本实用新型专利技术提供了一种N型电池POLY硅的沉积装置，该沉积装置包括承载机构及两个固定板，该两个固定板对向设置，承载机构则设置于两个固定板之间，以在两个固定板之间固定并承托若干硅片；该承载机构设置有若干个用于放置硅片的卡槽，各卡槽的中部均具有一凸起的卡齿，以将两个硅片具有间隙的放置于同一卡槽内。该N型电池POLY硅的沉积装置可以在同一卡槽内具有间隙的放置两个硅片，因而有效避免了硅片贴合过紧的弊端，可以使绕镀到正面的POLY硅容易去除干净；减小漏电、提高部分开路电压，增强钝化效果；进而提高TOPCon电池整体良率，在节约成本的同时实现产能的增长。在节约成本的同时实现产能的增长。在节约成本的同时实现产能的增长。
【技术实现步骤摘要】
N型电池POLY硅的沉积装置
[0001]本技术涉及太阳能电池片制造
，特别是涉及一种N型电池POLY硅的沉积装置。
技术介绍
[0002]TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池采用了隧穿钝化接触的方法，这种电池结构是在背面形成隧穿氧化层和掺杂POLY硅(Polysilicon，多晶硅)层，使载流子传输由多维变为一维，可以实现更好的钝化效果，有效减小金属化区域的复合。这种结构的电池具有高效率、长寿命和弱光响应好等优点。极大程度上提高电池的开路电压和填充因子，进而提升太阳能电池的转换效率。目前，现有技术中的N型TOPCon电池石英舟通常采用单槽双片的结构，这是由于考虑到单片方式进行工艺会影响实际产出，浪费大量资源；但是，由于存在BPSG(boron
‑
phosphorosilicate glass，硼磷硅玻璃)区域，在双片状态下，BPSG区域未被保护，容易被HF洗掉，导致去绕镀过程中正面绒面遭到破坏出现过抛现象；进而导致电池效率低及良率不高，浪费产能。
技术实现思路
[0003]本技术提供了一种可以在同一卡槽内具有间隙的放置两个硅片的N型电池POLY硅的沉积装置，用以有效有效避免同一卡槽内硅片贴合过紧的弊端，所述N型电池POLY硅的沉积装置包括两个固定板及承载机构，其中：
[0004]两个所述固定板对向设置，所述承载机构设置于两个所述固定板之间，以固定并承托硅片；
[0005]所述承载机构设置有若干个用于放置所述硅片的卡槽，所述卡槽中部具有一卡齿，以将两个所述硅片具有间隙的放置于同一卡槽内。
[0006]具体实施中，所述承载机构沿所述沉积装置的一侧设置有开口，所述开口用于沿所述沉积装置的一侧、且与所述承载机构垂直的放入所述硅片。
[0007]具体实施中，所述承载机构包括多个承载杆，多个所述承载杆平行设置于两个所述固定板之间，各所述承载杆均设置有位置相匹配的所述卡槽。
[0008]具体实施中，所述卡齿的顶部呈弧状设置。
[0009]具体实施中，所述卡齿的宽度为0.5毫米至1.5毫米。
[0010]具体实施中，所述卡齿的宽度为1毫米。
[0011]具体实施中，所述卡齿的高度为400微米至600微米。
[0012]本技术提供的N型电池POLY硅的沉积装置，包括两个固定板及承载机构，该两个固定板对向设置，承载机构则设置于两个固定板之间，以固定并承托若干硅片；该承载机构设置有若干个用于放置硅片的卡槽，各卡槽的中部均具有一凸起的卡齿，以将两个硅片具有间隙的放置于同一卡槽内。该N型电池POLY硅的沉积装置可以在同一卡槽内具有间隙的放置两个硅片，因而有效避免了硅片贴合过紧的弊端，可以使绕镀到正面的POLY硅容易
去除干净；减小漏电、提高部分开路电压，增强钝化效果；进而提高TOPCon电池整体良率，在节约成本的同时实现产能的增长。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些具体实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0014]图1是根据本技术一个具体实施方式中N型电池POLY硅的沉积装置的侧面结构示意图；
[0015]图2是根据本技术一个具体实施方式中卡齿的结构示意图；
[0016]图3是根据本技术一个具体实施方式中硅片的安装示意图。
具体实施方式
[0017]为使本技术具体实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本技术具体实施方式做进一步详细说明。在此，本技术的示意性具体实施方式及其说明用于解释本技术，但并不作为对本技术的限定。
[0018]如图1、图2及图3所示，本技术提供了一种可以在同一卡槽211内具有间隙的放置两个硅片的N型电池POLY硅的沉积装置，用以有效有效避免同一卡槽内硅片贴合过紧的弊端，所述N型电池POLY硅的沉积装置包括两个固定板100及承载机构200，其中：
[0019]两个所述固定板100对向设置，所述承载机构200设置于两个所述固定板100之间，以固定并承托硅片300；
[0020]所述承载机构200设置有若干个用于放置所述硅片300的卡槽211，所述卡槽211中部具有一卡齿212，以将两个所述硅片300具有间隙的放置于同一卡槽211内。
[0021]具体实施中，插片的开口方向在设置时可以有多种实施方案。例如，所述承载机构200沿所述沉积装置的一侧设置有开口，所述开口用于沿所述沉积装置的一侧、且与所述承载机构200垂直的放入所述硅片300。对插片的方式进行改进，从一侧垂直插入硅片300，可以有效避免硅片300贴合过紧的弊端。
[0022]具体实施中，承载机构200的设置可以有多种实施方案。例如，如图1所示，所述承载机构200可以包括多个承载杆210，多个所述承载杆210平行设置于两个所述固定板100之间，各所述承载杆210均设置有位置相匹配的所述卡槽211。进一步的，承载杆210的设置同样可以有多种实施方案，例如，可以沿固定部的底部设置两个承载杆210，顶部设置两个承载杆210，一侧设置两个承载杆210，另外一侧则不设置承载杆210，从而形成开口。
[0023]具体实施中，卡齿212形状的设置可以有多种实施方案。例如，如图2、图3所示，所述卡齿212的顶部呈弧状设置。呈弧状凸起的卡齿212，可以在有效分隔硅片300的情况下避免划伤硅片300，从而进一步的提升了硅片300的良品率。进一步的，所述卡齿212凸起的高度可以为400微米至600微米。
[0024]具体实施中，卡齿212的宽度在设置时可以有多种实施方案。例如，为了有效间隔硅片300，所述卡齿212的宽度可以为0.5毫米至1.5毫米。优选的，所述卡齿212的宽度可以
为1毫米。
[0025]具体实施中，在横向插片工艺过程中，由于重力作用，导致绕镀到正面(绒面)区域较窄，而磷扩由于其实现方式与POLY硅实现方式不同，导致正面磷扩区域较宽，形成BSG与PSG接触区域的BPSG，去绕镀难度较大。而采用本技术实施例中的沉积装置，在进行磷扩散时，硅片300在重力作用下贴合更紧，形成磷扩扰度区域较窄，利于去绕镀环节。
[0026]采用本技术实施例中的沉积装置进行TOPCon电池生产的具体步骤如下：
[0027]1)采用N型制绒后的硅片300，采用扩散等方式制备硼掺杂P
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N结；
[0028]2)采用链式单面刻蚀设备去除背面BSG及边结，保留正面BSG；
[0029]3)采用LPCVD设备制备隧穿氧化层、沉积POLY硅且POLY硅垂直插片进行工本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种N型电池POLY硅的沉积装置，其特征在于，所述N型电池POLY硅的沉积装置包括两个固定板(100)及承载机构(200)，其中：两个所述固定板(100)对向设置，所述承载机构(200)设置于两个所述固定板(100)之间，以固定并承托硅片(300)；所述承载机构(200)设置有若干个用于放置所述硅片(300)的卡槽(211)，所述卡槽(211)中部具有一卡齿(212)，以将两个所述硅片(300)具有间隙的放置于同一卡槽(211)内。2.如权利要求1所述的N型电池POLY硅的沉积装置，其特征在于，所述承载机构(200)沿所述沉积装置的一侧设置有开口，所述开口用于沿所述沉积装置的一侧、且与所述承载机构(200)垂直的放入所述硅片(300)。3.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文睿，廖晖，王涛，林全键，何胜，徐伟智，
申请(专利权)人：盐城正泰新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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