封装壳体的制备方法及封装芯片的制备方法技术

本公开实施例公开了一种封装壳体的制备方法及封装芯片的制备方法，所述封装体的制备方法包括：提供基板；其中，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的所述第一表面形成开孔；其中，所述开孔的底部位于所述基板中；将所述基板形成有所述开孔的所述第一表面与承载体键合；其中，所述承载体覆盖所述开孔；在所述第一表面与所述承载体键合之后，在所述基板的所述第二表面形成凹槽；其中，在垂直于所述基板的方向上，所述凹槽与所述开孔连通；将所述基板形成有所述凹槽的所述第二表面固定于承载层上；在所述第二表面与所述承载层固定之后，去除所述承载体；在去除所述承载体后，去除所述承载层。去除所述承载层。去除所述承载层。

【技术实现步骤摘要】
封装壳体的制备方法及封装芯片的制备方法


[0001]本公开实施例涉及半导体封装
，特别涉及一种封装壳体的制备方法及封装芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片的封装工艺，是指将由晶圆切割下来的一个或者多个半导体芯片包封、固定到用于防止物理损伤、腐蚀等的封装壳体中的工艺步骤，以此承载和支撑半导体芯片，避免半导体芯片与外部环境直接接触，防止半导体芯片损伤失效。
[0003]在集成电路中，可将多种半导体芯片以及其他电子元件集成在一起构成电子系统。对电子系统功能多元化、复杂化需求逐步提高的同时，要求电子系统的体积、功耗、重量进一步减小，促进了电子集成技术的飞速发展。不同半导体芯片之间功能各异，工艺节点、晶圆尺寸和半导体芯片尺寸相差巨大。如何实现这些不同尺寸、不同材料、不同工艺以及不同功能的半导体芯片的封装与集成，如何提高封装壳体制备过程的良率成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种封装壳体的制备方法及封装芯片的制备方法。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种封装壳体的制备方法，包括：提供基板；其中，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的所述第一表面形成开孔；其中，所述开孔的底部位于所述基板中；将所述基板形成有所述开孔的所述第一表面与承载体键合；其中，所述承载体覆盖所述开孔；在所述第一表面与所述承载体键合之后，在所述基板的所述第二表面形成凹槽；其中，在垂直于所述基板的方向上，所述凹槽与所述开孔连通；将所述基板形成有所述凹槽的所述第二表面固定于承载层上；在所述第二表面与所述承载层固定之后，去除所述承载体；在去除所述承载体后，去除所述承载层。
[0006]在一些实施例中，在形成所述开孔前，所述方法还包括：形成覆盖所述第一表面的介质层；其中，所述介质层中嵌设有电连接结构；所述开孔包括连通的第一子孔和第二子孔；所述在所述基板的所述第一表面形成开孔，包括：在所述开孔的预设形成位置，对所述介质层进行第一蚀刻，直至显露所述基板，以形成所述第一子孔；对所述第一子孔底部进行第二蚀刻，以贯穿部分厚度的所述基板，形成所述第二子孔；其中，所述第二子孔的底部位于所述基板中。
[0007]在一些实施例中，在形成所述第二子孔前，所述方法还包括：
形成覆盖所述第一子孔内壁的阻挡层；进行所述第二蚀刻包括：对所述第一子孔底部的所述阻挡层和所述基板进行所述第二蚀刻，以贯穿所述第一子孔底部的所述阻挡层以及部分厚度的所述基板，形成所述第二子孔。
[0008]在一些实施例中，所述将所述基板形成有所述开孔的所述第一表面与承载体键合，包括：形成所述开孔后，在所述介质层和/或所述承载体表面形成黏接层，通过所述黏接层键合所述介质层和所述承载体。
[0009]在一些实施例中，在形成所述黏接层之前，所述方法还包括：在所述开孔中形成填充物；其中，所述填充物至少闭合所述开孔的开口。
[0010]在一些实施例中，所述填充物的组成材料与所述黏接层的组成材料相同。
[0011]在一些实施例中，在去除所述承载体之后，所述方法还包括：去除所述黏接层和所述开孔中的所述填充物。
[0012]在一些实施例中，所述将所述基板形成有所述凹槽的所述第二表面固定于承载层上，包括：将所述基板形成有所述凹槽的所述第二表面粘贴于所述承载层上，以固定所述第二表面和所述承载层；所述在去除所述承载体后，去除所述承载层，包括：在去除所述黏接层和所述开孔中的所述填充物之后，去除所述承载层。
[0013]在一些实施例中，在形成所述凹槽之前，所述方法还包括：对所述基板的所述第二表面进行减薄；其中，减薄后的所述基板的厚度大于所述开孔的深度。
[0014]根据本公开实施例的第二方面，提供一种芯片封装的制备方法，包括：提供所述的方法制备的封装壳体；提供半导体芯片；将所述半导体芯片与所述封装壳体固定，所述半导体芯片设置在所述凹槽中；其中，所述开孔显露所述半导体芯片的至少部分区域。
[0015]在一些实施例中，所述半导体芯片的一面设置有焊盘，所述焊盘从所述开孔中显露，所述方法还包括：以导电材料填充所述开孔，以形成与所述焊盘耦接的导电插塞。
[0016]本公开实施例，在基板的第一表面形成开孔后，将基板的第一表面与承载体键合，承载体覆盖开孔。因为承载体对开孔的覆盖，所以可以通过承载体对基板进行真空吸附，进而便于在基板的第二表面形成与开孔连通凹槽，减少真空吸附失败导致基板碎片的几率，提高封装壳体的制备良率。并且，在承载体与基板形成有开孔的第一表面键合之后，在基板的传递过程以及形成凹槽等制备过程中，承载体与直接设备接触，减少基板第一表面的损伤。
附图说明
[0017]图1a是根据一示例性实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图一；图1b是根据一示例性实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图二；
图1c是根据一示例性实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图三；图1d是根据一示例性实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图四；图2是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的流程示意图；图3a是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图一；图3b是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图二；图3c是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图三；图3d是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图四；图3e是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图五；图3f是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图六；图3g是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图七；图3h是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图八；图4a是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图九；图4b是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图十；图4c是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图十一；图4d是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图十二；图4e是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图十三；图4f是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图十四；图4g是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图十五；图4h是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图十六；图4i是根据本公开实施例示出的一种封装壳体的制备方法的示意图十七；图5a是根据本公开实施例示出的一种封装芯片的制备方法的示意图一；图5b是根据本公开实施例示出的一种封装芯片的制备方法的示意图二；图5c是根据本公开实施例示出的一种封装芯片的制备方法的示意图三；图5d是根据本公开实施例示出的一种封装芯片的制备方法的示意图四。
具体实施方式
[0018]以下结合说明书附图及具体实施例对本公开的技术方案做进一步的详细阐述。
[0019]在本公开实施例中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装壳体的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；其中，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的所述第一表面形成开孔；其中，所述开孔的底部位于所述基板中；将所述基板形成有所述开孔的所述第一表面与承载体键合；其中，所述承载体覆盖所述开孔；在所述第一表面与所述承载体键合之后，在所述基板的所述第二表面形成凹槽；其中，在垂直于所述基板的方向上，所述凹槽与所述开孔连通；将所述基板形成有所述凹槽的所述第二表面固定于承载层上；在所述第二表面与所述承载层固定之后，去除所述承载体；在去除所述承载体后，去除所述承载层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述开孔前，所述方法还包括：形成覆盖所述第一表面的介质层；其中，所述介质层中嵌设有电连接结构；所述开孔包括连通的第一子孔和第二子孔；所述在所述基板的所述第一表面形成开孔，包括：在所述开孔的预设形成位置，对所述介质层进行第一蚀刻，直至显露所述基板，以形成所述第一子孔；对所述第一子孔底部进行第二蚀刻，以贯穿部分厚度的所述基板，形成所述第二子孔；其中，所述第二子孔的底部位于所述基板中。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述第二子孔前，所述方法还包括：形成覆盖所述第一子孔内壁的阻挡层；进行所述第二蚀刻包括：对所述第一子孔底部的所述阻挡层和所述基板进行所述第二蚀刻，以贯穿所述第一子孔底部的所述阻挡层以及部分厚度的所述基板，形成所述第二子孔。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述基板形成有所述开孔的所述第一表面与承载体键合，包括：形成所述开孔后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王逸群，汪松，孙远，刘天建，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：