【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光元件
[0001]本技术涉及半导体
,具体涉及一种半导体发光元件。
技术介绍
[0002]发光二极管(LED)是一种半导体发光元件,广泛应用于各类家电产品以及各式仪器指示灯或固态照明光源。LED利用半导体PN结注入式电致发光原理制成,具有能耗低、体积小、寿命长、稳定性好等优点,已逐渐取代传统光源。
[0003]其中,如何改善电极的稳定性以及提高出光效率成为目前关注的重点。现有发光二极管结构通常包括衬底,第一类型电性半导体层、发光层,第二类型导电性半导体层以及分别形成于第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层上的第一电极和第二电极,透明导电层覆盖在第一导电类型半导体层上。在LED中,由于载流子在p型半导体层中迁移率低,容易在第一电极底部造成电流集中,影响半导体二极管的发光效率以及可靠性。现有技术常见的正装发光二极管中,第一电极焊盘下表面会覆盖电流阻挡层,电流阻挡层与第一电极焊盘中间至少存在部分透明导电层,通过这种结构实现阻挡电流沿第一焊盘的垂直方向传播增加电流的横向传播。
[0004]但是 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件,由下至上依次包括衬底、第二半导体层、发光层、第一半导体层和透明导电层,所述第一半导体层与第一电极电性相接,其特征在于,所述透明导电层上设有开孔,位于所述开孔处的所述第一半导体层的上表面设有第一阻流层,所述第一阻流层包括中心部和外环部,所述中心部与外环部之间形成有第一间隙,所述透明导电层仅与外环部相接触;其中,所述第一电极的焊盘部完全覆盖所述中心部,并通过所述第一间隙与所述第一半导体层电性相接。2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述外环部内轮廓与中心部的形状相似,所述第一间隙为中心部的外表面与外环部的内表面形成的环形槽,用于将外环部与中心部完全分割。3.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述外环部的外侧形成有多个的加大部,所述加大部相对于外环部的中心呈凸起状。4.根据权利要求3所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述外环部的最小宽度大于5μm,最大宽度小于20μm。5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:管楚云,简弘安,张亚,
申请(专利权)人:江西兆驰半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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