一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法技术

一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法，属于发光二极管的制备技术领域，该深紫外发光器件，包括由下而上设置的电子注入层、多量子阱层和空穴注入层，电子注入层和多量子阱层之间设置有铝组分呈梯度渐变的第一电子阻挡层，空穴注入层和多量子阱层之间设置有铝组分呈尖峰式渐变的第二电子阻挡层，本发明专利技术的有益效果是，本发明专利技术通过改进器件结构和电子阻挡层结构，有效解决了电子溢流效应，增加了向多量子阱层中注入的空穴数量，削弱了能带弯曲现象，提升了器件的发光质量。提升了器件的发光质量。提升了器件的发光质量。

【技术实现步骤摘要】
一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管的制备
，尤其涉及一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(light
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emitting diode，LED)是一种常用的发光器件，自专利技术以来已经经过了三十多年技术发展。LED与传统光源相比可以做到开启瞬间发光，不需要预热时间，并且拥有更长的寿命且对环境无污染。所以随着科技的不断进步和技术的发展，LED已经在可见光波段已经取得了巨大的成功，可以代替常规钨丝灯和荧光管应用于日常照明和显示中。但在紫外波段，尤其是深紫外LED的表现还存在很大的提升空间。
[0003]深紫外波段根据波长可分为以下三个区域，首先从400nm到320nm称为UVA或长波紫外；其次从320nm到280nm称为UVB或紫外区域；最后从280nm到100nm称为UVC或短波紫外。紫外光广泛应用在消毒、食品、药品、医疗等多种领域，深紫外区域包括UVB和UVC两个区域，在杀菌消毒和短波紫外通讯中有着不可替代的作用。而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
上生长所述电子注入层，所述电子注入层上设置有N型电极；所述空穴注入层上设置有p
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GaN层，所述p
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GaN层上设置有P型电极，所述N型电极和P型电极欧姆接触相连。10.一种如权利要求1～9任意一项所述的具有双电子阻挡层的深紫外发光器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层Ⅰ、AlN本征层、缓冲层Ⅱ和电子注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭泽昊，胡新星，赵海明，仇成功，左万胜，袁松，钮应喜，
申请(专利权)人：芜湖启迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：