发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含多个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及多个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成于环绕部上，并通过多个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。半导体结构上。半导体结构上。

【技术实现步骤摘要】
发光元件
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201810058016.6，申请日：2018年01月22日，专利技术名称：发光元件)的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种发光元件的一结构，且特别是涉及一种包含一半导体结构及一焊垫位于半导体结构上的发光元件。

技术介绍

[0003]发光二极管(Light
‑
EmittingDiode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。

技术实现思路

[0004]一种发光元件包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含多个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及多个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成在环绕部上，并通过多个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。
附图说明
[0005]图1为本专利技术一实施例中所揭示的一发光元件2的上视图；
[0006]图2为沿着图1的线B
‑
B
’
所揭示的发光元件2的剖视图；
[0007]图3为沿着图1的线C<br/>‑
C
’
所揭示的发光元件2的剖视图；
[0008]图4为图1所揭示的发光元件2的各层上视图；
[0009]图5为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2的烧毁区域的上视图；
[0010]图6为传统发光元件3的烧毁区域的上视图；
[0011]图7为一突波(surge)于过度电性应力(ElectricalOverStress,EOS)测试下的电压波型图；
[0012]图8为突波(surge)的最大施加电压对可导通的正向电压(forwardvoltage,Vf)的一图表；
[0013]图9为突波(surge)的最大施加电压对反向电流(reversecurrent,Ir)的一图表；
[0014]图10为本专利技术一实施例的发光装置30的示意图；
[0015]图11为本专利技术一实施例的发光装置4的示意图。
[0016]符号说明
[0017]2发光元件
[0018]3传统发光元件
[0019]4发光装置
[0020]10b半导体叠层
[0021]11b基板
[0022]20b、20b'第一绝缘结构
[0023]30发光装置
[0024]30b透明导电层
[0025]40b反射层
[0026]41b阻障层
[0027]50b、50b'第二绝缘结构
[0028]60b接触层
[0029]60b'接触层
[0030]70b第三绝缘结构
[0031]80b第一焊垫
[0032]90b第二焊垫
[0033]100b通孔
[0034]101b第一半导体层
[0035]102b第二半导体层
[0036]102sb表面
[0037]103b活性层
[0038]111b环绕部
[0039]201b环绕绝缘部分
[0040]203b环形覆盖区
[0041]301tb开口
[0042]401tb开口
[0043]411tb开口
[0044]501b开口
[0045]503b开口
[0046]505b外围
[0047]600b第一接触部分
[0048]601b第二接触部分
[0049]602b第三接触部分
[0050]701b第一开口
[0051]702b第二开口
[0052]1000b半导体结构
[0053]1002b内侧壁
[0054]1001b第二外侧壁
[0055]1003b第一外侧壁
[0056]1011b第一表面
[0057]1012b第二表面
[0058]2011b凸出部
[0059]2012b凹陷部
[0060]5051b凸出部
具体实施方式
[0061]为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，请参照下列实施例的描述并配合相关附图。但是，以下所示的实施例用于例示本专利技术的发光元件，并非将本专利技术限定于以下的实施例。又，本说明书记载于实施例中的构成零件的尺寸、材质、形状、相对配置等在没有限定的记载下，本专利技术的范围并非限定于此，而仅是单纯的说明而已。且各附图所示构件的大小或位置关系等，会由于为了明确说明有加以夸大的情形。更且，在以下的描述中，为了适切省略详细说明，对于同一或同性质的构件用同一名称、符号显示。
[0062]如图1至图4所示，图1为本专利技术一实施例中所揭示的一发光元件2的上视图。图2为沿着图1的线B
‑
B
’
所揭示的发光元件2的剖视图。图3为沿着图1的线C
‑
C
’
所揭示的发光元件2的剖视图。图4为图1所揭示的发光元件2的流程图。
[0063]发光元件2包含一基板11b；一或多个半导体结构1000b位于基板11b上；一环绕部111b位于一或多个半导体结构上及/或环绕一或多个半导体结构1000a；一第一绝缘结构20b位于半导体结构1000b上，并沿着环绕部111b形成；一透明导电层30b位于一或多个半导体结构1000b上；一反射结构包含一反射层40b及一阻障层41b位于透明导电层30b上；一第二绝缘结构50b覆盖反射层40b及阻障层41b；一接触层60b位于第二绝缘结构50b上；一第三绝缘结构70b位于接触层60b上；以及一第一焊垫80b和一第二焊垫90b位于接触层60b上。
[0064]如图1至图4所示，在发光元件2的制造流程中包含，首先在基板11b上形成半导体叠层10b。基板11b可以是蓝宝石基板，但并不限于此。在一实施例中，基板11b包含一图案化表面。图案化表面包括多个图案。图案的形状包括圆锥(cone)，角锥(pyramid)或半球形。
[0065]在本专利技术的一实施例中，基板11b为一成长基板，用以外延成长半导体叠层10b，包括用以成长磷化铝镓铟(AlGaInP)的砷化镓(GaAs)晶片，或用以成长氮化铟镓(InGaN)的蓝宝石(Al2O3)晶片、氮化镓(GaN)晶片或碳化硅(SiC)晶片。
[0066]在本专利技术的一实施例中，基板11b包含一图案化表面位于半导体结构1000b和基板11b之间，其可提高发光元件的光取出效率。基板11b的裸露面可包含一图案化表面(图未示)。图案化表面可为各种图案，例如不规则图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；环绕部，包含未被该第二半导体层及该活性层覆盖的该第一半导体层的第一表面，位于该半导体结构的外围，且环绕该半导体结构，该环绕部还包含第一外侧壁和第二外侧壁倾斜于该第一表面；第一绝缘结构，位于该半导体结构上，在该发光元件的一上视图中，包含多个凸出部延伸自该第二半导体层的上表面并覆盖该第二外侧壁，该第一半导体层的该第一表面的多个部分，以及该第一外侧壁，及多个凹陷部以露出未被该多个凸出部所覆盖的该第一半导体层的该第一表面的其他部分，且两个该凸出部之间的一区域构成各该多个凹陷部；第一接触部分，形成于该环绕部上，并通过该多个凹陷部以不连续地接触该第一半导体层的该第一表面，其中该第一接触部分沿着该第一绝缘结构的外围具有凹凸上表面；第一焊垫，形成在该半导体结构上；以及第二焊垫，形成在该半导体结构上。2.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；环绕部，包含未被该第二半导体层及该活性层覆盖的该第一半导体层的第一表面，位于该半导体结构的外围，且环绕该半导体结构；反射结构，位于该半导体结构上；第二绝缘结构，位于该反射结构及该环绕部上，在该发光元件的一上视图中，包含多个凸出部自该反射结构延伸覆盖该第一半导体层的该第一表面的多个部分，及多个凹陷部以露出未被该多个凸出部所覆盖的该第一半导体层的该第一表面的其他部分，且两个该凸出部之间的区域构成各该多个凹陷部；第一接触部分，形成于该环绕部上，并通过该多个凹陷部以不连续地接触该第一半导体层的该第一表面，其中该第一接触部分沿着该第二绝缘结构的外围具有凹凸上表面；第一焊垫，形成在该半导体结构上；以及第二焊垫，形成在该半导体结构上...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭兴，王佳琨，庄文宏，曾咨耀，吕政霖，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：