一种电子芯片及其制备方法技术

本申请涉及微电子技术领域中的一种电子芯片及其制备方法。电子芯片包括裸芯半导体；设于裸芯半导体表面的钝化层；与裸芯半导体电连接且至少部分区域外露于钝化层的芯片焊盘；以及设于芯片焊盘远离裸芯半导体一侧且导电的键合加固件。在沿着远离裸芯半导体的方向上，键合加固件包括依次层叠的粘附层、阻挡层以及键合层，粘附层附着于芯片焊盘上，键合层被配置为同外部的键合引线键合，阻挡层被配置为阻止两侧金属间的原子扩散。具有该键合加固件的电子芯片在经历了引线键合工艺后，键合点处不易产生金属间化合物与柯肯达尔空洞，有利于维护电子芯片的性能稳定性，提升了应用该电子芯片的电子产品的可靠性，延长了电子产品的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微电子，尤其是涉及一种电子芯片及其制备方法。

技术介绍

1、引线键合是实现电子芯片与外围电路互连的传统技术，键合点与键合引线承载着电子芯片内部电路与外围电路的功率传输与信号运输，二者的质量与可靠性对电子芯片的功能和寿命起着决定性的作用。键合引线一般使用纯度较高的金线，金线具有接触电阻低、延展性好、抗氧化性好与耐腐蚀性强等优良性能，是一种极好的键合材料。不过电子芯片的芯片焊盘通常并不是金质的，例如大多数电子芯片采用铝焊盘。由于键合引线与芯片焊盘异质，二者在晶格常数和热膨胀系数上存在较大差异，经长期使用后容易在二者的交界处形成柯肯达尔（kirkendall）空洞和机械强度极差的金属间化合物（intermetalliccompound，imc），且随着温度和时间的增加，空洞和金属间化合物会不断增加。伴随金属间化合物的产生，键合点接触电阻变大，降低了接触区域的电学性能，导致器件参数漂移，甚至开路而失效，影响产品的长期可靠性。

技术实现思路

1、为了阻止电子芯片的芯片焊盘同键合引线在键合处生成金属间化合物，维本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子芯片，其特征在于，所述电子芯片包括：

2.如权利要求1所述的电子芯片，其特征在于，所述键合加固件还包括设置于所述粘附层与所述阻挡层之间的加固层，所述加固层的硬度大于所述芯片焊盘的硬度。

3.如权利要求2所述的电子芯片，其特征在于，所述键合加固件至少部分覆盖于所述钝化层上，且所述键合加固件与所述钝化层之间还设置有应力缓冲层；所述芯片焊盘为Al焊盘，所述粘附层中包括Ti，所述加固层包括Cu与Ni中的至少一种，所述阻挡层中包括Ni与Cr中的至少一种，所述键合层包括Au、Ag以及Pd中的至少一种。

4.如权利要求2所述的电子芯片，其特征在于，所述加...

【技术特征摘要】

1.一种电子芯片，其特征在于，所述电子芯片包括：

2.如权利要求1所述的电子芯片，其特征在于，所述键合加固件还包括设置于所述粘附层与所述阻挡层之间的加固层，所述加固层的硬度大于所述芯片焊盘的硬度。

3.如权利要求2所述的电子芯片，其特征在于，所述键合加固件至少部分覆盖于所述钝化层上，且所述键合加固件与所述钝化层之间还设置有应力缓冲层；所述芯片焊盘为al焊盘，所述粘附层中包括ti，所述加固层包括cu与ni中的至少一种，所述阻挡层中包括ni与cr中的至少一种，所述键合层包括au、ag以及pd中的至少一种。

4.如权利要求2所述的电子芯片，其特征在于，所述加固层朝向所述阻挡层的表面设有多个第一微结构，所述阻挡层朝向所述加固层的表面设有多个与所述第一微结构配合的第二微结构，所述第一微结构与所述第二微结构中的一个为凹陷微结构，另一个为嵌入所述凹陷微结构中的凸起微结构。

5.如权利要求1至4任一项所述的电子芯片，其特征在于，所述芯片焊盘外露于所述钝化层的区域为未钝化区域，所述未钝化区域中设有若干深度小于所述芯片焊盘之厚度的凹槽，至少部分所述凹槽同所述未钝化区域边缘的距离小于所述凹槽同所述区域中...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鲁东，
申请(专利权)人：北京七星华创微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：