原子键合氢原子的氟硅氧烷;以及铂系催化剂的底层涂料组合物。另一方面,在专利文献3中,提出了如下方法:使氟硅橡胶组合物与利用底层涂料组合物进行了处理的基材接触,使其固化,所述氟硅橡胶组合物包含:含有规定量的3,3,3
‑
三氟丙基的、聚合度1000以上的聚有机硅氧烷;微粉末状二氧化硅系填充剂;硅原子键合氢原子的含量为0.8重量%以上的有机氢聚硅氧烷;以及有机过氧化物,所述底层涂料组合物以含烯基的有机烷氧基硅烷为主成分。
[0004]但是,在专利文献1、2中提出的底层涂料组合物同时含有具有硅原子键合氢原子的化合物和铂系催化剂,因此由于硅原子键合氢原子的脱氢反应等,无法提高期待的程度的粘接性,此外,在专利文献3中
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种氟硅橡胶层叠体的制造方法,所述制造方法至少由下述工序(1)~(2)构成:(1)将底层涂料组合物涂布于基材,接着,通过干燥或固化,在所述基材的表面形成底层涂料层的工序;(2)使氟硅橡胶组合物与所述底层涂料层接触,接着,通过该组合物的固化,将氟硅橡胶粘接于所述底层涂料层的工序,在此,所述氟硅橡胶组合物含有铂系催化剂和/或含硅原子键合氢原子的氟硅氧烷,所述底层涂料组合物含有铂系催化剂或含硅原子键合氢原子的氟硅氧烷,不过,所述底层涂料组合物不同时含有铂系催化剂和含硅原子键合氢原子的氟硅氧烷,所述底层涂料组合物或所述氟硅橡胶组合物中的任一者含有铂系催化剂或含硅原子键合氢原子的氟硅氧烷。2.根据权利要求1所述的方法,其中,基材为金属或塑料。3.根据权利要求1所述的方法,其中,氟硅橡胶组合物至少包含如下(a)、(b)、(c):(a)为(a1)或所述成分(a1)与(a2)的混合物,所述(a1)为在一个分子中具有至少两个烯基,硅原子键合全部有机基团的至少20摩尔%为氟烷基的聚有机硅氧烷,所述(a2)为在一个分子中具有至少两个烯基,不具有氟烷基或即使具有氟烷基,也小于硅原子键合全部有机基团的至多20摩尔%的聚有机硅氧烷;(b)有机过氧化物;和(c)铂系催化剂,底层涂料组合物至少包含如下(d)、(e)、(f):(d)含硅原子键合氢原子的氟硅氧烷;(e)烷氧基硅烷和/或其部分水解缩合物;和(f)缩合反应用催化剂。4.根据权利要求3所述的方法,其中,(d)成分为选自下述通式所示的氟硅氧烷、或下述平均单元式所示的氟硅氧烷中的至少一种,所述通式为:R
13
SiO(R1R
f
SiO)
m
(R1HSiO)
n
SiR
13
式中,R1相同或不同,为不具有脂肪族不饱和键的碳原子数1~20的一价烃基,R
f
为相同或不同的氟烷基,m为1以上的整数,n为2以上的整数,且m和n的合计为5~100的整数,所述平均单元式为:[HR
12
SiO
1/2
]
a
(R
f
SiO
3/2
)
b
式中,R1和R
f
与所述相同,a、b分别为满足0<a<1,0<b<1,且a+b=1的数。5.根据权利要求1所述的方法,其中,氟硅橡胶组合物至少包含如下(a)、(b)、(d):(a)为(a1)或所述成分(a1)与(a2)的混合物,所述(a1)为在一个分子中具有至少两个
烯基,硅原子键合全部有机基团的至少20摩尔%为氟烷基的聚有机硅氧烷,所述(a2)为在一个分子中具有至少两个烯基,不具有氟烷基或即使具有氟烷基,也小于硅原子键合全部有机基团的至多20摩尔%的聚有机硅氧烷;(b)有机过氧化物;以及(d)含硅原子键合氢原子的氟硅氧烷,底层涂料组合物至少包含如下(c)、(e)、(f):(c)铂系催化剂;(e)烷氧基硅烷和/或其部分水解缩合物;和(f)缩合反应用催化剂。6.根据权利要求5所述的方法,其中,(d)成分为选自下述通式所示的氟硅氧烷、或下述平均单元式所示的氟硅氧烷中的至少一种,所述通式为:R
13
SiO(R1R
f
SiO)
m
(R1HSiO)
n
SiR
13
式中,R1相同或不同,为不具有脂肪族不饱和键的碳原子数1~20的一价烃基,R
f
为相同或不同的氟烷基,m为1以上的整数,n为2以上的整数,且m和n的合计为5~100的整数,所述平均单元式为:[HR
12
SiO
1/2
]
a
(R
f
技术研发人员:小渕喜一,石神直哉,长谷川知一郎,
申请(专利权)人:陶氏东丽株式会社,
类型:发明
国别省市:
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