半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底技术

半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层２堆叠在蓝宝石衬底１上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘３的半导体层２，在台面部分１２的相对两侧的位置上，将条形解理辅助槽４制造成平行于半导体层２的（１１－２０）取向表面延伸，并从解理辅助槽４将半导体层２和蓝宝石衬底１解理，以制造由半导体层２的可解理表面制成的腔体边缘３。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法以及用于制造半导体器件的衬底，更具体地说，涉及如半导体激光器这样的具有通过解理产生的腔体边缘的半导体器件及其制造方法以及如晶片这样的用于制造这种半导体器件的衬底。由Ⅲ族元素如镓(Ga)、铝(Al)和铟(In)，以及作为Ⅴ族元素的氮形成的氮化物Ⅲ-Ⅴ化合物半导体如GaN、AlGaN和GaInN是直接跃迁半导体，它们具有比在目前可获得的半导体激光器中使用的半导体如AlGaInAs和AlGaInP更大的带隙。因此，认为可将它们作为发光的、高度集成的、高密度光盘再生设备和用于全彩色显示器件的光学元件，以发射400nm波段波长的短波长半导体激光器、能发射紫外到绿光的发光二极管(LED)和其它半导体发光器件的形式广泛使用。此外，这些氮化物Ⅲ-Ⅴ化合物半导体在高电场下显示出大的饱和电子速度，被认为可作为电子迁移器件如高功率和高频场效应晶体管的材料。使用这些氮化物Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的半导体激光器、发光二极管和FET是通过在例如蓝宝石(Al2O3)衬底这样衬底上外延生长氮化物Ⅲ-Ⅴ化合物半导体来制造的。通常，在半导体激光器中，必须制做腔体边缘。在AlGaInA本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有可解理半导体层的半导体器件，该半导体层堆叠于衬底上并具有由可解理表面构成的边缘，该半导体器件包括：半导体层的所述边缘，通过首先在所述衬底上堆叠所述半导体层，然后在除用于所述边缘的主部分的部分以外，沿用于制造所述边缘的部分至少在半导体 层中部分地制造解理辅助槽，并从所述解理辅助槽对半导体层和衬底进行解理而制造。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小林俊雅，东条刚，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]