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本发明属于单晶硅电池技术领域，具体涉及一种改善EL黑边的方法，选择性发射极SE技术在绘图时，对两侧边缘的三根细栅线进行双线雕刻。目前选择性发射极(SE)技术在绘图时，细栅线均采用单线进行雕刻，本发明设计的新图形是通过把边缘三根细栅线进行双线...
该专利属于江西中弘晶能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西中弘晶能科技有限公司授权不得商用。

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