一种改善EL黑边的方法技术

本发明专利技术属于单晶硅电池技术领域，具体涉及一种改善EL黑边的方法，选择性发射极SE技术在绘图时，对两侧边缘的三根细栅线进行双线雕刻。目前选择性发射极(SE)技术在绘图时，细栅线均采用单线进行雕刻，本发明专利技术设计的新图形是通过把边缘三根细栅线进行双线雕刻，在不影响产能的情况下，可以有效降低EL黑边的问题，减少不良品的产生，提升良率。本发明专利技术设计方案在现有激光掺杂设备上均是可完全兼容，不会增加成本，并且在工业化生产过程中稳定性好，不会影响正常生产。影响正常生产。影响正常生产。

【技术实现步骤摘要】
一种改善EL黑边的方法


[0001]本专利技术属于单晶硅电池
，具体涉及一种改善EL黑边的方法。

技术介绍

[0002]随着晶硅电池科学与技术的发展，PERC电池已经逐渐成为市场主流，在未来几年的发展中PERC电池及PERC叠加新技术电池会逐渐成熟，走向工业化生产。PERC叠加选择性发射极(SE)技术是一种有效的提升电池效率的技术路径，这种电池结构，金属化区域浓扩散区结深大，烧结过程中金属等杂质不易进入耗尽区形成深能级，反向漏电小，并联电阻高；光照区域掺杂浓度低，可以减少电池发射极和表面的少子复合，少子寿命高，短波响应好，短路电流高；轻掺杂和重掺杂形成高低结，对发射极形成的少子形成势垒，将少子推向PN结(类似铝背场的作用)，选择性发射极可以增加光生载流子，降低暗电流，提高开路电压。

技术实现思路

[0003]本专利技术目的在于克服现有技术的不足，提供一种改善EL黑边的方法。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种改善EL黑边的方法，步骤包括：在选择性发射极(SE)技术在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善EL黑边的方法，其特征在于，选择性发射极SE技术在绘图时，对两侧边缘的三根细栅线进行双线雕刻。2.根据权利要求1所述的一种改善EL黑边的方法，其特征在于，双线雕刻的两根细栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王琳琳，曾玉婷，张鹏，常青，莫建宏，
申请(专利权)人：江西中弘晶能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：