激光二极管驱动电路的改良制造技术

本实用新型专利技术是一种激光二极管驱动电路的改良，包括：直流电源、激光二极管、第一电阻器、第一电容器、第一电晶体、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第二电晶体、第五电阻器、第三电晶体、第四电晶体及第五电晶体，其特征在于：该第四电晶体的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该第四电晶体的射极耦接至该第五电晶体的基极，该第五电晶体的射极接地，利用该第四电晶体的基极至射极的０．６伏特压降加上该第五电晶体的基极至射极的０．６伏特压降构成１．２伏特的保护电压，当该第四电晶体的基极输入电压超过１．２伏特时使该第四电晶体及该第五电晶体导通并使该激光二极管关闭，以达到保护该激光二极管的目的。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关一种激光二极管驱动电路的改良，尤指一种可降低生产成本及简化电路的激光二极管驱动电路。请参照附图说明图1，其绘示习知激光二极管驱动电路。如图所示，习知激光二极管驱动电路包含直流电源、激光二极管1、电阻器R1、电容器C1、电晶体Q1、电阻器R2、电阻器 R3、电阻器R4、电晶体Q2、电阻器R5、电晶体Q3、电晶体Q4、电阻器R6及电压检测器V1。其中，Q2、Q3串接在一起，就是保护当Q2、Q3中任一个短路时使功率不至于增加，电阻器R4及电阻器R5则分别用以控制Q2、Q3导通与否。电压检测器V1用以检测A点的电压是否超过1.1伏特(V)，当A点的电压低于1.1伏特时，电压检测器V1的Vout电位为低电位，电晶体Q4不导通，B点电位为高电位而激光二极管1正常输出；当A点的电压高于1.1伏特时，电压检测器V1的Vout电位为高电位，使电晶体Q4导通，B点电位为低电位而关闭激光二极管1输出，以达到保护作用。在正常功率不超过1mw时，A点的电压是低于1.1伏特的。而当电阻器R1短路、电阻器R3短路、电阻器R2开路或激光二极管1的PD接脚开路时皆会使A点的电压上升为1.1伏特。然而，由于习知激光二极管驱动电路使用电压检测器V1，其价格非常昂贵，使得电路成本提高。有监于此，申请人乃本于长年来从事产品研发与产销的经验，潜心研究，期能克服上述缺失，经再三实验，乃创作出本案的《激光二极管驱动电路的改良》。一种激光二极管驱动电路的改良，包括一直流电源、一激光二极管、一第一电阻器，一第一电容器、一第一电晶体，一第二电阻器、一第三电阻器、一第四电阻器、一第二电晶体、一第五电阻器、一第三电晶体、一第四电晶体及一第五电晶体，其特征在于该第四电晶体的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该第四电晶体的射极耦接至该第五电晶体的基极，该第五电晶体的射极接地，利用该第四电晶体的基极至射极的0.6伏特压降加上该第五电晶体的基极至射极的0.6伏特压降构成1.2伏特的保护电压，当该第四电晶体的基极输入电压超过1.2伏特时使该第四电晶体及该第五电晶体导通并使该激光二极管关闭，以达到包护该激光二极管的目的。所述的激光二极管驱动电路的改良，其直流电源是为3伏特电池。所述的激光二极管驱动电路的改良，其第一电晶体、该第二电晶体、该第三电晶体、该第四电晶体及该第五电晶体是为NPN型电晶体。其中编号与图1中相同者，表示其与习知激光二极管驱动电路中的构件功能相同，在此不再赘述。如图所示，其特征在于该第四电晶体12的基极耦接至集极以作为一二极体使用，该第四电晶体12的射极耦接至该第五电晶体13的基极，该第五电晶体13的射极接地，利用该第四电晶体12的基极至射极的0.6伏特压降加上该第五电晶体13的基极至射极的0.6伏特压降构成1.2伏特的保护电压，当该第四电晶体12的基极(即图示的A点)输入电压超过1.2伏特时使该第四电晶体12及该第五电晶体13导通并使该激光二极管1关闭，以达到保护该激光二极管1的目的。该第四电晶体12用以检测A点的电压是否超过1.2伏特，当A点的电压低于1.2伏特时，该第四电晶体12及该第五电晶体13不导通，B点电位为高电位而激光二极管1正常输出；当A点的电压高于1.2伏特时，该第四电晶体12及该第五电晶体13导通，使B点电位为低电位而关闭激光二极管1输出，以达到保护作用。在正常功率不超过1mw时，A点的电压是低于1.2伏特的。而本案的异于习知者，是利用该第四电晶体12的基极至射极的0.6伏特压降加上该第五电晶体13的基极至射极的0.6伏特压降构成1.2伏特的保护电压以取代电压检测器V1。该第四电晶体12及该第五电晶体13是为一般NPN型电晶体，其价格约为电压检测器V1的1/20，且该第四电晶体12的零件体积亦小于以电压检测器V1，因此本技术可达到节省空间并降低成本的目的。所以，经由本案的实施，可以最低成本的激光二极管驱动电路达到激光二极管驱动电路测试的功能需求。本案所揭示者，乃较佳实施例，举凡局部的变更或修饰而源于本案的技术思想而为熟习该项技艺的人所易于推知者，俱不脱本案的专利权范畴。权利要求1.一种激光二极管驱动电路的改良，包括一直流电源、一激光二极管、一第一电阻器，一第一电容器、一第一电晶体，一第二电阻器、一第三电阻器、一第四电阻器、一第二电晶体、一第五电阻器、一第三电晶体、一第四电晶体及一第五电晶体，其特征在于该第四电晶体的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该第四电晶体的射极耦接至该第五电晶体的基极，该第五电晶体的射极接地，利用该第四电晶体的基极至射极的0.6伏特压降加上该第五电晶体的基极至射极的0.6伏特压降构成1.2伏特的保护电压，当该第四电晶体的基极输入电压超过1.2伏特时使该第四电晶体及该第五电晶体导通并使该激光二极管关闭，以达到包护该激光二极管的目的。2.如权利要求1所述的激光二极管驱动电路的改良，其特征在于该直流电源是为3伏特电池。3.如权要求1所述的激光二极管驱动电路的改良，其特征在于该第一电晶体、该第二电晶体、该第三电晶体、该第四电晶体及该第五电晶体是为NPN型电晶体。专利摘要本技术是一种激光二极管驱动电路的改良，包括直流电源、激光二极管、第一电阻器、第一电容器、第一电晶体、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第二电晶体、第五电阻器、第三电晶体、第四电晶体及第五电晶体，其特征在于该第四电晶体的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该第四电晶体的射极耦接至该第五电晶体的基极，该第五电晶体的射极接地，利用该第四电晶体的基极至射极的0.6伏特压降加上该第五电晶体的基极至射极的0.6伏特压降构成1.2伏特的保护电压，当该第四电晶体的基极输入电压超过1.2伏特时使该第四电晶体及该第五电晶体导通并使该激光二极管关闭，以达到保护该激光二极管的目的。文档编号H01S5/00GK2549630SQ02233788公开日2003年5月7日 申请日期2002年5月22日 优先权日2002年5月22日专利技术者叶云烜 申请人:李金传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光二极管驱动电路的改良，包括： 一直流电源、一激光二极管、一第一电阻器，一第一电容器、一第一电晶体，一第二电阻器、一第三电阻器、一第四电阻器、一第二电晶体、一第五电阻器、一第三电晶体、一第四电晶体及一第五电晶体，其特征在于：该第四电晶体的基极耦接至集极以作为一二极管使用，该第四电晶体的射极耦接至该第五电晶体的基极，该第五电晶体的射极接地，利用该第四电晶体的基极至射极的０．６伏特压降加上该第五电晶体的基极至射极的０．６伏特压降构成１．２伏特的保护电压，当该第四电晶体的基极输入电压超过１．２伏特时使该第四电晶体及该第五电晶体导通并使该激光二极管关闭，以达到包护该激光二极管的目的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶云烜，
申请(专利权)人：李金传，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]