一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置，包括炉体，炉体的一端呈敞开式，炉体上连通有出气管，所述炉体内固定有靠近炉体敞开处的固定壳，所述固定壳上开设有一组排气口；所述炉体远离固定壳的一端设有储气壳，所述储气壳上连通有贯穿炉体的排气管，所述排气管位于炉体内的一端连通有可拆卸连接的连接壳，所述连接壳靠近固定壳的一面设有承载条，所述承载条与连接壳相连通，所述承载条上开设有一组卡槽和一组出气孔，一组所述卡槽和一组出气孔呈交错分布。本实用新型专利技术可以有效的使惰性气体分散在炉体内，从而使粉末流均匀的分散在炉内，保证了每个圆片冷却后其表面都形成有充足的磷片。都形成有充足的磷片。都形成有充足的磷片。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置


[0001]本技术涉及磷片生产装置
，尤其涉及一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置。

技术介绍

[0002]硅片的应用范围广泛，我国对半导体大功率器件的需求日益增长，相关材料供给困难的矛盾进一步突出，其中高功率器件硅片扩散源磷源基本掌握在国外的厂商手里；硅片在进行磷扩散处理时，需要将多个硅片装载在石英舟上，然后将石英舟放置在扩散炉内(一般就是扩散石英管中)，通入含有扩散源的气体均匀流过各个硅片，在高温条件下对硅片实施磷扩散；而高纯磷片是利用高纯磷粉混合物，通过在石英管内石英舟上放置的镀膜耐温高分子塑料圆片，再向石英管内通入纯化后的惰性气体形成粉末流均匀流过各个圆片，冷却后剥离形成磷片，即可用于硅片扩散；而通入石英管内的惰性气体和高纯磷粉从炉尾排入炉内后，受炉体长度和多个圆片排列长度较长等原因，惰性气体很难将高纯磷粉均匀的分散在炉内，靠近炉尾的圆片上沾染的高纯磷粉会比远离炉尾的圆片上沾染的高纯磷粉多，从而出现一部分圆片上高纯磷粉冷却后磷片堆积过多，后续不便于剥离的情况，而另一部分圆片上高纯磷粉冷却后磷片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置，包括炉体(1)，炉体(1)的一端呈敞开式，炉体(1)上连通有出气管(8)，其特征在于：所述炉体(1)内固定有靠近炉体(1)敞开处的固定壳(2)，所述固定壳(2)上开设有一组排气口(21)；所述炉体(1)远离固定壳(2)的一端设有储气壳(5)，所述储气壳(5)上连通有贯穿炉体(1)的排气管(4)，所述排气管(4)位于炉体(1)内的一端连通有可拆卸连接的连接壳(3)，所述连接壳(3)靠近固定壳(2)的一面设有承载条(32)，所述承载条(32)与连接壳(3)相连通，所述承载条(32)上开设有一组卡槽(33)和一组出气孔(34)，一组所述卡槽(33)和一组出气孔(34)呈交错分布；所述储气壳(5)上还连通有贯穿炉体(1)与固定壳(2)相连通的连接管(6)。2.根据权利要求1所述的一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置，其特征在于：所述固定壳(2)上还固定有位于排气口(21)下方且用于承载连接壳(3)的承载板(22)。3.根据权利要求1所述的一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置，其特征在于：所述储气壳(5)上固定有电机(52)，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹朝蓉，
申请(专利权)人：成都锦沪新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：