一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法技术

本申请涉及一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法，包括：根据待测半导体模块的规格确定参考温度数据；所述参考温度数据是同规格的半导体模块所对应的温度标定数据；获取待测半导体模块的初始温度数据；所述初始温度数据是待测半导体模块在全新状态下进行温度测试的数据；对待测半导体模块进行温度测试，获取当前温度数据；根据初始温度数据、当前温度数据和参考温度数据，判断待测半导体模块的焊层寿命是否失效。本申请的测试方法在完整功率模块上进行，不需要将待测半导体模块从功率模块中拆下，省时省力；也不会发生由于拆解及安装导致的模块及其它部件损坏；本方案不需要热阻、超声波扫描等相关设备投入，降低测试成本。降低测试成本。降低测试成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法


[0001]本申请涉及功率半导体
，具体涉及一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)功率模块的应用可大幅提高电力电子变换器的性能，目前在工业变频、电动汽车、轨道牵引、再生能源发电等诸多场合中已获得初步应用。随着SiC材料和工艺技术的日趋成熟，SiC功率模块有望取代传统的Si基功率模块，在未来的电力电子变换器中获得更为广泛的应用与发展。
[0003]目前，SiC模块封装与Si基IGBT模块相同，通常采用直接敷铜板(DBC)、铝/铜线键合、焊接方式进行。宽禁带半导体SiC模块(250℃)相比于Si模块(175℃)可以应用在更高的温度，这对模块焊接层寿命带来极大的挑战；SiC芯片及DBC焊层容易在更大的温度循环下出现开裂的现象，导致模块热阻增加，模块寿命失效。
[0004]相关技术中，对SiC模块进行焊层寿命检测时，需要将SiC模块从功率模块中拆除，将模块清理干净后通过模块自身热阻测试、焊层超声波扫描等方式检测模块热阻及焊层变化情况。现有的检测方法存在以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法，其特征在于，包括：根据待测半导体模块的规格确定参考温度数据；所述参考温度数据是同规格的半导体模块所对应的温度标定数据；获取待测半导体模块的初始温度数据；所述初始温度数据是待测半导体模块在全新状态下进行温度测试的数据；对待测半导体模块进行温度测试，获取当前温度数据；根据初始温度数据、当前温度数据和参考温度数据，判断待测半导体模块的焊层寿命是否失效；其中，所述温度测试是对完整功率模块中的半导体模块进行的测试。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行温度测试的步骤包括：将半导体模块按照原有位置安装于功率模块中；在功率模块中进行短路测试；获取芯片结温随时间的变化关系数据。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行短路测试的步骤包括：在规定的温度条件下对功率模块中的半导体模块进行短路测试；在测试过程中，保持半导体模块的栅极电压和短路时间低于其额定值。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述参考温度数据的获取步骤包括：对全新的半导体模块进行温度测试，获取第一温度数据；将半导体模块处理为临界失效状态；对临界失效状态的半导体模块进行温度测试，获取第二温度数据；根据第一温度数据和第二温度数据确定参考温度数据。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将半导体模块处...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明星，
申请(专利权)人：北一半导体科技广东有限公司，
类型：发明
国别省市：