一种光电探测器芯片及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种光电探测器芯片及其制备方法与应用。所述光电探测器芯片，包括依次层叠设置的底电极、第一GaN层、i

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器芯片及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于光电探测器
，具体涉及一种光电探测器芯片及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]近年来，随着半导体照明技术的普及，基于LED的可见光通信技术(VLC)已经引起人们广泛的关注，并逐渐成为研究热点。现代通信场景对通信的容量和速率的需求巨大，基于多色LED的VLC系统被提出用于解决上述问题。但这同样对光电探测器提出了要求，尤其提出对多波段响应探测器单片集成的需求。
[0003]IIIA
‑
VA族化合物半导体In
x
Ga1‑
x
N材料，由于带隙可调的特点(0.7～3.4eV)，可以和光源工作波长匹配，能最大程度的接收光信号，有效降低噪声和减少系统成本，成为可见光通信光电探测器最具潜力的候选者，但目前InGaN基光电探测器的研究主要集中在横向结构的单一波长的PIN型和MSM型探测器上。横向结构探测器器件响应时间长，导致现有InGaN基光电探测器既无法实现多波段探测，也不能满足高速响应的需求。

技术实现思路

...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器芯片，其特征在于：包括依次层叠设置的底电极、第一GaN层、i
‑
In
y
Ga1‑
y
N功能层、第二GaN层、i
‑
In
x
Ga1‑
x
N功能层、第三GaN层和顶电极；其中，0≤x＜1，0≤y≤1；当第一GaN层为n
‑
GaN层时，所述第二GaN层为p
‑
GaN层，所述第三GaN层为n
‑
GaN层；当第一GaN层为p
‑
GaN层时，所述第二GaN层为n
‑
GaN层，所述第三GaN层为p
‑
GaN层。2.根据权利要求1所述的一种光电探测器芯片，其特征在于：y＞x。3.根据权利要求1所述的一种光电探测器芯片，其特征在于：所述i
‑
In
x
Ga1‑
x
N功能层和i
‑
In
y
Ga1‑
y
N功能层的厚度分别为30～200nm。4.根据权利要求3所述的一种光电探测器芯片，其特征在于：所述i
‑
In
x
Ga1‑
x
N功能层选自In
x
Ga1‑
x
N薄膜、In
x
Ga1‑
x
N/GaN薄膜或者In
x
Ga1‑
x
N/In...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，柴吉星，王文樑，陈亮，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：