一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构制造技术

本申请提供了一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，属于阀门驱动电路的技术领域，用于解决相关技术中阀门驱动电路的尺寸较大、不利于集成的问题。其包括：外壳以及设置于外壳内的集成电路；所述集成电路包括基板以及分立器件，分立器件具体包含四块运算比较器裸芯片、八块三极管裸芯片、八块二极管裸芯片、四块二极管裸芯片、四块场效应管裸芯片、四块固定电阻器、八块固定电阻器、八块电容器；所述基板有两块，两块基板并排放置，所述分立器件平均分配至两块基板上以装配。通过采用上述技术方案，得到的四路阀门驱动功率电路的二次集成结构具有较小的尺寸，有利于集成结构的应用。有利于集成结构的应用。有利于集成结构的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构


[0001]本申请涉及阀门驱动电路的
，尤其涉及一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构。
[0002]
技术介绍

[0003]阀门驱动电路即电磁阀门的驱动电路。在应用驱动电路驱动多个电磁阀门时，常规的选择为将多个驱动电路二次集成，形成整体可以控制多个电磁阀门的整体驱动电路。然而，此种直接二次集成的方式导致最终的整体驱动电路的尺寸较大。
[0004]
技术实现思路

[0005]本申请提供了一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，其具有较小的尺寸。
[0006]本申请提供的一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构具体采用以下技术方案：一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，包括：外壳以及设置于外壳内的集成电路；所述集成电路包括基板以及分立器件，分立器件具体包含四块运算比较器裸芯片、八块三极管裸芯片、八块二极管裸芯片、四块二极管裸芯片、四块场效应管裸芯片、四块固定电阻器、八块固定电阻器、八块电容器；所述基板有两块，两块基板并排放置，所述分立器件平均分配至两块基板上以装配。
[0007]通过采用上述技术方案，得到的四路阀门驱动功率电路的二次集成结构具有较小的尺寸，有利于集成结构的应用。
[0008]进一步地，所述集成电路采用如图1所述的装配位置进行装配。
[0009]进一步地，所述基板的规格尺寸为29 mm
×
（24
±
0.2）mm
×
（1.0
±
0.1）mm。/>[0010]进一步地，所述基板为氧化铍厚膜陶瓷基板。
[0011]进一步地，所述运算比较器型号为LM139，所述三极管型号为3DG182E，八块的所述二极管型号为JHRC4148，四块的所述二极管BZX55C12V，所述场效应管型号为IXTD24P20，四块的所述固定电阻器为金端头片式厚膜固定电阻器，八块的所述固定电阻器为锡铅端头片式厚膜固定电阻器，所述电容器为钯银端头多层瓷介电容器。
[0012]进一步地，所述基板表面印刷导体为金和银，金浆料使用型号为5771，背面银浆料使用型号为9512，正面银浆料使用型号为6160。
[0013]进一步地，所述集成电路还包括印刷包封釉、印刷介质和印刷膜电阻，所述印刷包封釉设置于基板和印刷导体表面的非焊接区域，所述印刷介质设置于需要隔离的上下两层导体间。
[0014]进一步地，所述印刷包封釉使用浆料型号为7137，印刷介质的浆料型号为QM44，印刷膜电阻使用的浆料型号为17系列。
[0015]进一步地，所述外壳的型号为MDFM6333
‑
P35，所述集成电路通过所述外壳的引线与外壳外实现电气连接。
[0016]进一步地，所述外壳内的水汽含量小于5000ppm。
[0017]综上所述，本申请至少包含以下有益效果：得到的四路阀门驱动功率电路的二次集成结构具有较小的尺寸，有利于集成结构的应用。
[0018]应当理解，
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本申请的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本申请的范围。本申请的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
[0019]附图说明
[0020]结合附图并参考以下详细说明，本申请各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素，其中：图1示出了四路阀门驱动功率电路的二次集成结构的集成电路的装配图；图2示出了四路阀门驱动功率电路的二次集成结构的壳体的结构图；图3示出了四路阀门驱动功率电路的二次集成结构的集成电路的局部装配图；附图标记说明：1、底层金导体；2、介质；3、上层金导体；4、银导体、5、印刷电阻；6、包封釉；7、裸芯片的装配键合；8、钯银端头多层瓷介电容器的装配；9、金端头片式厚膜固定电阻器的装配键合；10、引线的键合；11、镀锡铜带的点焊。
[0021]具体实施方式
[0022]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的全部其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0023]另外，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0024]相关技术提供了一种电磁阀门的驱动电路，其包括运算比较器LM139、三极管3DG182E、二极管1N4148或BZX55C12V、场效应管IXTD24P20、锡铅端头的片式厚膜固定电阻器、锡铅端头的多层瓷介电容器、接插件等分立器件，前述分立器件采用再流焊工艺焊接至PCB基板上，实现具有单路的恒压模式/恒流模式的电磁阀门的驱动电路，其能够控制一个电磁阀门。
[0025]单路的恒压模式/恒流模式的电磁阀门的驱动电路封装至壳体内后，整体尺寸超出64mm
×
34mm
×
10mm。该单路的恒压模式/恒流模式的电磁阀门的驱动电路的工作环境温
度范围为
‑
40℃~105℃。
[0026]上述相关技术至少存在以下缺陷：单路的恒压模式/恒流模式的电磁阀门的驱动电路的尺寸较大，在应用至多路二次集成结构时不利于二次集成结构的尺寸减小；为了克服上述缺陷，本申请实施例公开了一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，其具备更小的尺寸。
[0027]一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，包括外壳以及设置于外壳内的集成电路。
[0028]集成电路包括基板以及分立器件，分立器件具体包含四块运算比较器LM139裸芯片、八块三极管3DG182E裸芯片、八块二极管JHRC4148裸芯片、四块二极管BZX55C12V裸芯片、四块场效应管IXTD24P20裸芯片、四块金端头片式厚膜固定电阻器、八块锡铅端头片式厚膜固定电阻器、八块钯银端头多层瓷介电容器。
[0029]其中，基板具体有两块，两块基板并排放置，两块基板均为氧化铍厚膜陶瓷基板，每块基板的规格尺寸为29 mm
×
（24
±
0.2）mm
×
（1.0
±
0.1）mm，基板表面印刷导体为金和银，金浆料使用型号为5771，背面银浆料使用型号为9512，正面银浆料使用型号为6160。
[0030]集成电路还具有印刷包封釉、印刷介质和印刷膜电阻。印刷包封釉在基板和印刷导体表面的非焊接区域，使用浆料型号为7137。在基板上具备上下两层导体且需要隔离的结构时，可在上下两层导体间配置印刷介质，印刷介质具体可采用的浆料型号为QM44。印刷膜电阻使用的浆料型号为17系列。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，其特征在于，包括：外壳以及设置于外壳内的集成电路；所述集成电路包括基板以及分立器件，分立器件具体包含四块运算比较器裸芯片、八块三极管裸芯片、八块二极管裸芯片、四块二极管裸芯片、四块场效应管裸芯片、四块固定电阻器、八块固定电阻器、八块电容器；所述基板有两块，两块基板并排放置，所述分立器件平均分配至两块基板上以装配。2.根据权利要求1所述的一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，其特征在于，所述集成电路采用如图1所述的装配位置进行装配。3.根据权利要求2所述的一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，其特征在于，所述基板的规格尺寸为29 mm
×
（24
±
0.2）mm
×
（1.0
±
0.1）mm。4.根据权利要求2或3所述的一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，其特征在于，所述基板为氧化铍厚膜陶瓷基板。5.根据权利要求2所述的一种四路阀门驱动功率电路的二次集成结构，其特征在于，所述运算比较器型号为LM139，所述三极管型号为3DG182E，八块的所述二极管型号为JHRC4148，四块的所述二极管BZX55C12V，所述场效应管型号为IXT...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊斌，
申请(专利权)人：北京七星华创微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：