输出匹配电路、射频功率放大器及射频芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种输出匹配电路，包括依次连接的第一低通匹配网络、第二低通匹配网络、第三低通匹配网络、第四低通匹配网络、串联匹配网络、并联谐振网络、串联谐振网络以及输出端口；串联匹配网络包括第五匹配电感和第五匹配电容；并联谐振网络包括第六谐振电感和第六谐振电容，且谐振于二阶谐波频率点；串联谐振网络包括第七谐振电容和第七谐振电感，且谐振于四阶谐波频率点；并联谐振网络位于串联匹配网络和串联谐振网络之间。本实用新型专利技术还提供一种射频功率放大器及射频芯片。与现有技术相比，本实用新型专利技术的输出匹配电路、射频功率放大器及射频芯片的结构简单易实现且谐波抑制效果更好。果更好。果更好。

【技术实现步骤摘要】
输出匹配电路、射频功率放大器及射频芯片


[0001]本技术涉及无线通信射频芯片设计
，尤其涉及一种具有谐波高抑制效果的输出匹配电路、射频功率放大器及射频芯片。

技术介绍

[0002]射频功率放大器，作为手机通信系统的重要组成部分，主要用于对射频信号的放大，其主要的技术指标是输出功率和效率，以及输出的射频信号中尽可能小的谐波分量，以避免对其它频道产生干扰。
[0003]随着手机通信系统的不断发展，对射频功率放大器的发射功率的要求也不断提高。射频功率放大器发射功率的提高带来的便是更高的谐波指标，谐波的恶化会严重影响到通信的质量。传统的射频功率放大器的输出匹配网络采用的是四级低通LC匹配网络，这种匹配网络对射频功率放大器的谐波抑制能力有限。因此，射频功率放大器输出的后端的匹配网络需要对射频功率放大器的各阶谐波要有更高的抑制能力。

技术实现思路

[0004]针对以上相关技术的不足，本技术提出一种结构简单易实现，且谐波抑制效果更强的输出匹配电路、射频功率放大器及射频芯片。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种输出匹配电路，包括依次连接的第一低通匹配网络、第二低通匹配网络、第三低通匹配网络、第四低通匹配网络、串联匹配网络、并联谐振网络、串联谐振网络以及输出端口；
[0006]所述第一低通匹配网络的输入端作为所述输出匹配电路的输入端，用于连接至输出级功率放大器的输出端；
[0007]所述串联匹配网络包括第五匹配电感和第五匹配电容，所述第五匹配电感的第一端作为所述串联匹配网络的输入端并连接至所述第四低通匹配网络的输出端；所述第五匹配电感的第二端连接至所述第五匹配电容的第一端，所述第五匹配电容的第二端作为所述串联匹配网络的输出端；
[0008]所述并联谐振网络包括第六谐振电感和第六谐振电容，所述第六谐振电感的第一端以及所述第六谐振电容的第一端均连接至所述第五匹配电容的第二端，所述第六谐振电感的第二端连接至所述第六谐振电容的第二端，并作为所述输出匹配电路的输出端连接至所述输出端口；其中，所述并联谐振网络谐振于二阶谐波频率点；
[0009]所述串联谐振网络包括第七谐振电容和第七谐振电感，所述第七谐振电容的第一端连接至所述第六谐振电感的第二端，所述第七谐振电容的第二端连接至所述第七谐振电感的第一端，所述第七谐振电感的第二端连接至接地；其中，所述串联谐振网络谐振于四阶谐波频率点。
[0010]优选的，所述第一低通匹配网络包括第一匹配电感、第一匹配电容以及第一谐振电感，所述第一匹配电感的第一端作为所述第一低通匹配网络的输入端，所述第一匹配电
感的第二端作为所述第一低通匹配网络的输出端，并依次串联所述第一匹配电容和所述第一谐振电感后连接至接地。
[0011]优选的，所述第二低通匹配网络、所述第三低通匹配网络以及所述第四低通匹配网络的结构与所述第一低通匹配网络的结构相同；所述第二低通匹配网络的输入端连接至所述第一低通匹配网络的输出端，所述第三低通匹配网络的输入端连接至所述第二低通匹配网络的输出端，所述第四低通匹配网络的输入端连接至所述第三低通匹配网络的输出端。
[0012]本技术实施例还提供一种射频功率放大器，包括本技术实施例提供的上述输出匹配电路。
[0013]本技术实施例还提供一种射频芯片，包括本技术实施例提供的上述射频功率放大器。
[0014]与现有技术相比，本技术的输出匹配电路、射频功率放大器及射频芯片中，通过在传统采用四级低通匹配网络的输出匹配电路中增加一组串联匹配网络和两组谐振网络，包括一组并联谐振网络和一组串联谐振网络，并使得并联谐振网络位于串联匹配网络与串联谐振网络之间，上述结构简单且易实现；通过控制串联匹配网络和两组谐振网络中的电感和电容的参数，使其对二阶及以上的阶次谐波进行抑制，从而实现比传统技术的输出匹配电路的更优的谐波抑制效果。
附图说明
[0015]下面结合附图详细说明本技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
[0016]图1为相关技术的输出匹配电路的电路结构示意图；
[0017]图2为本技术实施例提供的输出匹配电路的结构示意图；
[0018]图3为本技术实施例提供的输出匹配电路与相关技术的输出匹配电路对谐波抑制能力的仿真对比图。
具体实施方式
[0019]下面结合附图详细说明本技术的具体实施方式。
[0020]在此记载的具体实施方式/实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本技术实施方式及本技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本技术的保护范围之内。
[0021]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。本技术所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧面等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。
[0022]请参图1所示，为相关技术的输出匹配电路的电路结构示意图。相关技术的输出匹
配电路采用四级低通LC匹配网络，这种输出匹配电路对射频功率放大器的谐波抑制能力有限。基于此，本技术提供一种谐波抑制能力更好的输出匹配电路。
[0023]请参图2所示，为本技术实施例提供的输出匹配电路的结构示意图，其中已连接至用于输出射频信号的输出级功率放大器。本技术实施例提供的输出匹配电路100，其在相关技术采用四级低通LC匹配网络的输出匹配电路中增加一组串联匹配网络和两组谐振网络。具体的，包括依次连接的第一低通匹配网络1、第二低通匹配网络2、第三低通匹配网络3、第四低通匹配网络4、串联匹配网络5、并联谐振网络6、串联谐振网络7以及输出端口FRout。
[0024]所述第一低通匹配网络1的输入端作为所述输出匹配电路100的输入端，用于连接至输出级功率放大器8的输出端。
[0025]具体的，所述第一低通匹配网络1包括第一匹配电感L01、第一匹配电容C01以及第一谐振电感L1，所述第一匹配电感L01的第一端作为所述第一低通匹配网络1的输入端，所述第一匹配电感L01的第二端作为所述第一低通匹配网络1的输出端，并依次串联所述第一匹配电容C01和所述第一谐振电感L1后连接至接地。
[0026]所述第二低通匹配网络2、所述第三低通匹配网络3以及所述第四低通匹配网络4的结构与所述第一低通匹配网络1的结构相同。所述第二低通匹配网络2的输入端连接至所述第一低通匹配网络1的输出端，所述第三低通匹配网络3的输入端连接至所述第二低通匹配网络2的输出端，所述第四低通匹配网本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输出匹配电路，其特征在于，包括依次连接的第一低通匹配网络、第二低通匹配网络、第三低通匹配网络、第四低通匹配网络、串联匹配网络、并联谐振网络、串联谐振网络以及输出端口；所述第一低通匹配网络的输入端作为所述输出匹配电路的输入端，用于连接至输出级功率放大器的输出端；所述串联匹配网络包括第五匹配电感和第五匹配电容，所述第五匹配电感的第一端作为所述串联匹配网络的输入端并连接至所述第四低通匹配网络的输出端；所述第五匹配电感的第二端连接至所述第五匹配电容的第一端，所述第五匹配电容的第二端作为所述串联匹配网络的输出端；所述并联谐振网络包括第六谐振电感和第六谐振电容，所述第六谐振电感的第一端以及所述第六谐振电容的第一端均连接至所述第五匹配电容的第二端，所述第六谐振电感的第二端连接至所述第六谐振电容的第二端，并作为所述输出匹配电路的输出端连接至所述输出端口；其中，所述并联谐振网络谐振于二阶谐波频率点；所述串联谐振网络包括第七谐振电容和第七谐振电感，所述第七谐振电容的第一端连接至所述第六谐振电感的第二端，所述第七谐振电容的第二端连接至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄焕，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：