PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质技术方案

本发明专利技术公开了一种PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质。其中，所述PCB包括图形区域和非图形区域，所述PCB覆铜方法包括：获取所述图形区域的第一残铜率；将所述第一残铜率与预设范围进行比较，根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，以使所述第一残铜率与所述非图形区域的第二残铜率相等。本申请实施例能够保证非图形区域的残铜率与图形区域的残铜率相等，从而避免对后续操作的影响。后续操作的影响。后续操作的影响。

【技术实现步骤摘要】
PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及PCB
，尤其涉及一种PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]目前，为适应半导体产品性能不断提升、产品面积不断缩小、产品功耗越来越低的发展趋势，PCB也逐渐朝着高密度方向发展。
[0003]相关技术中，高层次、高密度的PCB容易出现图形区域与非图形区域残铜率不同的现象，使得PCB在压合过程中各区域的流胶量不同，最终导致压合后的PCB板厚极差大(极差＞0.2mm)。在对外层板制作图形时，板厚较薄的区域与干膜无法紧密贴合，即干膜呈现浮起状态，从而在显影操作中，容易出现干膜脱落、污染缸体的现象，并对后续电镀、蚀刻等操作造成影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质，能够保证非图形区域的残铜率与图形区域的残铜率相等，从而避免对后续操作的影响。
[0005]根据本专利技术的第一方面实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.PCB覆铜方法，其特征在于，所述PCB包括图形区域和非图形区域，所述PCB覆铜方法包括：获取所述图形区域的第一残铜率；将所述第一残铜率与预设范围进行比较，根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，以使所述第一残铜率与所述非图形区域的第二残铜率相等。2.根据权利要求1所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述预设覆铜图形至少包括第一覆铜图形、第二覆铜图形和第三覆铜图形；所述根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括：确定所述第一残铜率小于预设范围，根据所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作；确定所述第一残铜率在所述预设范围内，根据所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作；确定所述第一残铜率大于所述预设范围，根据所述第三覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作。3.根据权利要求2所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述第一覆铜图形包括多个第一图形，所述第一图形为圆形；在所述将所述第一残铜率与预设范围进行比较之前，所述PCB覆铜方法还包括：获取所述非图形区域的初始长度和初始宽度；所述根据所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括：根据所述第一残铜率、所述初始长度和所述初始宽度调节所述第一图形的第一直径，以及相邻两个所述第一图形之间的第一间距；根据调节后的所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作。4.根据权利要求3所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述第二覆铜图形包括多个第二图形，所述第二图形为矩形；所述根据所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括：根据所述第一残铜率、所述初始长度和所述初始宽度调节所述第二图形的边长，以及相邻两个所述第二图形之间的第二间距；根据调节后的所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作。5.根据权利要求4所述的PC...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘煦阳，刘湘龙，胡梦海，黄贵福，
申请(专利权)人：广州兴森快捷电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：