【技术实现步骤摘要】
一种高连接强度的太阳能电池片
[0001]本技术涉及太阳能电池片结构
，具体为一种高连接强度的太阳能电池片。
技术介绍
[0002]太阳能电池片分为晶硅类和非晶硅类，其中晶硅类电池片又可以分为单晶电池片和多晶电池片；单晶硅的效率较多晶硅也有区别。传统的太阳能电池片一般采用N型扩散层、P型硅衬底、背面背场进行连接，而在长时间的使用过程中，各层之间容易发生错位的情况，从而影响使用寿命，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种高连接强度的太阳能电池片，N型扩散层下表面开设有若干上端梯形卡槽，背面背场上表面开设有若干下端梯形卡槽，P型硅衬底分别通过上凸起和下凸起和上端梯形卡槽及下端梯形卡槽相配合，连接强度大大提高，并且避免发生错位的情况，使用寿命大大提高，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种高连接强度的太阳能电池片，包括正面电极、减反射膜、N型扩散层、P型硅衬底、背面电极、背面背场，所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高连接强度的太阳能电池片，其特征在于：包括正面电极（1）、减反射膜（2）、N型扩散层（3）、P型硅衬底（4）、背面电极（5）、背面背场（6），所述减反射膜（2）上表面设置有若干正面电极（1），所述减反射膜（2）下表面与N型扩散层（3）上表面相连，所述N型扩散层（3）下表面开设有若干上端梯形卡槽（9），所述背面背场（6）上表面开设有若干下端梯形卡槽（10），所述P型硅衬底（4）设置于N型扩散层（3）和背面背场（6）之间，所述P型硅衬底（4）上表面设置有上凸起（7），所述上凸起（7）设置于N型扩散层（3）下表面所开的上端梯形卡槽（9）内，所述P型硅衬底（4）下表面设置有下凸起（8），所述下凸起（8）设置于背面背场（6）上表面所开的下端梯形卡...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐建均，王强，
申请(专利权)人：南通友拓新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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